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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]体声波滤波器及射频器件-CN202223226371.0有效
  • 段志;陈香玉;付静坤;黄韦胜 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-08-01 - H03H9/02
  • 本实用新型实施例公开了一种体声波滤波器及射频器件，其中，所述体声波滤波器包括：多个谐振器单元，所述多个谐振器单元以整体占用面积最小的排列方式设置；每个所述谐振器单元包括多个谐振器，所述多个谐振器以整体占用面积最小的组合方式设置；每个所述谐振器包括：依次层叠于衬底上的反射结构、底电极层、压电层、顶电极层；以及与所述底电极层连接的底电极引线、与所述顶电极层连接的顶电极引线；其中，所述顶电极引线包括第一子层以及至少部分位于所述第一子层顶面上的第一增厚层；所述第一子层的材料与所述第一增厚层的材料相同或不同。
  • 声波滤波器射频器件
  • [实用新型]体声波谐振器及滤波器-CN202223544476.0有效
  • 徐丰 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-07-18 - H03H9/17
  • 本公开实施例提供一种体声波谐振器，包括：衬底；依次位于所述衬底上的反射结构、第一电极、混合压电层和第二电极；所述混合压电层至少包括第一压电层、第二压电层和至少一个调节层，所述第二压电层位于所述第一压电层上方，所述第一压电层的机电耦合系数与所述第二压电层的机电耦合系数不同；所述调节层用于调节所述混合压电层的机电耦合系数；所述调节层位于与所述第一压电层的同一结构层中和/或位于所述第二压电层的同一结构层中；所述调节层的面积小于所述第一压电层的面积，且小于所述第二压电层的面积。
  • 声波谐振器滤波器
  • [实用新型]体声波谐振结构及声波器件-CN202223285822.8有效
  • 靳小冬;张大鹏;陈香玉 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-07-18 - H03H9/17
  • 本实用新型提供一种体声波谐振结构及声波器件，体声波谐振结构包括：衬底、压电层、空腔结构、下电极以及第一引线；压电层位于衬底上；空腔结构位于压电层和衬底之间；下电极位于空腔结构内靠近压电层的一侧；第一引线与下电极电连接，部分第一引线位于空腔结构内；本实用新型通过将下电极设置于空腔结构内，使得空腔结构靠近压电层的一侧为平面或近似平面，使得压电层可以减少一次爬坡，更多的压电层在水平方向上进行生长，减少了晶柱方向突变导致的位错与断裂，更能保证晶格生长更优；本实用新型还将部分第一引线设置于空腔结构内，避免对压电层造成影响。
  • 声波谐振结构器件
  • [实用新型]一种具有插入膜层的体声波谐振结构及滤波器-CN202223452037.7有效
  • 高智伟;林瑞钦 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-06-30 - H03H9/02
  • 本实用新型公开了一种具有插入膜层的体声波谐振结构，包括衬底，在衬底上依次设有下电极、压电层、上电极和修频层；所述的衬底与下电极之间设有反射结构；压电层的边缘与上电极之间设有低声阻抗材料的插入膜层，插入膜层与压电层的顶部齐平，使得位于谐振区的上电极上表面是平坦的；上电极与修频层堆叠且完全覆盖插入膜层。本实用新型位于谐振区处的上电极上表面平坦，能抑制侧向波，提升谐振器的Q值，同时在对修频层刻蚀时，整体均匀性比较好，上电极在爬坡处也不容易断裂，提升调频后的稳定性。
  • 一种具有插入声波谐振结构滤波器
  • [发明专利]体声波谐振器及其制造方法、射频器件-CN202310180475.2在审
  • 陈香玉;张大鹏 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-06-23 - H03H9/02
  • 本公开实施例提供了一种体声波谐振器及其制造方法、射频器件，所述体声波谐振器包括：依次层叠设置在衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层，所述反射结构、所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层沿垂直于所述衬底的方向上重叠区域构成有源区；环形框架，位于所述有源区且沿着所述有源区的边缘设置，所述环形框架包括与所述有源区接触的第一底面、与所述第一底面相对的第二底面、以及连接所述第一底面和所述第二底面的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面沿第一方向的距离为第一尺寸，所述第一尺寸沿着从所述第一底面指向所述第二底面的方向增大，所述第一方向为所述有源区的边缘指向中心的方向。
  • 声波谐振器及其制造方法射频器件
  • [实用新型]体声波谐振器-CN202223372586.3有效
  • 靳小冬;张大鹏;陈香玉 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-12 - 2023-05-30 - H03H9/17
  • 本公开实施例公开了一种体声波谐振器，包括：衬底；第一电极层，位于衬底上，第一电极层和衬底之间形成有空腔；其中，空腔的底部宽度大于或等于空腔的顶部宽度；连接结构，与第一电极层连接，包括：覆盖空腔的第一侧壁的第一连接层和覆盖衬底的第二连接层；第一增厚结构，位于衬底上，包括：至少覆盖空腔的第二侧壁的第一增厚层和覆盖衬底的第二增厚层；其中，第一增厚层与第二侧壁接触的第一侧面和衬底之间具有第一夹角，第一增厚层的第二侧面和衬底之间具有第二夹角，第二夹角小于第一夹角；第二侧面与第一侧面相对设置；第二侧壁与第一侧壁相对设置；压电层，覆盖第一电极层、连接结构和第一增厚结构。
  • 声波谐振器
  • [实用新型]体声波谐振器及滤波器-CN202223101703.2有效
  • 张大鹏;林瑞钦;段志 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-11-22 - 2023-05-16 - H03H9/17
  • 本公开实施例提供了一种体声波谐振器及滤波器，所述体声波谐振器包括依次层叠的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层，所述反射结构、所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的重叠区域为有源区，所述有源区包括沿指定方向交替排布的第一区域和第二区域，所述指定方向平行于所述有源区所在平面；第一调节层，位于所述第一区域；第二调节层，位于所述第二区域，其中，包括所述第一调节层的所述第一区域和包括所述第二调节层的所述第二区域的纵波谐振频率相同，所述第一调节层和所述第二调节层用于增大所述有源区的纵向振幅。
  • 声波谐振器滤波器
  • [发明专利]体声波滤波器及其制备方法、射频器件-CN202211387497.8在审
  • 林瑞钦 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-03-28 - H03H3/02
  • 本公开实施例提供了一种体声波滤波器及其制备方法、射频器件，所述制备方法包括：提供衬底；其中，所述衬底包括依次层叠的基底层、绝缘层和半导体层；刻蚀所述半导体层，以在所述衬底中形成凹槽；其中，所述凹槽显露出所述绝缘层；去除所述凹槽底部部分区域内的所述绝缘层显露出所述基底层，剩余的所述绝缘层形成第一牺牲层；在所述凹槽内形成覆盖所述第一牺牲层和部分所述基底层的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿所述衬底厚度方向依次层叠的第一电极层、压电层和第二电极层，所述堆叠结构的顶部低于所述半导体层的顶部；形成封闭所述凹槽开口的封装结构。
  • 声波滤波器及其制备方法射频器件
  • [发明专利]一种体声波谐振器-CN202211641954.1在审
  • 靳小冬;张大鹏;陈香玉 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-03-21 - H03H9/17
  • 本公开提供了一种体声波谐振器，包括：基板和依次设置在所述基板上的反射结构、下电极层、压电层和上电极层；所述下电极层和所述上电极层在所述基板上的投影包括重叠区域和非重叠区域；所述下电极层的所述非重叠区域中面积最大的区域构成所述下电极层的引线连接区域，所述上电极层的所述非重叠区域中面积最大的区域构成所述上电极层的引线连接区域。本公开提供的体声波谐振器有效避免了横向驻波和谐振区域以外的谐振的产生，减少了寄生谐振，具有较高的Q值。
  • 一种声波谐振器
  • [发明专利]一种声波器件及其制造方法-CN202211461439.5在审
  • 董雨轩;徐丰 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-11-21 - 2023-03-14 - H03H9/17
  • 本公开实施例提供一种声波器件及其制造方法。所述声波器件包括：衬底；依次位于所述衬底上的反射结构、第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极、所述压电层和所述第二电极沿垂直于所述衬底的方向上的重叠区域为谐振区域；所述谐振区域包括第一区域和至少一个第二区域，其中，在所述第一区域中所述第一电极、所述压电层和所述第二电极之间直接接触；在所述第二区域中所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中任意两者之间存在至少一个间隔结构；所述第一区域包围所述第二区域。
  • 一种声波器件及其制造方法
  • [发明专利]滤波单元、滤波器、双工器以及多工器-CN202211688291.9在审
  • 付静坤;陈香玉;段志 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-03-07 - H03H7/38
  • 本公开实施例公开了一种滤波单元、滤波器、双工器以及多工器，所述滤波单元包括：至少一个第一匹配单元，所述第一匹配单元的两端分别耦接至所述滤波单元的输入端和所述滤波单元的输出端；第一谐振单元，所述第一谐振单元的第一端耦接至所述滤波单元的输入端和所述第一匹配单元之间的耦接节点；第二谐振单元，所述第二谐振单元的第一端耦接至所述滤波单元的输出端和所述第一匹配单元之间的耦接节点；其中，所述第二谐振单元的第二端与所述第一谐振单元的第二端耦接且具有相同的电位。
  • 滤波单元滤波器双工器以及多工器
  • [发明专利]体声波谐振器及其制作方法-CN202211260246.3在审
  • 张大鹏;林瑞钦 - 武汉光钜微电子有限公司
  • 2022-10-14 - 2023-02-03 - H03H9/02
  • 本公开实施例公开了一种体声波谐振器及其制作方法，所述体声波谐振器包括：衬底；依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；框架结构，位于所述第二电极层上，且靠近有源区的边缘，包括：第一子框架结构和第二子框架结构；其中，所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分，所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分，所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。
  • 声波谐振器及其制作方法
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