“武逸飞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于晶圆级封装的薄膜型传感器及其制造方法-CN202210475588.0有效
发明人：王琛;张思勉;邓晓楠;武逸飞;李正操 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于晶圆级封装的薄膜型传感器及其制造方法，该传感器包括基体、传感器主体、盖帽层和多个电极。基体包括：第一衬底、介质层、第一绝缘层和多个硅通孔。介质层和第一绝缘层分别覆盖在第一衬底的两个面，且都被各硅通孔贯穿。各电极设置于对应的各硅通孔的通孔区域。传感器主体包括测试电极和敏感材料层，测试电极位于介质层上方，敏感材料层覆盖在测试电极的目标区域上。盖帽层包括第二衬底和键合环，第二衬底的第一面设置有容置槽。键合环设置于第二衬底的第一面。本公开提供的基于晶圆级封装的薄膜型传感器及其制造方法，具有高性能、低成本、小型化、高可靠性、高工艺可行性与兼容性、高晶圆级均一性，应用范围更广。
基于晶圆级封装薄膜传感器及其制造方法

[发明专利]多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法及电子产品-CN202210474092.1在审
发明人：王琛;张思勉;武逸飞;邓晓楠;王宇祺 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本申请提供了多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法及电子产品。该多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法包括：提供晶圆(1)，在所述晶圆(1)上制备介质层(2)；在所述晶圆(1)上制备硅通孔(11)，在所述硅通孔(11)中填充导电介质；在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一面设置背面绝缘层(3)；以及在所述晶圆(1)的设置有介质层(2)的一面设置多个类型不同的敏感薄膜(7)和多个外接电极，多个所述外接电极通过所述硅通孔(11)在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一面互联。该电子产品包括通过上述方法制造出的多模式薄膜传感器。
模式薄膜传感器晶圆级集成方法电子产品

[发明专利]基于硅通孔的MEMS传感器集成装置及其制造方法-CN202210474084.7在审
发明人：王琛;张思勉;武逸飞;邓晓楠;柯声贤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于硅通孔的MEMS传感器集成装置及其制造方法。装置包括：垂直堆叠的多个传感器和传感器之间的互连层，各传感器包括传感器主体和承载传感器主体且设置有多个硅通孔的基体；传感器主体的测试电极位于基体的上方并连接到对应的各硅通孔、敏感材料层覆盖在测试电极上；各互连层的敏感层孔用于容纳下方传感器的敏感材料层；各互连层的多个线通孔中分别设置的互连线的两端分别连接到下方传感器的测试电极和上方传感器的硅通孔，各传感器中的各硅通孔分别属于不同的硅通孔组，各硅通孔组中的硅通孔通过互连线串联，至少一个硅通孔组中的各硅通孔的对称轴重合。装置集成密度更高、封装尺寸更小、功耗和成本更低，适用范围广。
基于硅通孔 mems 传感器集成装置及其制造方法

[发明专利]基于拉曼分析的无损高深宽比结构的测量装置及方法-CN202210373807.4在审
发明人：王琛;张思勉;王宇祺;邓晓楠;武逸飞;李正操 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于拉曼分析的无损高深宽比结构的测量装置及方法，该装置包括：激光光源发射出激光光束；聚光部件使激光光束聚焦于可动载物台上方且使得聚光部件的焦平面位于初始位置，并在测量过程中控制焦平面从初始位置移动到待测孔的底面；可动载物台承载待测样品且能够在与光路主轴垂直的平面移动，待测样品中待测孔的轴向与光路主轴平行且待测孔处于与激光光束的聚焦区域对应的位置；探测模块对入射的待测样品返回的拉曼散射信号进行采集，并根据采集结果确定出待测孔的结构参数。可对高深宽比结构进行快速无损测量，有助于高效评估加工质量和微结构特征，为提高工艺良率、优化工艺条件提供依据。
基于分析无损高深结构测量装置方法

[发明专利]基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法-CN202210364873.5在审
发明人：王琛;邓晓楠;张思勉;武逸飞;王宇祺;柯声贤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于阻挡层绝缘层融合的硅通孔制备方法，该方法包括：对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底的第一面形成预设尺寸的盲孔；采用旋涂的方式在盲孔的表面生成融合层，融合层作为需要制备的硅通孔的阻挡层和绝缘层；在融合层上生成种子层；利用种子层在盲孔中填充金属，形成金属柱；进行抛光直至暴露出硅衬底的第一面；对硅衬底的与第一面相对的第二面进行减薄直至暴露出金属柱，完成硅衬底中硅通孔的制备。该方法能够简化硅通孔的工艺步骤，成本低、加工温度低、保形性高，且使得相关技术中硅通孔的界面分层、硅衬底开裂、电气性能退化、电损耗大等问题得以解决。
基于阻挡绝缘融合硅通孔制备方法