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- [发明专利]晶片载放台-CN202310127913.9在审
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森冈育久;竹林央史;久野达也;井上靖也
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日本碍子株式会社
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2023-02-17
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2023-10-17
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H01J37/32
- 本发明提供一种晶片载放台，其在不会妨碍对象物的吸附的状态下提高等离子体的产生效率。晶片载放台(10)具备陶瓷板(20)和导电性基材(30)。陶瓷板(20)在具有晶片载放面(21a)的板中央部(21)的外周具备具有聚焦环载放面(25a)的板环状部(25)。导电性基材(30)设置于陶瓷板(20)的下表面，用作高频源电极。在板环状部(25)以自聚焦环载放面(25a)起算为相同高度植入有聚焦环吸附用电极(26)和被供给偏置用高频的聚焦环侧高频偏置电极(27)。
- 晶片载放台
- [发明专利]晶片载放台-CN202211703797.2在审
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井上靖也;久野达也;森冈育久
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日本碍子株式会社
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2022-12-29
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2023-10-17
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H01L21/683
- 本发明涉及晶片载放台，课题在于：改善晶片的均热性、并且防止气体中间通路内的放电。晶片载放台(10)具备：陶瓷板(20)，内置有电极(22)；导电性板(30)，设置于陶瓷板(20)的下表面侧；导电性接合层(40)，将陶瓷板(20)与导电性板(30)接合；气体中间通路(50)，设置于导电性接合层(40)与导电性板(30)的界面；多个气体供给通路(52)，它们从气体中间通路(50)贯通导电性接合层(40)及陶瓷板(20)而到达晶片载放面(21)；气体导入通路(54)，它们设置为在上下方向贯通导电性板(30)而与气体中间通路(50)连通，数量比与气体中间通路(50)连通的气体供给通路(52)的数量少。
- 晶片载放台
- [发明专利]静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环-CN201880067044.2有效
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久野达也;森冈育久;相川贤一郎
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日本碍子株式会社
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2018-10-31
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2023-09-19
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H01L21/683
- 静电卡盘组件(15)具备：陶瓷体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(22a)的外周部具有位置比晶片载置面(22a)低的F/R载置面(28a)；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与晶片载置面(22a)对置的位置；F/R吸附用电极(38)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与F/R载置面(28a)对置的位置；用于积存气体的凹凸区域(29)，其设置于F/R载置面(28a)的表面；聚焦环(50)，其载置于F/R载置面(28a)；以及一对弹性环状密封材料(60)，其处于聚焦环载置面(28a)与聚焦环(50)之间且以包围凹凸区域(29)的方式配置于F/R载置面(28a)的内周侧和外周侧。
- 静电卡盘组件聚焦
- [发明专利]晶片载放台-CN202210852241.3在审
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井上靖也;久野达也;森冈育久
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日本碍子株式会社
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2022-07-20
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2023-05-30
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H01J37/20
- 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极(26)；冷却基材(30)，其具有冷媒流路(32)；金属接合层(40)，其将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合；以及多个小突起(22c)，它们在晶片载放面(22a)的基准面(22d)以顶面支撑晶片(W)的下表面。小突起(22c)的顶面在同一平面上。在晶片载放面(22a)的俯视与冷媒流路(32)重复的流路重复范围(R10)内，俯视冷媒流路(32)时与晶片载放面(22a)重复的范围内的与最上游部(32U)对置的小区域(A1)中，小突起(22c)的面积率最低。
- 晶片载放台
- [发明专利]晶片载放台-CN202210788205.5在审
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井上靖也;久野达也;森冈育久
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日本碍子株式会社
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2022-07-06
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2023-05-12
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H01J37/20
- 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的截面积，最下游部(32L)的该截面积比最上游部(32U)的该截面积小。
- 晶片载放台
- [发明专利]晶片载放台-CN202210788357.5在审
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井上靖也;久野达也;森冈育久
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日本碍子株式会社
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2022-07-06
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2023-05-12
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H01J37/20
- 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。
- 晶片载放台
- [发明专利]静电卡盘及其制法-CN201880041614.0有效
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久野达也;森冈育久;片居木俊;相川贤一郎
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日本碍子株式会社
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2018-10-26
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2023-04-07
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H01L21/683
- 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊‑拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。
- 静电卡盘及其制法
- [发明专利]加热装置-CN200810215336.4有效
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森冈育久;鹤田英芳;相原靖文
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日本碍子株式会社
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2008-09-05
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2009-03-18
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H05B3/06
- 本发明涉及加热装置。提供能够在面内均匀地加热安装在加热面上的被加热物，并且可在较宽的温度范围内维持良好的均热性的加热装置。加热装置(10)具备：具有加热面(11a)、埋设有电阻发热体(12)的陶瓷基体(11)和接近该陶瓷基体(11)的背面(11b)安装固定的温度调节部件(21)。在该陶瓷基体(11)的加热面和电阻发热体(12)之间配置有具有导热率比陶瓷基体(11)的导热率更高的导热性部件(14)。在陶瓷基体(11)和温度调节部件(21)之间的间隙(31)压力可调地导入气体。
- 加热装置
- [发明专利]静电吸盘-CN200710089473.3无效
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森冈育久;相原靖文;鹤田英芳
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日本碍子株式会社
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2007-03-23
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2007-09-26
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H01L21/683
- 本发明提供一种静电吸盘，其能够以良好地特性同时得到晶片的热均匀性和绝缘部件的绝缘性。静电吸盘(1)具有在保持晶片(W)的保持面附近埋设了电极(12)的陶瓷基材(11)。在该陶瓷基材(11)的背面侧设有与电极(12)连接的端子(13)；晶片(W)的温度调节部件(14)；该端子(13)以及温度调节部件(14)的绝缘部件(15)。该绝缘部件(15)在与陶瓷基材(11)相接的端部具有凸缘部(15a)，由高导热性陶瓷构成。
- 静电吸盘
- [发明专利]静电吸盘-CN200610169238.2有效
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森冈育久;鹤田英芳;川尻哲也;鸟越猛
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日本碍子株式会社
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2006-12-21
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2007-06-27
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H01L21/683
- 本发明是利用库仑力的静电吸盘，其提供在维持吸附力的状态下，减少附着在基板上的颗粒的静电吸盘。静电吸盘(10)具备：基体(11)；形成于该基体(11)上并产生库仑力的电极(12)；在对基板(1)进行支撑的一侧的第1主面上具有以突起上面支撑该基板(1)的多个突起(13a)的电介质层(13)，突起(13a)之间的间隔大致均等地设置，突起上面的表面粗糙度(Ra)在0.5μm以下，突起(13a)的高度为5～20μm，使第1主面每单位面积100cm2的所述突起(13a)的数目为A(个/100cm2)，所述突起(13a)的高度为B(μm)时，满足数式A1/2×B2＞200的关系。
- 静电吸盘
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