专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分割溅射靶及其制造方法-CN201911394975.6有效
  • 梶山纯 - JX金属株式会社
  • 2019-12-30 - 2022-10-14 - C23C14/34
  • 本发明提供一种在背板上接合多个溅射靶部件而成的分割溅射靶,该分割溅射靶对各个溅射靶部件的厚度进行了控制。一种分割溅射靶,具备:隔着间隙地排列在背板上的多个平板状溅射靶部件;接合材料,其配置在背板与各个溅射靶部件之间;遮蔽材料,其配置在邻接的溅射靶部件之间的所述间隙中;多个线状垫隔件,配置在背板与各个溅射靶部件之间的不会与遮蔽材料重叠的位置,用于调节接合材料的厚度。
  • 分割溅射及其制造方法
  • [发明专利]烧结体、溅射靶及其制造方法-CN201710734442.2有效
  • 挂野崇;梶山纯 - JX金属株式会社
  • 2017-08-24 - 2020-12-18 - C23C14/08
  • 本发明提供一种烧结体、溅射靶及其制造方法,所述烧结体能够在IZO靶中有效抑制烧结体表面和内部的体积电阻率的偏差。本发明的烧结体是包含In、Zn、O的氧化物的所述烧结体,从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率,即(Rs‑Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20%以下。
  • 烧结溅射及其制造方法
  • [发明专利]溅射靶及其制造方法-CN201680004228.5有效
  • 长田幸三;梶山纯 - JX金属株式会社
  • 2016-02-10 - 2019-11-15 - C23C14/34
  • 本发明的目的在于减少制造过程中电弧的发生,提高制造工艺的成品率。溅射靶的特征在于:具有多个靶部件,所述多个靶部件由陶瓷构成,经由熔点在300℃以下的低熔点金属构成的接合材料接合于由金属构成的基材;所述基材的与所述接合材料接触的面的表面粗糙度Ra为1.8μm以上;所述多个靶部件为中空的圆筒形状,并具有在以包围所述基材的外周面的形式接合于所述基材时,各个相邻的靶部件隔开规定的间隔而对置的圆形面;所述圆形面的表面粗糙度Ra为2.0μm以上且8.0μm以下。
  • 溅射及其制造方法

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