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[实用新型]一种具有缺口设计的石英振荡板-CN201820855584.4有效
发明人：林进宝;江日舜;李彦志;钟政勋;邱智宏;王敏和;张玟源;周强;张利慧;许碧琴 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有缺口设计的石英振荡板，包括外型基板，所述的外型基板一侧的侧边两端分别第一侧电极和第二侧电极，该第一侧电极用于接收外部讯号并沿外型基板传输，所述的外型基板上端设置有第一凸起台，该第一凸起台的台面上设置有第一表面电极，所述的第一表面电极与第一侧电极相连，所述的第一侧电极与第二侧电极的相对面为第一侧面，所述的第二侧电极与第一侧电极的相对面为第二侧面，该第二侧面、第一侧面和外型基板一侧的侧壁组成缺口。本实用利用缺口结构，以增加讯号的传输路径长度，借此改善振荡Q值，使得振荡Q值显着提升。
侧电极外型基板侧面第一表面电极凸起台相对面振荡石英振荡板传输路径基板传输缺口结构石英振荡上端侧壁侧边外部

[发明专利]硅锗外延层的制造方法-CN200610132096.2无效
发明人： 江日舜;施泓林;唐力原;蒋天福;范铭棋;廖晋毅;简金城 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出一种硅锗外延层的制造方法。此方法包括：先于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的1％～20％。然后，于第二条件下进行一第二选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的99％～80％。其中，第一条件与第二条件包括温度条件或压力条件，且第一选择性外延成长工艺与第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
外延制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法与改善方法-CN200610108174.5无效
发明人：施泓林;江日舜;孟宪樑 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明有关一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。
金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法改善

[实用新型]金属氧化物半导体晶体管元件-CN200620121379.2无效
发明人：施泓林;江日舜;孟宪樑 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本实用新型有关一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。
金属氧化物半导体晶体管元件

[发明专利]半导体元件-CN200510113378.3无效
发明人：林焕顺;施泓林;王湘莹;江日舜;范铭棋 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-11 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，此半导体元件包括衬底、栅极结构、间隙壁、硅化锗(Si_xGe_y)层以及硅化锗保护层。其中，栅极结构配置于衬底上，间隙壁配置于栅极结构侧壁。硅化锗层配置于间隙壁两侧的衬底中，且延伸至部分间隙壁下方，其中硅化锗层的顶部高于衬底的表面。另外，硅化锗保护层配置于硅化锗层上，且硅化锗保护层包括Si_x1Ge_y1，而0≤y1＜y。
半导体元件

[发明专利]形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法-CN200510105212.7有效
发明人：骆伯远;魏拯华;陈百宏;江日舜;黄建良;高明哲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：一种形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法被揭示，包含于一含有金属离子及纳米碳管的电镀浴中对一表面具有一导电基线的基材进行电镀，于是在该导电基在线形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线。本发明亦揭示另一种形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法，包含准备一纳米碳管的分散液，其包含一有机溶剂及分散于该有机溶剂的纳米碳管；将该纳米碳管的分散液印刷于一基材的一表面，及从该表面挥发移除该有机溶剂，而形成一导电基线；及于一含有金属离子的电镀浴中对该表面进行电镀，于是在该导电基在线形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线。
形成纳米金属复合材料电镀互连导线方法

[发明专利]适用于低温热化学气相沉积合成纳米碳管的负载金属触媒及使用此触媒的纳米碳管合成方法-CN02108544.7有效
发明人：黄建良;丁傑;江日舜 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2002-04-01 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明是有关一种纳米碳管(carbonnanotubes)的合成方法，尤其是有关一种适用于低温热化学气相沉积合成纳米碳管的负载金属触媒。本发明揭示一种适用于低温(低于600℃)热化学气相沉积合成纳米碳管的负载金属触媒，包含作为担体的粒径介于0.01至10微米的贵金属颗粒；及沉积在该贵金属颗粒上的金属触媒，其中该金属触煤可为铁、钴、镍或其合金，及该金属触媒对该贵金属粒子的重量比介于0.1∶100至10∶100之间。本发明亦揭示使用该担体金属触媒的一种在基材上直接低温合成纳米碳管的方法，其中于合成纳米碳管后不需去除触媒担体。
适用于低温热化学沉积合成纳米负载金属触媒使用方法

[发明专利]直接在基材上低温合成纳米碳管的方法-CN02108543.9无效
发明人：黄建良;丁傑;江日舜;庄铨 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2002-04-01 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明是有关一种纳米碳管(carbonnanotubes)的合成方法，尤其是有关一种通过低温热化学气相沉积的方式在一含有三明治架构活性触媒系统的基材上直接成长纳米碳管的方法。经由低温热化学气相沉积反应，纳米碳管被直接成长在一具有三层金属层的基材表面上，以作为场发射显示器的场发射电子源。该三层金属层包含一层活性金属触媒，其被夹在一位于该基材上的金属担体层及一覆盖金属层之间。该活性金属触媒为铁、钴、镍或其合金，该金属担体与覆盖金属则可分别为金、银、铜、钯、铂或其合金，及这三层金属层可通过真空溅镀、化学气相沉积、物理气相沉积、网印或电镀的方式被形成。
直接基材低温合成纳米方法