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[发明专利]半导体器件-CN202010500249.4在审
发明人：崔恩憓;姜承模;金正泽;梁炆承;柳宗烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：绝缘层，位于基底上；沟道半导体图案，堆叠在绝缘层上并且彼此竖直地间隔开；栅电极，与沟道半导体图案交叉；源/漏区，分别处于栅电极的两侧处并且通过沟道半导体图案彼此连接，源/漏区具有凹入的底表面；以及气隙，位于绝缘层与源/漏区的底表面之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010096134.3在审
发明人：姜承模;梁炆承;柳宗烈;李始炯;张星旭;崔恩憓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910823044.7在审
发明人：张星旭;郑秀真;赵真英;柳廷昊;李承勋;柳宗烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一有源鳍，其从衬底突出；第一栅极图案，其覆盖第一有源鳍的侧表面和顶表面；以及第一源极/漏极图案，其位于第一栅极图案的相对侧，第一源极/漏极图案中的每一个包括彼此间隔开的第一下侧和第二下侧、从第一下侧延伸的第一上侧、从第二下侧延伸的第二上侧。第一下侧可以相对于衬底的顶表面以第一角度倾斜，第二上侧可以相对于衬底的顶表面以第二角度倾斜，并且第一角度可以大于第二角度。
半导体器件

[发明专利]包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法-CN201910068503.5在审
发明人：郑秀珍;柳廷昊;柳宗烈;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第一外延层、以及在第一外延层上的第二外延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二区域宽。
凹陷区域半导体器件高浓度掺杂栅极结构外延层源图案源极/漏极区域侧壁接触第二区域第一区域鳍型场效应晶体管上表面栅电极衬底制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811324293.3在审
发明人：张星旭;金锡勋;李承勋;许洋;柳廷昊;柳宗烈;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。
隔离层杂质区衬底半导体器件相反侧加热栅极绝缘层掺杂剂上表面栅电极横越转换暴露延伸制造

[发明专利]凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法-CN200910253069.4有效
发明人：柳正道;金东赞;郑圣勋;崔时荣;申裕均;朴泰绪;柳宗烈;姜宗勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。
凹形沟道阵列晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括高K－介质材料的半导体器件及其形成方法-CN200510104111.8无效
发明人：尹宣弼;李彰原;孙雄喜;崔吉铉;柳宗烈;林东灿;朴在花;李柄学;朴嬉淑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种半导体器件包括，半导体衬底上的第一导电层，第一导电层上的包括高K－介质材料的介质层，介质层上的包括掺有P型杂质的多晶硅的第二导电层，以及第二导电层上的包括金属的第三导电层。在某些器件中，在主单元区中形成第一栅极结构，第一栅极结构包括隧道氧化物层、浮栅、第一高K－介质层和控制栅。控制栅包括掺有P型杂质的多晶硅层和金属层。在主单元区外面形成第二栅极结构，第二栅极结构包括隧道氧化物层、导电层和金属层。在外围单元区中形成第三栅极结构，第三栅极结构包括隧道氧化物、导电层和具有比导电层更窄宽度的高K－介质层。也公开了方法实施例。
包括介质材料半导体器件及其形成方法