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[发明专利]用于去除蚀刻后残留物的组合物、其用途和方法-CN202180057767.6在审
发明人： A·克里普;张家伟;游孟儒;柯志正;陈政顺 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在含硅层和含氧化硅的介电层存在下去除蚀刻后残留物的组合物，所述组合物包含：(a)0.005至0.3重量％HF；(b)0.01至1重量％的式NRE4F的氟化铵，其中RE是H或C1至C4烷基；(c)5至30重量％的选自亚砜和砜的有机溶剂；(d)70重量％或更多的水，和(e)任选地，0.01至1重量％的选自氨和C4至C20季铵化脂族铵的铵化合物。
用于去除蚀刻残留物组合用途方法

[发明专利]在低k材料、铜、钴和/或钨层存在下选择性蚀刻硬掩模和/或蚀刻终止层的组合物和方法-CN202080033205.3在审
发明人： J·T·V·霍格博姆;A·克里普;柯志正;王哲伟;C·C·汀 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C11D3/60 文献下载
摘要：描述了清洁组合物与一种或多种氧化剂组合的用途，用于从半导体衬底表面除去蚀刻后或灰化后的残余物和/或用于氧化性蚀刻或部分氧化性蚀刻包含选自TiN、Ta、TaN、Al和HfOx的材料或由其组成的层或掩模和/或包含选自碳化钨(WCx)和氮化钨(WNx)的材料或由其组成的层或掩模，和/或用于从半导体衬底表面除去包含铝化合物的层。进一步描述了所述清洁组合物和所述清洁组合物用于从半导体衬底表面除去蚀刻后或灰化后的残余物的用途。在另一方面，描述了一种包含所述清洁组合物和一种或多种氧化剂的湿蚀刻组合物以及所述湿蚀刻组合物的用途。还描述了由半导体衬底制造半导体器件的方法和包含所述清洁组合物和一种或多种氧化剂的成套包装。
材料钨层存在下选择性蚀刻硬掩模终止组合方法

[发明专利]用于去除灰化后残留物和/或用于氧化蚀刻含TiN层料或掩模的含咪唑烷硫酮组合物-CN201980023056.X在审
发明人： J·T·V·霍格博姆;A·克里普;柯志正;郑怡萍 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的清洁组合物和所述清洁组合物的相应用途。进一步描述了所述清洁组合物与一种或多种氧化剂结合例如用于优选在钨材料存在下氧化蚀刻或部分氧化蚀刻半导体衬底表面上的包含TiN或由TiN组成的层料或掩模和/或用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的用途。此外，描述了包含本发明的清洁组合物和一种或多种氧化剂的湿蚀刻组合物、所述湿蚀刻组合物用于优选在钨材料存在下氧化蚀刻或部分氧化蚀刻半导体衬底表面上的包含TiN或由TiN组成的层料或掩模和/或用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的用途、使用所述湿蚀刻组合物由半导体衬底制造半导体器件的方法和包含本发明的清洁组合物和一种或多种氧化剂的套装。还描述了咪唑烷硫酮在用于蚀刻或部分蚀刻半导体衬底表面上的层料或掩模和/或用于清洁半导体衬底的组合物中的用途。
用于去除灰化残留物氧化蚀刻 tin 咪唑烷硫酮组合

[发明专利]用于在低-K材料、铜和/或钴的层的存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及方法-CN201880079174.8在审
发明人： J·T·V·霍格博姆;柯志正;王哲伟;A·克里普;郑怡萍 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明描述一种用于在低‑k材料层和/或包含铜和/或钴的层存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及该组合物的对应用途。进一步描述一种用于制造半导体装置的方法，其包括在低‑k材料层和/或包含铜和/或钴的层存在下通过使至少一个包含铝化合物的层与所述组合物接触而选择性蚀刻该至少一个包含铝化合物的层的步骤。
用于材料在下选择性蚀刻包含化合物组合方法

[发明专利]用于从半导体基板及对应方法中移除蚀刻后或灰化后残余物的清洁组合物-CN201880079173.3在审
发明人： 柯志正;A·克里普;郑怡萍;J·T·V·霍格博姆 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C11D3/00 文献下载
摘要：本发明描述一种用于自用于半导体行业中的基板移除蚀刻后或灰化后残余物的清洁组合物及该清洁组合物的对应用途。本发明进一步描述一种用于自半导体基板制造半导体装置的方法，其包括通过使基板与根据本发明的清洁组合物接触而自该基板移除蚀刻后或灰化后残余物的步骤。
用于半导体对应方法蚀刻灰化残余物清洁组合

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