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[发明专利]氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板-CN201980070845.9有效
发明人： 本田道夫;藤永昌孝;王丸卓司;柴田耕司;山田哲夫 -专利权人： UBE 株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离，由此得到多张氮化硅烧结体，从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板，分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉，因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m2/g以上且20m2/g以下，通过激光衍射散射法测定的体积基准的50％粒径D50为20μm以下，并且氧量为0.3重量％以上且低于2重量％，通过将分离材料以0.1mg/cm2以上且3mg/cm2以下的涂布量涂布在生片表面，能够得到热导率在室温下为80W/(m·K)以上、4点弯曲强度在室温下为800MPa以上的氮化硅基板。
氮化硅基板制造方法以及

[发明专利]板状的氮化硅质烧结体及其制造方法-CN202080085992.6在审
发明人：藤永猛;猪野亚纪;本田道夫;藤永昌孝;柴田耕司;山田哲夫 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明提供得到兼具高的热导率和优异的机械特性(强度和断裂韧性)的板状的氮化硅质烧结体的方法。制备在氮化硅原料中添加有烧结助剂的起始组合物，通过片成形工艺由起始组合物制作生片，将生片在含氮气体压力为0.15MPa以上且3MPa以下的加压气氛下、在最高保持温度为1790℃以上且1910℃以下的温度范围内保持而进行烧结，由此制造碱土金属含量与稀土金属含量的比率及氧含量高度受控的板状的氮化硅质烧结体，其中，所述氮化硅原料中配混有β百分率为0％以上且10％以下并且具有特定的氧含量、比表面积及平均粒径的第一氮化硅粉末和β百分率为60％以上且100％以下并且具有特定的氧含量、比表面积、平均粒径及长径比的第二氮化硅粉末。还提供原料粉末配混物及氮化硅质烧结体。
氮化烧结及其制造方法

[发明专利]氮化硅粉末、氮化硅烧结体和电路基板、以及氮化硅粉末的制造方法-CN201580036058.4有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供兼具高的导热率和高的机械强度的氮化硅烧结体和电路基板、作为其原料的氮化硅粉末及其制造方法。提供氮化硅粉末、由该氮化硅粉末得到的氮化硅烧结体和电路基板、以及该氮化硅粉末的制造方法。该氮化硅粉末的特征为：比表面积为4.0～9.0m2/g，β相的比例小于40％，氧含量为0.20～0.95质量％，通过由激光衍射散射法测定体积基准的粒度分布而得到的频率分布曲线具有2个峰，该峰的峰顶在0.4～0.7μm的范围和1.5～3.0μm的范围，上述峰顶的频率比(粒径0.4～0.7μm范围的峰顶的频率/粒径1.5～3.0μm范围的峰顶的频率)为0.5～1.5，由上述粒度分布测定得到的中位直径D50(μm)与由上述比表面积计算的比表面积当量直径DBET(μm)之比D50/DBET(μm/μm)为3.5以上。
氮化粉末烧结路基以及制造方法

[发明专利]浆料用氮化硅粉末及其制造方法、离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及多结晶硅铸造用铸模及其制造方法-CN201580008245.1有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明提供一种离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及用以获得该离型材用氮化硅粉末浆料的浆料用氮化硅粉末及其制造方法、以及多结晶硅锭的离型性良好的多结晶硅铸造用铸模及其低成本制造方法，上述离型材用氮化硅粉末浆料无需使用粘合剂等添加剂且无需经过烧结步骤即可于多结晶硅铸造用铸模形成不仅多结晶硅锭的离型性良好且多结晶硅锭铸造后对铸模的密接性也良好的离型层。本发明涉及一种浆料用氮化硅粉末，其是用于多结晶硅铸造用铸模的离型层形成用浆料的氮化硅粉末，且比表面积为5～50m2/g，非晶质氮化硅的比例为1.0～25.0质量％，含氧量为0.6～2.5质量％。
浆料氮化粉末及其制造方法离型材用离型材以及结晶铸造铸模

[发明专利]氮化硅粉末的制造方法和氮化硅粉末以及氮化硅烧结体和使用其的电路基板-CN201380017253.3有效
发明人：柴田耕司;王丸卓司;山尾猛;藤永昌孝;本田道夫;藤井孝行 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有高的机械强度和传热系数的氮化硅烧结体和使用其的电路基板。提供一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，一边通过连续烧结炉使在将比表面积设为RS(m2/g)、含氧比例设为RO(质量％)时的RS/RO为500以上的非晶质Si‑N(‑H)系化合物流动，一边在1000～1400℃的温度范围内以12～100℃/分钟的升温速度加热。另外，提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得到的氮化硅烧结体、以及使用该氮化硅烧结体的电路基板，所述氮化硅粉末的特征在于，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO(质量％)、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO(质量％)、将比表面积设为FS(m2/g)时，FS/FSO为8～25，FS/FIO为22以上。
氮化粉末制造方法以及烧结使用路基

[发明专利]多晶硅锭铸造用铸模的脱模剂用氮化硅粉末及其制造和使用方法-CN201480038649.0有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅;藤井孝行 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供能够以低成本制造高光电转换效率的多晶硅锭的多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末。本发明提供多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末的浆料、以及多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模的多晶硅锭的制造方法，其中该多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末的比表面积为5～40m2/g，将在粒子表面层存在的氧的含有比例记为FSO(质量％)、将在粒子内部存在的氧的含有比例记为FIO(质量％)、将比表面积记为FS(m2/g)，在此情况下，FS/FSO为8～30，FS/FIO为22以上，粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.05～0.20。
多晶铸造铸模脱模剂氮化粉末及其制造使用方法

[发明专利]多晶硅铸锭铸造用铸模及其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料-CN201180062857.0有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模以其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料，它们的成本低且与铸模的接合性优异，可以抑制对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损和破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末，其特征在于，以由SEM图像的图像解析而算出的面积比计，所述粉末中单分散的粒状结晶一次颗粒的比例为95%以上。
多晶铸锭铸造铸模及其脱模材料氮化粉末含有浆料

[发明专利]多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料-CN201180062854.7有效
发明人：山尾猛;本田道夫;治田慎辅 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱膜材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料，由此可以抑制硅铸锭和铸模表面的粘固，抑制在对凝固的硅铸锭进行脱模时发生缺损、破损，以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，具备浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末在水中混合而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下以800℃～1200℃对铸模进行加热。
多晶铸锭铸造铸模及其制造方法以及脱模材料氮化粉末含有浆料

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