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[发明专利]多晶硅场限环-CN201310177855.7有效
发明人：苏少爽 -专利权人： 江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。
多晶硅场限环

[发明专利]聚酰亚胺喷涂-CN201310097916.9有效
发明人：苏少爽 -专利权人： 江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种高压器件表面保护方法，在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂，然后进行塑料封装，以减小高压器件表面漏电进而提高高压器件特性。该高压器件表面保护方法包括：在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂、以及实施聚酰亚胺喷涂时避免污染采用的等离子清洗。该方法包括一套完整的聚酰亚胺喷涂工艺。所述的聚酰亚胺喷涂工艺包括等离子清洗和聚酰亚胺喷涂厚度及固化条件。将完成引线焊接工序的高压器件工件，经过等离子清洗，然后在高压器件芯片表面实施聚酰亚胺喷涂，然后进行塑料封装，以减小高压器件表面漏电进而提高高压器件特性。
聚酰亚胺喷涂