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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种芯片模块及其制作方法-CN202210404956.2在审
发明人：冯雪;白向兴;陈颖;罗锐;汪照贤;刘东亮 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种芯片模块及其制作方法，制作方法包括：提供一芯片，芯片的背面具有粘接剂；将芯片放置在一基座的凹腔中，并使芯片的背面朝向凹腔的底部，其中，凹腔的表面为曲面；在凹腔的开口侧设置柔性薄膜以密封凹腔；对密封后的凹腔进行流体加压，使柔性薄膜和芯片变形至与凹腔的表面共形；加热固化粘接剂，使变形后的芯片与凹腔的表面粘接而定形，得到芯片模块。本申请采用柔性薄膜和流体加压的方式，构建了非刚性约束的流体压力场来控制芯片变形，最后固化粘接剂使芯片定形，实现了对芯片的曲面加工，操作简单、易控、良率高。
一种芯片模块及其制作方法

[发明专利]超薄芯片及其制备方法和应用-CN202210322576.4在审
发明人： 汪照贤;王添博;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄芯片及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面沉积金属薄膜，得到超薄芯片，其中，所述金属薄膜与所述硅衬底之间的应力为α，所述功能层与所述硅衬底之间的应力β，α的取值范围为10MPa‑1000MPa，β的取值范围为负1000MPa‑负10MPa，且|α|与|β|的差的绝对值小于或等于1MPa；该制备方法能够降低超薄芯片的翘曲曲率，提高超薄芯片的封装良率和可靠性。
超薄芯片及其制备方法应用

[发明专利]VDMOS器件及VDMOS器件的制作方法-CN202111580138.X在审
发明人：冯雪;汪照贤;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种VDMOS器件，包括衬底层，设有第一导电柱；设置在衬底层上的外延层，衬底层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；设置在外延层上的栅极；设置在外延层的源极；外延层在靠近衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，绝缘区与第一导电柱位置相对应，掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。本申请通过在外延层中设置较高掺杂浓度的掺杂区，可以降低VDMOS器件正向导通时的外延电阻，同时还在衬底层和外延层之间形成MIS结构，使VDMOS器件维持较高的反向击穿电压，能有效提高VDMOS器件的工作性能。
vdmos 器件制作方法

[发明专利]超薄芯片及其平整化方法和应用-CN202210362697.1在审
发明人：陈颖;王添博;汪照贤;王禾翎 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄芯片及其平整化方法和应用。该平整化方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲；对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。该平整化方法能够提高相同厚度薄膜所引入的永久拉应力，从而在增加较少厚度的基础上，改善超薄芯片的翘曲程度，进而提高超薄芯片的封装良率以及可靠性。
超薄芯片及其平整方法应用

[实用新型]封装结构及堆叠结构-CN202122855644.7有效
发明人：冯雪;汪照贤;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请涉及一种封装结构，包括柔性基板和芯片；柔性基板的至少一侧表面设有凹槽，芯片设置在凹槽中，柔性基板设有多个连通柔性基板的至少两侧表面的第一通孔，第一通孔通过金属化形成导电通道，以导通位于封装结构表面不同位置的电连接部，电连接部中的至少一部分与芯片电连接。本申请还涉及一种堆叠结构，包括多个上述的封装结构，封装结构之间沿封装结构的厚度方向和/或封装结构的平面方向堆叠，封装结构之间通过电连接部电连接。本申请在芯片堆叠加工时通过在柔性基板设置通孔形成导电通道，避免了直接在芯片上开槽，提高芯片堆叠工艺的良率，同时本申请能实现多个方向的芯片堆叠，集成化程度高。
封装结构堆叠

[实用新型]芯片减薄装置-CN202122141406.X有效
发明人：冯雪;汪照贤;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片减薄装置，包括传送装置和研磨装置，传送装置上设有用于固定芯片的固定件，研磨装置设于固定件远离传送装置的一侧并用于对芯片进行打磨，研磨装置包括研磨轮，研磨轮的表面与固定件的表面在垂直于传送方向的方向上具有间距，研磨轮包括粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮，粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮的目数依次增大，粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮朝向传送方向依次排列。在传送装置的移动过程中，可同步进行粗磨、细磨以及抛光工艺，提升效率，最终获得厚度精确的超薄芯片；而且设置固定件用于固定芯片，研磨装置对芯片进行研磨，从而避免了大尺寸晶圆减薄时容易出现裂片和崩边等良率问题。
芯片装置

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