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[发明专利]掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备-CN202310387421.3有效
发明人：何祥;雷健;崔嘉豪;柯汉奇;张成忠 -专利权人：深圳市龙图光罩股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备，该装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。本申请提高了掩模版表面黑缺陷的修补能力。
模版缺陷处理装置方法以及终端设备

[发明专利]半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法-CN202210336511.5有效
发明人：谢超;柯汉奇;黄执祥;张道谷 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B65G43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法，其中，半导体芯片用掩模版传送装置用于自光刻机内取出曝光后的掩模版，并送至后处理设备；包括主体、检测机构以及传送机构；主体活动设置，内设有恒温腔；检测机构包括感应器，用以检测主体的位置信息；传送机构包括控制器以及传送手臂，传送手臂活动设于恒温腔，具有取版状态和放版状态，控制器与感应器以及传送手臂电连接；其中，处于取版状态时，传送手臂用以自光刻机内拾取掩模版，并移送至恒温腔内；处于放版状态时，传送手臂用以将恒温腔内的掩模版移送至后处理设备内；通过该传送装置传送曝光后的掩模版，保证掩模版在移送过程中的清洁度，提高掩模版的质量；同时减少人力成本。
半导体芯片模版传送装置及其方法

[发明专利]半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质-CN202210340217.1有效
发明人：侯广杰;柯汉奇;叶小龙;王栋 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片掩模版光刻胶烘烤设备、半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质，半导体芯片掩模版光刻胶烘烤设备包括温度分析模块以及加热模块，加热模块包括加热板，用于对放置于加热板表面的掩模版执行烘烤操作，加热板包括温度控制阵列；温度分析模块用于根据在掩模版的PSM基板上形成的掩模图形确定PSM基板中的各个子区域的烘烤温度；温度控制阵列包括多个温度调节单元，温度调节单元与温度分析模块连接，用于将各个子区域的温度调节至对应的烘烤温度。通过将掩模图形各个栅格的图形分布密度进行比例换算成各个子区域的烘烤温度，为PSM基板的不同区域提供精准的烘烤温度，从而提高了掩模版的图像尺寸均匀性。
半导体芯片相移模版光刻烘烤方法存储介质

[发明专利]半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方法及检测装置-CN202210340199.7有效
发明人：黄执祥;柯汉奇;王栋;孙世强 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方法及检测装置，方法包括将贴膜后的掩模版放置于载物平台，并接收图像采集单元发送的掩模版的图像，其中，所述掩模版的图像为掩模版贴膜后的图像；根据所述掩模版的图像确定掩模版与保护膜之间的在水平方向上的距离偏移量和角度偏移量；根据所述距离偏移量和所述角度偏移量确定掩模版贴膜精度。通过采集掩模版的图像，并根据掩模版的图像直接确定固定在放置于掩模版上方的膜框的保护膜与所述掩模版的距离偏移量以及角度偏移量，根据所述距离偏移量以及所述角度偏移量即可快速确定掩模版贴膜精度，而无需在掩模版上添加标记后人工判断贴膜精度，提高了贴膜精度的检测效率以及精确性。
半导体芯片模版精度检测方法装置

[发明专利]半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备-CN202210353462.6有效
发明人：王栋;柯汉奇;谢超;白永智 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备，该方法用于控制探针对掩模版与保护膜之间的待清理异物进行清理，所述探针包括探针头以及筒状异物回收针体，所述筒状异物回收针体的内部包括分节设置的预设长度的角度弯折关节，各个角度弯折关节之间包括对应的关节部；所述半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法的步骤包括：获取所述待清理异物的目标位置；控制所述探针移动至所述目标位置，并控制所述探针对所述待清理异物进行清理。解决了采用激光照射异物的方式而导致的二次污染以及损伤掩模版风险，以及移除原膜对异物进行清理的方式导致时间以及材料成本的浪费的问题。
半导体芯片模版异物清理方法设备

[发明专利]一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺-CN201510823969.3在审
发明人： 柯汉奇;张鹏;许国华;陈静 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺，涉及电子级多晶硅生产领域。经过精馏提纯的液相三氯氢硅首先进入汽化器，经过加热后汽化，汽化后的三氯氢硅温度为40～110℃；气相三氯氢硅进入固定床对硼和磷元素杂质进行吸附，得到高纯三氯氢硅。本发明实现了三氯氢硅通过吸附过程去除硼、磷元素杂质的工艺方法，大幅降低了三氯氢硅中的含硼和磷元素杂质的含量，提升了三氯氢硅的品质，突破了国外的技术垄断，可为未来实现稳产电子级多晶硅奠定基础。该工艺流程简单，操作简便，能耗较低，除杂效果明显。
一种三氯氢硅中 ppb 元素杂质吸附杂工