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[发明专利]低温外延层形成方法-CN201780068005.X有效
发明人：柳斗烈;申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;金羲植;金檼浩;朴成真 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，低温外延层形成方法包括：将基板传送到外延腔的步骤；及在所述基板上实施外延工序以在所述基板上形成外延层的步骤。所述外延工序包括：在将所述基板加热到700℃以下、且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第一外延层的步骤；停止注入所述硅气体，并向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第一次净化的步骤；在将所述基板加热到700℃以下且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第二外延层的步骤；及停止注入所述硅气体，并向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第二次净化的步骤。
低温外延形成方法

[发明专利]衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法-CN201680061926.9有效
发明人： 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法，所述衬底处理装置包括：套管组合件，其具有内部空间，所述内部空间用于处理形成于其中的衬底，所述衬底是通过层压多个层压板组装；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述套管组合件的所述内部空间中；气体供应单元，其安装在所述套管组合件的一侧，以用于将处理气体供应到所述内部空间中的所述多个衬底中的每一个；以及排气单元，其连接到所述套管组合件以排出供应到所述内部空间的所述处理气体。本发明可以通过诱导层流而将均一量的所述处理气体提供到所述衬底的上表面。
衬底处理装置用于组装套管组合方法

[发明专利]衬底处理装置-CN201680061569.6有效
发明人： 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明包含：限定内部空间的套管组合件，在所述内部空间中处理衬底且堆叠及组装各自具有喷射部分及排气口的多个堆叠主体；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述内部空间中；供应管线，其连接到所述多个堆叠主体中的任一个的所述喷射部分以便供应处理气体；以及排气管线，其连接到所述多个排气口的任一个以便排放所述处理气体。本发明诱导所述处理气体的层流并可均一地供应所述处理气体到所述衬底的上表面。
衬底处理装置

[发明专利]薄膜形成方法-CN201980058805.2在审
发明人：金真雄;申承祐;柳次英;郑愚德;柳斗烈;赵星吉;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度。
薄膜形成方法

[发明专利]非晶薄膜形成方法-CN202010704396.3在审
发明人：申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序。
薄膜形成方法

[发明专利]非晶薄膜形成方法-CN201680023468.X有效
发明人：申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序。
薄膜形成方法

[发明专利]感应耦合型等离子体天线及等离子体处理装置-CN201880062328.2在审
发明人：赵政熙;崔伦硕;谢尔盖.扎雷茨基;柳次英 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置包括：感应腔体，用于向内部导入源气体以产生等离子体；处理腔，放置利用感应腔体产生的等离子体进行处理的被处理基板；ICP天线，位于感应腔体外部，形成感应磁场，以便由导入到感应腔体内部的源气体产生等离子体；及高频振荡器，向ICP天线施加射频功率；ICP天线包括具有相同的长度及半径方向中心的多个螺旋形天线，各天线具有连接高频振荡器的输入端及作为与输入端相对的端子连接接地的输出端，在各螺旋形天线的输出端安装平衡电容器，以便在各天线的长度方向中心形成虚拟接地；在多个螺旋形天线中，输入端及输出端相对于半径方向中心以相同角度配置，长度方向中心配置在多个螺旋形天线的输出端之间。
感应耦合等离子体天线处理装置

[发明专利]衬底处理装置-CN201610915856.0有效
发明人： 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;具滋大;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底处理装置，且更具体而言，涉及一种能够改善衬底的整个表面上的工艺均匀性的衬底处理装置。所述衬底处理装置包括：衬底舟，衬底装载在所述衬底舟中；反应管，在所述反应管中对装载于所述衬底舟中的所述衬底执行处理工艺；气体供应单元，用以经由安置于所述反应管的一侧上的喷射喷嘴将工艺气体供应至所述反应管中；加热单元，包括多个垂直加热部件，所述多个垂直加热部件在所述反应管外部沿所述反应管的圆周安置且用以将所述反应管的圆周划分成多个部分，以对所述反应管的所划分的多个部分中的每一个进行独立加热；以及控制单元，用以控制所述加热单元。
衬底处理装置

[发明专利]形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法-CN201210132762.8有效
发明人：郑淑真;李钟喆;金润洙;柳次英;姜相列 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
形成氧化物方法半导体器件制法

[发明专利]形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器-CN201010537446.X无效
发明人：崔在亨;郑正喜;金晟泰;柳次英;金基哲;吴世勋;崔正植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器。本发明的一种方法在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
形成电容器及其介质方法

[发明专利]形成金属－绝缘体－金属电容器的方法及其形成的电容器-CN200510078339.4有效
发明人：崔在亨;郑正喜;金晟泰;柳次英;金基哲;吴世勋;崔正植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
形成金属绝缘体电容器方法及其

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