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- [发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置-CN202180007423.4在审
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泉直史
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琳得科株式会社
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2021-03-10
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2022-08-02
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H01L21/304
- 本发明提供一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置，在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损。具备：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片(WF)的一个面(WFA)的面状的脆弱层(WL)，并以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)；以及分离工序，支撑半导体晶片(WF)中的薄化晶片(WF1)侧和剩余晶片(WF2)侧中的至少一个，使薄化晶片(WF1)与剩余晶片(WF2)分离，在分离工序中，使薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)从半导体晶片(WF)的外缘部的一端部(WFF)朝向该半导体晶片(WF)的外缘部的另一端部(WFR)逐渐分离。
- 晶片制造方法装置
- [发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置-CN202180006503.8在审
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泉直史
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琳得科株式会社
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2021-01-15
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2022-06-24
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H01L21/304
- 一种薄化晶片的制造装置，能够在防止薄化晶片破损的情况下对该薄化晶片实施各种工序，其具备：分离构件(10)，其在由基材支撑构件(BS)支撑的半导体晶片(WF)上形成脆弱层(WL)，以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)，并将该剩余晶片(WF2)从薄化晶片(WF1)分离；第一输送构件(20)，其输送由分离构件(10)将剩余晶片(WF2)分离后的薄化晶片(WF1)；处理构件(30)，其对由第一输送构件(20)输送的薄化晶片(WF1)实施规定的处理；第二输送构件(40)，其输送由处理构件(30)实施了规定的处理的薄化晶片(WF1)；以及加强部件粘贴构件(50)，其将加强部件(AS)粘贴于由第二输送构件(40)输送的薄化晶片(WF1)，其中，第一输送构件(20)和第二输送构件(40)将薄化晶片(WF1)与基材支撑构件(BS)一起输送。
- 晶片制造方法装置
- [发明专利]薄型化板状部件的制造方法以及制造装置-CN201880057314.1在审
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泉直史;山下茂之
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琳得科株式会社
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2018-08-17
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2020-04-21
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H01L21/304
- 薄型化板状部件的制造方法具备：向第一硬质支承体(110)的支承面(111)粘贴第一双面粘接片(AT1)的第一粘接面(AT11)，向板状部件(WF)的整个第一表面(WF1)粘贴第二粘接面(AT12)的工序；在所述板状部件(WF)的内部形成边界层(CR)的工序；以第一保持单元(130)夹着第一硬质支承体(110)位于所述板状部件(WF)的相反侧的方式，将所述第一保持单元(130)和第一硬质支承体(110)拆装自如地固定的工序；利用第二保持单元(160)从第二表面(WF2)侧保持所述板状部件(WF)的工序；使所述第一保持单元(130)和所述第二保持单元(160)相对移动，从而以所述边界层(CR)为界，将所述板状部件(WF)分割为具有第一表面(WF1)的第一薄型化板状部件以及具有第二表面(WF2)的第二薄型化板状部件的工序。
- 薄型化板状部件制造方法以及装置
- [发明专利]带粘接剂芯片的制造方法-CN200880012228.5无效
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濑川丈士;泉直史
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琳得科株式会社
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2008-04-15
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2010-02-24
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H01L21/52
- 本发明提供一种带粘接剂芯片的制造方法，其不需要对芯片上顶，且在拾取进行中不会发生未被拾取的芯片的保持力的变动。本发明的带粘接剂芯片的制造方法具有在固定夹具(3)的紧贴层(31)上层叠有芯片键合粘接剂层(24)及晶片(1)的状态下，将晶片(1)及芯片键合粘接剂层(24)完全切断以形成芯片(13)，并通过使固定夹具(3)的紧贴层(31)变形将芯片(13)与芯片键合粘接剂层(24)一起从固定模具(3)拾取的特征，其特征是，固定夹具(3)包括紧贴层(31)和在一个表面上有多个突起物且在外周部有侧壁(35)的夹具基台(30)，紧贴层(31)层叠在夹具基台(30)的有突起物的表面上并在侧壁(35)的上表面粘接，在夹具基台(30)的有突起物的表面上形成有由紧贴层(31)、突起物及侧壁(35)构成的划分空间(37)，在夹具基台(30)上设置有使外部和划分空间(37)贯通的至少一个贯通孔(38)，通过经由固定夹具(3)的贯通孔抽吸划分空间(37)内的空气能使紧贴层(31)变形。
- 带粘接剂芯片制造方法
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