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[发明专利]可替换内置电极陶瓷封装外壳-CN201510879344.9有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;张琼 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种可替换内置电极陶瓷外壳，包含有可以相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包含有阳极法兰、瓷环、阳极密封碗、门极引线管和内置阳极电极；所述阳极法兰同心焊接于瓷环的上端面，所述阳极密封碗同心焊接于瓷环的下端面，所述阳极法兰、瓷环和阳极密封碗自上至下叠合同心焊接，所述门极引线管穿接于瓷环的壳壁上，所述内置阳极电极置于阳极密封碗内；所述上盖包含有阴极密封碗和内置阴极电极，所述内置阴极电极置于阴极密封碗内。本发明既满足客户定制式要求，又能实现陶瓷外壳的规模化生产。
替换内置电极陶瓷封装外壳

[发明专利]IGBT内置多台架电极陶瓷封装外壳-CN201510879345.3有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;张琼 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/053 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT内置式多台架独立电极陶瓷封装外壳，包含有可相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包含有阳极法兰、瓷环、阳极密封碗、门极引线管和内置式多台架独立电极，所述阳极法兰同心焊接在瓷环的上端面，阳极密封碗的上端面同心焊接在瓷环的下端面，所述阳极法兰、瓷环和阳极密封碗自上至下叠合同心焊接，所述门极引线管穿接于瓷环壳壁上；所述上盖包含有阴极密封碗和内置式阴极电极，内置式阴极电极置于阴极密封碗中。
igbt 内置台架电极陶瓷封装外壳

[发明专利]外置式电极陶瓷封装外壳-CN201510879424.4有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;张琼 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种外置式电极陶瓷封装外壳，包含有可以相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包含有阳极法兰、瓷环、阳极密封碗和外置阳极电极，所述阳极法兰同心焊接于瓷环的上端面，所述阳极密封碗同心焊接于瓷环的下端面，所述阳极法兰、瓷环和阳极密封碗自上至下叠合同心焊接，所述外置阳极电极置于阳极密封碗内；所述上盖包含有阴极密封碗和外置阴极电极，所述外置阴极电极置于阴极密封碗内。本发明中阳极密封碗与阴极密封碗设计可以轻松实现电极的替换功能，电极不需要钎焊，从而降低了对电极材质的要求，面对器件的不同的应用场景，可选用铝电极取代铜电极；陶瓷外壳重量降低50%以上，成本可降低30%以上。
外置电极陶瓷封装外壳

[实用新型]大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳-CN201320517984.1有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳，包含陶瓷管座和管盖，其特征在于所述管盖包含有阴极电极、阴极法兰、阴极进水嘴和阴极出水嘴，所述进水嘴和出水嘴分别与阴极散热水腔进行螺纹连接，分布在阴极散热水腔的外缘上；所述陶瓷管座包含阳极法兰、瓷环、阳极密封圈、阳极电极、门极引线管、阳极进水嘴和阳极出水嘴，所述阳极电极包含有矩形电极群、下盖板和阳极散热水腔，所述矩形电极群位于阳极散热水腔的上方，所述阳极进水嘴和阳极出水嘴分别与阳极散热水腔进行螺纹连接，分布在阳极散热水腔的外缘上。本实用新型既可以提高散热效果，又可以实现器件叠式串联，同时大幅缩小装量体积。
大功率陶瓷封装 igbt 高效双面制冷整体管壳

[发明专利]大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳-CN201310371610.8有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷管壳，包含陶瓷管座和管盖，其特征在于所述管盖包含有阴极电极、阴极法兰、阴极进水嘴和阴极出水嘴，所述进水嘴和出水嘴分别与阴极散热水腔进行螺纹连接，分布在阴极散热水腔的外缘上；所述陶瓷管座包含阳极法兰、瓷环、阳极密封圈、阳极电极、门极引线管、阳极进水嘴和阳极出水嘴，所述阳极电极包含有矩形电极群、下盖板和阳极散热水腔，所述矩形电极群位于阳极散热水腔的上方，所述阳极进水嘴和阳极出水嘴分别与阳极散热水腔进行螺纹连接，分布在阳极散热水腔的外缘上。本发明既可以提高散热效果，又可以实现器件叠式串联，同时大幅缩小装量体积。
大功率陶瓷封装 igbt 高效双面制冷整体管壳

[实用新型]大功率整晶圆IGBT封装结构-CN201220368027.2有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2012-07-28 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极板定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3），在所述过渡电极（2）的上方自上而下依次压接有上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6），在过渡电极（2）的门极针定位孔（2-1）内设置有弹性门极针单元（2-4）。本实用新型降低了封装装配的复杂程度，增加了电极接触面积，提高了器件工作时的散热效果，提高了器件门极驱动的可靠性。
大功率整晶圆 igbt 封装结构

[实用新型]大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳-CN201220368026.8有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2012-07-28 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极环定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3）。本实用新型不需要雕刻矩形电极群，只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽，大幅提高了加工效率和成品率，并且过渡电极不需与瓷环相焊接，因此没有焊接应力，与矩形电极群相比，接触面积增加了20%左右，从而提高了电极的导电、导热性能。
大功率整晶圆 igbt 陶瓷封装外壳

[发明专利]大功率整晶圆IGBT封装结构-CN201210263536.3有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2012-07-28 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极板定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3），在所述过渡电极（2）的上方自上而下依次压接有上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6），在过渡电极（2）的门极针定位孔（2-1）内设置有弹性门极针单元（2-4）。本发明降低了封装装配的复杂程度，增加了电极接触面积，提高了器件工作时的散热效果，提高了器件门极驱动的可靠性。
大功率整晶圆 igbt 封装结构

[发明专利]大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳-CN201210263537.8无效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2012-07-28 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极环定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3）。本发明不需要雕刻矩形电极群，只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽，大幅提高了加工效率和成品率，并且过渡电极不需与瓷环相焊接，因此没有焊接应力，与矩形电极群相比，接触面积增加了20%左右，从而提高了电极的导电、导热性能。
大功率整晶圆 igbt 陶瓷封装外壳

[实用新型]特大功率晶闸管封装结构-CN201120225120.3有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种特大功率晶闸管封装结构，它包括阴极电极（1）、阴极法兰（2）、阳极法兰（3）、瓷环（4）、阳极密封环（6）、阳极电极（5）和门极引线管（7），其特征在于在所述门极引线管与瓷环之间设置有门极密封环（8），所述瓷环设置成波纹裙边状、所述阳极法兰、阴极法兰和阳极密封环均为无氧铜材料的弹性法兰，且采用圆弧过渡、在阴极电极和阳极电极的外缘上均设置有U形阻银槽（9）。本实用新型提供的晶闸管封装结构封装强度和气密封高，并且在大功率下的耐高压和绝缘性能都非常好。
特大功率晶闸管封装结构

[实用新型]大功率IGBT平板压接式封装结构-CN201120148224.9无效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：管芯包含塑料模架盘（2-1）、IGBT芯片单元（2-2）、门极引出板（2-3）和下钼片（2-4），所述IGBT芯片单元包括门极针（2-2-1）、电极组块（2-2-2）、上钼片（2-2-3）和IGBT芯片（2-2-4），在所述塑料模架盘的通孔内电极组块、上钼片和IGBT芯片自上到下依次压接，所述电极组块的上表面与阴极电极接触，所述IGBT芯片的下表面与下钼片相压接。本实用新型既提高了IGBT工作时的散热效果，同时简化了门极引出结构。
大功率 igbt 平板压接式封装结构

[实用新型]大功率高真空防爆型陶瓷管壳-CN201120148226.8有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L23/053 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率高真空防爆型陶瓷管壳，它包含有阴极电极（1）、阴极法兰（2）、阳极法兰（4）、瓷环（5）、阳极密封圈（6）、阳极电极（7）和门极引线管（9），其特征在于：所述阴极法兰（2）局部区域内凹形成阴极法兰释能环（2-1），所述阳极密封圈（6）局部区域内凹形成阳极密封圈释能环（6-1），所述阴极法兰（2）的外围设置有阴极灭弧挡板（3），所述阳极密封圈（6）的外围设置有阳极密封圈灭弧挡板（8）。本实用新型大功率高真空防爆型陶瓷管壳，可避免因短路造成的危险，是一种新型的防爆型陶瓷管壳。
大功率真空防爆陶瓷管壳

[实用新型]IGBT封装用模架盘-CN201120148221.5有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种IGBT封装用模架盘，包含模架盘本体(1)，其特征在于：在所述模架盘本体（1）的下端面设置若干定置卡爪（2），在所述模架盘本体（1）的下端面开有若干IGBT芯片定置腔（3），在所述IGBT模架盘本体（1）的上端面开有电极组块定置腔（4），在所述电极组块定置腔（4）的一侧开有同样高度的门极针定置腔（5），所述电极组块定置腔（4）和门极针定置腔（5）均与IGBT芯片定置腔（3）相通。本实用新型既提高了IGBT工作时的散热效果，同时简化了封装结构。
igbt 封装用模架盘

[实用新型]防爆型法兰-CN201120148225.3有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防爆型法兰，它包含法兰本体（1），其特征在于：所述法兰本体（1）的局部区域内凹形成环状（2），所述环状（2）的厚度比法兰本体（1）的厚度薄。本实用新型适用于大电流电子领域中的安全装置。
防爆法兰

[发明专利]大功率IGBT平板压接式封装结构-CN201110120979.2有效
发明人：陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 -专利权人： 江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：管芯包含塑料模架盘（2-1）、IGBT芯片单元（2-2）、门极引出板（2-3）和下钼片（2-4），所述IGBT芯片单元包括门极针（2-2-1）、电极组块（2-2-2）、上钼片（2-2-3）和IGBT芯片（2-2-4），在所述塑料模架盘的通孔内电极组块、上钼片和IGBT芯片自上到下依次压接，所述电极组块的上表面与阴极电极接触，所述IGBT芯片的下表面与下钼片相压接。本发明既提高了IGBT工作时的散热效果，同时简化了门极引出结构。
大功率 igbt 平板压接式封装结构

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