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[发明专利]用于基板处理的反射板-CN202180080729.2在审
发明人： 沃尔夫冈·R·阿德霍尔德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备，并且更具体地涉及用于快速热处理的反射板。在一实施方式中，提供了一种用于处理基板的反射板组件。所述反射板组件包括：反射板主体；设置在所述反射板主体内的多个子反射板；和多个高温计。多个高温计的一高温计耦合到形成在子反射板中的开口。于此还描述了包括反射板组件的腔室。
用于处理反射

[发明专利]用于测量边缘环温度的方法和设备-CN202080081335.4在审
发明人：胡积玓;沃尔夫冈·R·阿德霍尔德;姚东明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于测量在处理腔室内部的组件的温度的设备。该设备可包括：光管，定位在灯辐射滤光窗与该组件之间，该光管具有带有斜面的第一端部并具有远离该第一端部的第二端部，该斜面被构造成将从该组件所发射的红外辐射重新导向穿过该光管；光学组件，被构造成对来自于该光管的第二端部的红外辐射进行准直、滤光及聚焦；光学探测器，被构造成接收来自该光学组件的输出并产生代表该红外辐射的至少一个信号；温度电路，将该至少一个信号变换为温度值；以及控制器，被构造成接收该温度值并基于该温度值对处理腔室的其他处理参数作出调整。
用于测量边缘温度方法设备

[发明专利]用于结合的选择性单层掺杂的方法和设备-CN201980075528.6在审
发明人：本杰明·科伦坡;沃尔夫冈·R·阿德霍尔德;罗安迪;黄奕樵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：使用结合的选择性单层掺杂(SMLD)工艺在半导体装置中形成掺杂材料层的方法和设备。使用SMLD工艺将一种浓度的掺杂剂沉积于材料层上，然后将所述浓度的掺杂剂退火以将所述浓度的掺杂剂扩散进入材料层中。SMLD工艺使所述浓度的掺杂剂顺应于材料层的表面而保形，并且可以在单个CVD腔室中执行。也可以重复SMLD工艺以进一步变更掺杂剂进入材料层的扩散参数。SMLD工艺可与p型掺杂剂物质和n型掺杂剂物质相兼容。
用于结合选择性单层掺杂方法设备

[发明专利]改良的边缘环的周缘-CN201380047547.0有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;沃尔夫冈·R·阿德霍尔德;布莱克·克尔米;伊利亚·拉维特斯凯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施例一般涉及一种支撑环，用以支撑在处理腔室中的基板。在一个实施例中，所述支撑环包括：内部环；外部环，所述外部环通过平坦部而连接至所述内部环的外部周边；边缘周缘，所述边缘周缘从所述内部环的内部周边向内径向延伸，以形成支撑突部来支撑所述基板；以及基板支撑件，所述基板支撑件形成于所述边缘周缘的顶表面上。所述基板支撑件可包括从所述边缘周缘的顶表面向上且垂直地延伸的多个突出部，或者多个U形夹具，所述U形夹具可固定至所述边缘周缘的边缘部。所述基板支撑件将所述基板与所述边缘周缘热分离，以防止通过所述边缘周缘的热损失，因而产生横越所述基板的改良的温度分布，所述改良的温度分布具有最小的边缘温度梯度。
改良边缘周缘

[发明专利]微波处理半导体基板的设备和方法-CN201280018213.6有效
发明人：迈克尔·W·斯托厄尔;马耶德·A·福阿德;拉尔夫·霍夫曼;沃尔夫冈·R·阿德霍尔德;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供了使用微波能或毫米波能辐射处理半导体基板的方法和设备。微波能或毫米波能可具有在约600MHz和约1THz之间的频率。来自磁控管的交流电流被耦合至具有内导体和外导体的漏泄微波发射体，所述外导体具有尺寸小于所发射辐射的波长的开口。内导体和外导体被绝缘材料隔开。由微波发射产生的干涉图案可通过调相到发射体的功率和/或通过调频功率自身的频率来均匀化。来自单个发生器的功率可被功率分配器分配到两个或更多个发射体。
微波处理半导体设备方法