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[发明专利]氮化硅粉末、氮化硅烧结体和电路基板、以及氮化硅粉末的制造方法-CN201580036058.4有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供兼具高的导热率和高的机械强度的氮化硅烧结体和电路基板、作为其原料的氮化硅粉末及其制造方法。提供氮化硅粉末、由该氮化硅粉末得到的氮化硅烧结体和电路基板、以及该氮化硅粉末的制造方法。该氮化硅粉末的特征为：比表面积为4.0～9.0m2/g，β相的比例小于40％，氧含量为0.20～0.95质量％，通过由激光衍射散射法测定体积基准的粒度分布而得到的频率分布曲线具有2个峰，该峰的峰顶在0.4～0.7μm的范围和1.5～3.0μm的范围，上述峰顶的频率比(粒径0.4～0.7μm范围的峰顶的频率/粒径1.5～3.0μm范围的峰顶的频率)为0.5～1.5，由上述粒度分布测定得到的中位直径D50(μm)与由上述比表面积计算的比表面积当量直径DBET(μm)之比D50/DBET(μm/μm)为3.5以上。
氮化粉末烧结路基以及制造方法

[发明专利]氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体用氮化硅粉末以及氮化物荧光体-CN201480011774.2有效
发明人：岩下和树;隅野真央;上田孝之;藤永昌孝;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供组成控制容易、荧光特性优异的包含(Ca，Sr)AlSiN3Eu荧光体的氮化物荧光体。提供(Ca1‑x1‑x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c(式中，0.49＜x1＜1.0、0.0＜x2＜0.02、0.9≤a≤1.1、0.9≤b≤1.1、0.9≤c≤1.1)所示的氮化物荧光体的制造方法，其中，将下述的氮化硅粉末用于原料比表面积为5～35m2/g，将在从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧相对于氮化硅粉末的质量比例设为FSO(质量％)，将在从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧量相对于氮化硅粉末的质量比例设为FIO(质量％)，将比表面积设为FS(m2/g)的情况下，FS/FSO((m2/g)/(质量％))为8～53，并且FS/FIO((m2/g)/(质量％))为20以上。
氮化物荧光制造方法体用氮化粉末以及

[发明专利]氮氧化物荧光体粉末及其制造方法-CN201580006843.5有效
发明人：隅野真央;上田孝之;岩下和树;藤永昌孝;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：关于具有587～630nm的荧光峰波长的氮氧化物荧光体，提供一种外部量子效率高于以往的氮氧化物荧光体。本发明涉及一种含有50～10000ppm的Li的氮氧化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合，在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500～2000℃烧成，获得作为中间物的以含Ca的α型塞隆为主成分的氮氧化物荧光体烧成物后，将该氮氧化物荧光体烧成物进而在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃～低于所述烧成温度的温度进行热处理。
氧化物荧光粉末及其制造方法

[发明专利]浆料用氮化硅粉末及其制造方法、离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及多结晶硅铸造用铸模及其制造方法-CN201580008245.1有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明提供一种离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及用以获得该离型材用氮化硅粉末浆料的浆料用氮化硅粉末及其制造方法、以及多结晶硅锭的离型性良好的多结晶硅铸造用铸模及其低成本制造方法，上述离型材用氮化硅粉末浆料无需使用粘合剂等添加剂且无需经过烧结步骤即可于多结晶硅铸造用铸模形成不仅多结晶硅锭的离型性良好且多结晶硅锭铸造后对铸模的密接性也良好的离型层。本发明涉及一种浆料用氮化硅粉末，其是用于多结晶硅铸造用铸模的离型层形成用浆料的氮化硅粉末，且比表面积为5～50m2/g，非晶质氮化硅的比例为1.0～25.0质量％，含氧量为0.6～2.5质量％。
浆料氮化粉末及其制造方法离型材用离型材以及结晶铸造铸模

[发明专利]氧氮化物荧光体粉末及其制造方法-CN201480017784.7有效
发明人：隅野真央;岩下和树;酒井拓马;藤永昌孝;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供具有610～625nm的荧光峰波长，并且其外量子效率比以往同类产品高的氧氮化物荧光体粉末。本发明的氧氮化物荧光体粉末的特征在于，含有α型塞隆和氮化铝，由组成式Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(式中，x1、x2、y、z满足1.60≤x1+x2≤2.90、0.18≤x2/x1≤0.70、4.0≤y≤6.5、0.0≤z≤1.0)表示。进而，优选还含有50～10000ppm的Li。氮化铝的含量优选处于大于0质量％至小于33质量％的范围。
氮化物荧光粉末及其制造方法

[发明专利]赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法以及赛隆系氧氮化物荧光体-CN201410206550.9有效
发明人：藤永昌孝;上田孝之;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：提供光致发光荧光体的制造方法，其能够在以α‑赛隆为主成分的氧氮化物荧光体中实现以蓝色LED为光源的白色LED的高亮度化。该α‑赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法的特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.16～0.22g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12‑(m+n)Al(m+n)OnN16‑nLny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。
赛隆系氧氮化物荧光制造方法以及

[发明专利]多晶硅锭铸造用铸模的脱模剂用氮化硅粉末及其制造和使用方法-CN201480038649.0有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅;藤井孝行 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供能够以低成本制造高光电转换效率的多晶硅锭的多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末。本发明提供多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末的浆料、以及多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模的多晶硅锭的制造方法，其中该多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末的比表面积为5～40m2/g，将在粒子表面层存在的氧的含有比例记为FSO(质量％)、将在粒子内部存在的氧的含有比例记为FIO(质量％)、将比表面积记为FS(m2/g)，在此情况下，FS/FSO为8～30，FS/FIO为22以上，粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.05～0.20。
多晶铸造铸模脱模剂氮化粉末及其制造使用方法

[发明专利]氮氧化物荧光体粉末-CN201480030239.1有效
发明人：隅野真央;酒井拓马;岩下和树;藤永昌孝;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供氮氧化物荧光体粉末，其为具有565～577nm的主波长的α型塞隆系荧光体，且具有在实用时高的荧光强度及外部量子效率。本发明的氮氧化物荧光体粉末为以组成式Cax1Eux2Ybx3Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(其中，式中，0.0＜x1≤2.0、0.0000＜x2≤0.0100、0.0000＜x3≤0.0100、0.4≤x2/x3≤1.4、1.0≤y≤4.0、0.5≤z≤2.0)表示的α型塞隆。
氧化物荧光粉末

[发明专利]氧氮化物荧光体粉末及其制造方法-CN201480017001.5有效
发明人：上田孝之;岩下和树;酒井拓马;藤永昌孝;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供氧氮化物荧光体粉末，其为具有605～615nm的荧光峰波长的包含α型赛隆荧光体的氧氮化物荧光体粉末，与以往相比外部量子效率高。本发明的氧氮化物荧光体粉末包含由组成式Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤1.0)表示的α型赛隆。还提供还包含50～10000ppm的Li的包含α型赛隆的氧氮化物荧光体粉末。此外，本发明涉及这些氧氮化物荧光体粉末的制造方法，原料的成为硅源的物质优选为氧含量是0.2～0.9质量％、平均粒径是1.0～12.0μm、比表面积是0.2～3.0m2/g的氮化硅粉末。
氮化物荧光粉末及其制造方法

[发明专利]波长转换部件及使用其的发光装置-CN201380053996.6有效
发明人：岩下和树;酒井拓马;上田孝之;藤永昌孝;治田慎辅;山永正孝;长尾有记;河野孝史 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
波长转换部件使用发光装置

[发明专利]氧氮化物荧光体粉末-CN201380011911.8有效
发明人：上田孝之;藤永昌孝;酒井拓马;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种氧氮化物荧光体，其具有580～605nm的荧光峰值波长，外量子效率比以往高。本发明的氧氮化物荧光体粉末是由下述组成式表示的、含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体。本发明还提供上述氧氮化物荧光体的制造方法。Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z为0＜x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0＜y≤2.3和1.5≤z≤3.5，或者，x1、x2、y、z为0＜x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5)
氮化物荧光粉末

[发明专利]氧氮化物荧光体粉末、氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末及氧氮化物荧光体粉末的制造方法-CN201280048350.4有效
发明人：藤永昌孝;上田孝之;酒井拓马;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式：Ca_x1Eu_x2Si_l2-(y+z)Al_(y+z)O_zN_16-z（其中，式中，x1、x2、y、z为：0<x1≤3.40,0.05≤x2≤0.20,4.0≤y≤7.0,0≤z≤1）表示的组成所表示的含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体粉末。本发明提供上述氧氮化物荧光体粉末，其由450nm波长的光所激发而发出的荧光的峰波长的光反射率为80%以上。本发明提供氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末，其为结晶氮化硅粉末，氧含量为0.2～0.9质量%。本发明提供氧氮化物荧光体粉末的制造方法，其具有混合原料物质，在非活性气体氛围中、在1500～2000℃的温度范围进行烧成，从而得到由上述通式所表示的氧氮化物烧成物的第1工序，和在非活性气体气氛中、在1100～1600℃的温度范围对上述氧氮化物烧成物进行热处理的第2工序。
氮化物荧光粉末制造氮化方法

[发明专利]多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料-CN201180062815.7有效
发明人：山尾猛;藤井孝行;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法等，其可以抑制与硅铸锭的铸模表面的粘固和对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损、破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm且含氧量为0.3wt%～1.0wt%的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm且含氧量为1.3wt%～20wt%的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末混合到水中而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下在400℃～800℃对铸模进行加热。
多晶铸锭铸造铸模及其制造方法以及脱模材料氮化粉末含有浆料

[发明专利]多晶硅铸锭铸造用铸模及其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料-CN201180062857.0有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模以其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料，它们的成本低且与铸模的接合性优异，可以抑制对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损和破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末，其特征在于，以由SEM图像的图像解析而算出的面积比计，所述粉末中单分散的粒状结晶一次颗粒的比例为95%以上。
多晶铸锭铸造铸模及其脱模材料氮化粉末含有浆料

[发明专利]多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料-CN201180062854.7有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱膜材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料，由此可以抑制硅铸锭和铸模表面的粘固，抑制在对凝固的硅铸锭进行脱模时发生缺损、破损，以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，具备浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末在水中混合而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下以800℃～1200℃对铸模进行加热。
多晶铸锭铸造铸模及其制造方法以及脱模材料氮化粉末含有浆料

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