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[发明专利]抛光头及使用其的晶片抛光装置及抛光方法-CN201980033238.5在审
发明人：中野裕生;杉森胜久;小佐佐和明;梶原治郎;山本胜利;木原誉之;寺川良也 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题在于抑制晶片外周部的抛光压力的起伏而实现高平坦化。其解决方案为，本发明的晶片抛光装置的抛光头(10)具备能够独立地控制用于按压晶片(W)的中心部的中心部控制压力(Pc)与用于按压晶片(W)的外周部的外周部控制压力(Pe)的膜头(16)、与该膜头(16)连为一体以构成膜头(16)的外周部的外环(17)及设置在膜头(16)的外侧的接地型保持器圈(14)，膜头(16)具有控制中心部控制压力(Pc)的单室结构的中心部压力室(R1)及设置在中心部压力室(R1)的上方且控制外周部控制压力(Pe)的外周部压力室(R2)，外环(17)的下端的位置至少到达中心部压力室(R1)的内侧底面(S1)的位置，外环(17)的上端的位置至少到达中心部压力室(R1)的内侧上表面(S2)的位置。
抛光使用晶片装置方法

[发明专利]结晶材料的真空储存方法及装置-CN201180072961.8在审
发明人：堀冈佑吉;梶原治郎;真田浩嗣 -专利权人：三菱综合材料技术株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于单晶硅生长的过程中的炉内碳零件的劣化的防止、生长结晶中的碳浓度降低、以及单晶的多晶化比例的改善。再者，系为解决炉开放时，水分会吸附于炉内零件、烧结金属材料、或半导体结晶原料所致的炉的随时间变化或结晶的差排等问题。本发明的技术手段系包含真空抽取步骤，将填充有烧结金属的原料的模板，或是填充有砷化镓结晶以及用以进行半导体结晶生长的原料的坩埚的开口，以设有供应管及真空排气管的盖子予以闭合，该半导体结晶生长系为单晶硅或多晶硅的半导体结晶生长，且藉由该真空排气管将该模板或该坩埚的内部真空抽取成为10^-4托尔以下的高真空状态；以及升温干燥步骤，藉由该供应管将50℃以上且200℃以下的高温惰性气体填充于该模板或该坩埚的内部，使该原料升温并干燥，其中该原料系储存于为该盖子所覆盖的状态的该模板或该坩埚的内部。
结晶材料真空储存方法装置

[发明专利]化学机械抛光头、设备和方法以及平面化半导体晶片-CN200910145946.6有效
发明人： 梶原治郎;格拉尔德·S·莫洛尼;王惠明;戴维·A·汉森 -专利权人：多平面技术公司
申请日： 2001-08-30 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光头、设备和方法以及平面化半导体晶片。化学机械抛光头和方法具有整体浆液分配机构、旋转的固定环和带柔软背衬的抛光头。在一实施例中，该设备包括具有附着在下衬底保持表面上的柔性部件的副载体。柔性部件中具有孔，以使得在柔性部件和副载体之间引入的加压流体直接将衬底压在抛光表面上。副载体具有用来在位于下表面和柔性部件之间的凹穴上抽真空的开口。本发明还涉及一种柔性部件，其由不与衬底反应且不与抛光工艺中使用的化学物质反应的聚合物材料制成，并具有用于保持衬底的背面的接纳表面，其中该柔性部件具有孔，所述孔与真空源连通，并且为了检测出所述接纳表面上存在衬底而具有充分的尺寸。
化学机械抛光设备方法以及平面化半导体晶片

[发明专利]化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片-CN01818062.0无效
发明人： 梶原治郎;格拉尔德·S·莫洛尼;王惠明;戴维·A·汉森 -专利权人：多平面技术公司
申请日： 2001-08-30 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：化学机械抛光/平面化(CMP)设备、方法和由此生产出的衬底。抛光表面中具有不均匀的凹槽。CMP头和方法具有整体浆液分配机构。CMP设备和方法具有旋转的固定环。CMP设备和方法具有带柔软背衬的抛光头。CMP能够在抛光和平面化过程中有效使用浆液。由CMP设备或方法生产的衬底(半导体晶片)。在一个实施例中，该设备(100)包括具有附着在下衬底保持表面(165)上的柔性部件(185)的副载体(160)。柔性部件(185)中具有孔(195)，从而在柔性部件和副载体(160)之间引入的加压流体直接将衬底(105)压在抛光表面(125)上。这些孔(195)的数目和尺寸被选择为能够在柔性部件(185)和衬底(105)之间提供充分的摩擦，以在驱动机构使副载体(160)转动时产生转动。副载体(160)具有用来在位于下表面(165)和柔性部件(185)之间的凹穴(215)上抽真空的开口。柔性部件和衬底(105)用作阀(225)，以在已经实现预定真空时使开口与空腔隔离。
化学机械抛光 cmp 设备方法以及由此制造平面化半导体晶片

[发明专利]具有独立限位环和多区域压力控制结构的气动隔膜式抛光头及其使用方法-CN200410088199.4无效
发明人： 梶原治郎;格拉尔德·S·莫洛尼;王惠明;戴维·A·汉森;亚历松德多·雷耶斯 -专利权人：多平面技术公司
申请日： 2001-05-11 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供了一种基片平面化装置和方法。所述装置(101)包括支架(202)，其具有用于将基片(230)容纳于其上的板(212)、用于沿预定方向压迫板的第一腔(238)、连接着板(212)的外边缘的垫片(260)、通过垫片(260)连接着板并且与板之间相隔着垫片厚度的膜片(250)、形成在膜片与板之间用于沿另一预定方向压迫板的第二腔(251)。所述方法包括利用第一压力抵靠着抛光垫(226)按压基片(244)的外周边缘，利用第二压力抵靠着抛光垫(226)按压基片(244)的内侧部分。
具有独立限位区域压力控制结构气动隔膜抛光及其使用方法