“柳建杰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]显示面板、制备显示面板的方法及显示装置-CN202310092731.2在审
发明人：张振华;袁长龙;王登宇;沈武林;曹席磊;吴桐;胡宇宙;柳建杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种显示面板、制备显示面板的方法及显示装置。该显示面板包括：基板；多个第一电极，第一电极位于基板的一侧；像素定义层，位于基板的形成有第一电极的一侧，像素定义层设置有多个第一开口，第一电极通过对应的第一开口暴露；发光功能层，位于第一电极和像素定义层的背离基板的一侧，发光功能层设置有第一镂空部；第二电极层，位于发光功能层的背离基板的一侧，第二电极层设置有第二镂空部，第一镂空部在基板上的正投影位于第二镂空部在基板上的正投影内，第二镂空部边沿的翘曲度不大于2度。该显示面板可以在实现屏下摄像功能的同时，具有较好的信赖性。
显示面板制备方法显示装置

[发明专利]一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法-CN202310002179.3在审
发明人：张振华;袁长龙;朱莉;冯靖伊;吴桐;柳建杰;胡宇宙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法，其中一实施例的显示基板包括：屏下摄像区和至少部分围绕屏下摄像区的显示区，屏下摄像区包括：衬底；设置在衬底上的阵列排布的多个子像素以及位于所述多个子像素之间的透光区，所述多个子像素中的至少一个子像素包括发光元件，所述发光元件包括依次远离所述衬底的第一电极、有机发光层和第二电极；位于所述第二电极之间的透光膜，所述透光膜在衬底上的正投影与所述透光区在衬底上的正投影至少部分交叠，透光膜的透光率大于第二电极的透光率。本发明提供的实施例通过设置在第二电极之间且与透光区对应的透光膜，能够降低因第二电极反射导致的显示不良，有效提高显示基板的显示效果。
一种电致发光二极管显示显示装置制作方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202180000730.X在审
发明人：高文辉;张锴;宋二龙;柳建杰;张彩峰;杨雪娇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：一种显示面板及显示装置；显示面板包括衬底基板(1)、绝缘层组(14)以及多个绑定引脚(12)：衬底基板(1)具有显示区和(A)位于显示区(A)至少一侧的绑定区(B)；绝缘层组(14)设于衬底基板的一侧，绝缘层组(14)具有第一凹陷部(61)，第一凹陷部(61)位于绑定区(B)；多个绑定引脚(12)设于绑定区(B)，绑定引脚(12)包括：第一绑定电极(93)设于绝缘层组(14)的远离衬底基板(1)的一侧，第一绑定电极(93)具有第二凹陷部(94)，第二凹陷部(94)在衬底基板(1)上的正投影位于第一凹陷部(61)在衬底基板(1)上的正投影内，第一绑定电极(93)至少包括第一导体层(931)和第二导体层(932)，第一导体层(931)位于第二导体层(932)的远离衬底基板(1)的一侧，第一导体层(931)的金属活动性低于第二导体层(932)；填充部(101)设于第二凹陷部(94)的远离衬底基板(1)的一侧，填充部(101)至少部分位于第二凹陷部(94)内。
显示面板显示装置

[发明专利]掩膜版、显示面板和显示设备-CN202011174883.X在审
发明人：高文辉;张锴;宋二龙;王领然;柳建杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩膜版、显示面板和显示设备。该掩膜版包括：掩膜版包括：透明基板；不透光膜层，该不透光膜层设置于透明基板上，不透光膜层中设置有多个第一透光区域和多个第二透光区域，第一透光区域中的第一子区域和第二透光区域为全透光区域，第一透光区域中的剩余区域为非全透光区域。该掩膜版被用于曝光形成显示面板的平坦层中的过孔，使设置于该过孔中的金属电极层与显示面板的源漏极层之间的夹角较小且多样化，降低了金属电极层的可视度，解决了显示面板黑态时，强光下发灰的现象。
掩膜版显示面板设备

[发明专利]一种具有应变减少结构的InGaN量子点LED外延结构-CN201810556651.7在审
发明人：贾志刚;柳建杰;董海亮;梁建;马淑芳;许并社 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有应变减少结构的InGaN量子点LED外延结构，包括由下而上依次设置的：蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一InGaN应变减少层、InGaN量子点有源区、电子阻挡层和P‑GaN层，所述第一InGaN应变减少层为In组分低于10%的InGaN单层或InGaN/GaN超晶格。通过在InGaN量子点LED外延结构中引入InGaNInGaN应变减少层，本发明带来如下有益效果：(1)削弱了量子限制斯塔克效应；(2)降低了InGaN量子点有源区的缺陷密度；(3)弥补了量子点态密度不足的缺陷。
量子点量子点有源区蓝宝石衬底层电子阻挡层量子限制依次设置超晶格形核层单层削弱引入

[发明专利]微米阵列LED制备方法-CN201610984382.5有效
发明人：许并社;韩丹;马淑芳;刘培植;贾伟;王美玲;柳建杰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微米阵列LED制备方法，包括：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2：将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3：利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先利用小束流离子束观察芯片，选取芯片的刻蚀区域。步骤5：将离子束束流切换到大束流观察芯片，在所选取的芯片刻蚀区域绘制周期性实心方格阵列，利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀。步骤6：离子束刻蚀所选区域完毕后，可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀。步骤7：在整个芯片刻蚀完毕后，关闭离子束源，取出芯片。步骤8：对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤，完成制备。
微米阵列 led 制备方法