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[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法-CN202110181071.6有效
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种谐振器和谐振器的制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述衬底上；电极，该电极形成在所述压电层上；以及氧化层，该氧化层形成在所述电极上并且覆盖所述电极。
谐振器制造方法

[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法-CN202110181106.6有效
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种谐振器及其制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；压电层，该压电层形成在所述衬底上；电极，该电极形成在所述压电层上；氧化层，该氧化层形成在所述电极上并且覆盖所述电极；以及频率调整层，该频率调整层形成在氧化层上。
谐振器制造方法

[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法-CN202110394295.5有效
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种谐振器和谐振器的制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；反射层，该反射层形成在衬底上，并且包括一个或多个彼此堆叠形成的声速层组，该声速层组包括第一声速层以及形成在第一声速层上并且具有比所述第一声速层具有的声速要小的声速的第二声速层；以及压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在反射层上。
谐振器制造方法

[发明专利]基于声表面波器件多频段相位信息的距离测量装置及方法-CN201811208947.6有效
发明人：李红浪;卢孜筱;柯亚兵;李鹏旭 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01S7/539 文献下载
摘要：本发明公开了基于声表面波器件多频段相位信息的距离测量装置及方法，用于测量读取器和传感器探头的距离，所述传感器探头包含三个声表面波器件：SAW‑RFID芯片A、SAW‑RFID芯片B和声表面波谐振器；所述SAW‑RFID芯片A的工作频段为2.4GHz至2.44GHz，中心频率为2.42GHz；所述SAW‑RFID芯片B的工作频段为2.44GHz至2.48GHz，中心频率为2.46GHz；所述声表面波谐振器的工作频段为420MHz至440MHz，中心频率为433MHz；所述读取器具有获取3个不同中心频率器件的相位信息获取方式。所述方法包括：利用组成传感器探头的三个声表面波器件的中心工作频率不重合的特性，综合了三个不同频段的声表面波传感器件的相位信息，采用二次相差法处理相位信息，由此测量读取器和传感器探头的距离。本发明的方法能够实现高精度距离测量。
基于表面波器件频段相位信息距离测量装置方法

[发明专利]具有双层同向叉指换能器结构的高性能谐振器-CN202010952952.9有效
发明人：李红浪;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明所涉及的具有双层同向叉指换能器结构的高性能谐振器包括高声速介质衬底层、低声速介质层、压电基片层、第一金属电极组、第二金属电极组、第三金属电极组和第四金属电极组，第一金属电极组与第二金属电极组、以及第三金属电极组与第四金属电极组分别形成叉指结构，且分别形成在压电基片层的上下表面。各个电极组通过用汇流条分别连接多个电极而形成。第一金属电极组和第三金属电极组隔着压电基片层在层叠方向上彼此相对，且极性相同，第二金属电极组和第四金属电极组隔着压电基片层在层叠方向上彼此相对，且极性相同，第一金属电极组和第三金属电极组的极性与第二金属电极组和第四金属电极组的极性相反。
具有双层同向叉指换能器结构性能谐振器

[发明专利]AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器-CN202010954072.5有效
发明人：李红浪;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种AlN单晶薄膜的生长方法，在硅酸镓镧类单晶上生长AlN单晶薄膜，所述硅酸镓镧类单晶的取向相对于AlN单晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范围内。该方法显著提高沉积的AlN单晶薄膜的质量，提高单晶衍射峰的半高宽和薄膜的均匀一致性，有利于提高器件的性能。
aln 薄膜生长方法具有表面波谐振器

[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法-CN202110392528.8在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种谐振器和谐振器的制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述衬底上；以及电极，该电极形成在所述压电层上，其中，所述PMNT材料包括(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3材料，并且其中x是在从0.33到0.35之间的范围中的值。
谐振器制造方法

[发明专利]一种双层POI结构声表面波谐振器及制造方法-CN202011567443.0在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层POI结构声表面波谐振器及制造方法。该谐振器包括：衬底、衬底之上的底部POI结构、底部POI结构之上的电极、电极之上的顶部POI结构。其中底部POI结构包括：底部高声速层、底部氧化层、及压电薄膜；顶部POI结构包括：顶部氧化层及顶部高声速层。本发明的谐振器制造方法包括，衬底上依次沉积底部高声速层和底部氧化层后与采用smart cut方法获得的LiTaO3压电薄膜的一面进行低温键合，并在压电薄膜的另一面沉积电极后，在电极上依次沉积顶部氧化层和顶部高声速层。本发明的声表面波谐振器综合性能有很大提高。
一种双层 poi 结构表面波谐振器制造方法

[发明专利]一种基于POI结构的高性能声表面波谐振器及制造方法-CN202011508066.3在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵;李阳 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于POI结构的高性能声表面波谐振器及制造方法。该声表面波谐振器，包括：由高声速材料的衬底层和形成在所述衬底层上的低声速材料层构成的至少一层布拉格反射层，所述衬底层厚度5λ，所述低声速材料为欧拉角(90°,90°,0°)厚度为0.1λ的LGS；形成在所述低声速材料层之上的单晶36°YX LiTaO3的厚度为0.5λ的压电层；以及设在所述压电层上的电极，电极占空比为0.5－0.6，其中，λ是所述电极激发的声波波长。本发明的声表面波谐振器高频低插损高FOM值且无杂散，TCF值接近零。
一种基于 poi 结构性能表面波谐振器制造方法

[发明专利]一种高频大宽带低插损高性能声表面波谐振器及制造方法-CN202011508307.4在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H03H3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频大宽带低插损高性能声表面波谐振器及制造方法。本发明的声表面波谐振器包括：高声速材料衬底层和形成于其上的单晶LGS低声速材料层共同组成的布拉格反射层，单晶42°YX LiNbO3高声速材料压电层，以及设在高声速材料压电层上且全部埋入其中的电极，其中所单晶LGS低声速材料层欧拉角为(0°,90°,90°)，厚度为0.1λ；高声速材料压电层的厚度为0.5λ；电极厚度180nm、宽度0.25λ、间距0.25λ、占空比0.5、沿孔径长度10λ。其中，λ是电极激发的声波波长。本发明的声表面波谐振器具有高频大带宽低插损无杂散且TCF值低的特征。
一种高频宽带低插损高性能表面波谐振器制造方法

[发明专利]一种具有POI结构的兰姆波谐振器-CN202011508417.0在审
发明人：许欣;李红浪;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有POI结构的兰姆波谐振器。兰姆波谐振器可包括：高声速材料衬底；以及位于所述高声速材料衬底上方的压电层，所述压电层的上表面和下表面上分别设置有第一和第二叉指换能器，其中所述第一和第二叉指换能器的叉指电极隔着所述压电层在层叠方向上彼此相对，且具有相同的电极宽度、电极厚度、电极间距、占空比p以及激发声波波长λ，其中占空比p＝电极宽度÷(电极宽度+电极间距)，并且其中所述占空比p被设置为0.2－0.5。
一种具有 poi 结构兰姆波谐振器

[发明专利]一种具有POI结构的兰姆波谐振器-CN202011508678.2在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有POI结构的兰姆波谐振器。兰姆波谐振器可包括：高声速材料衬底；以及位于所述高声速材料衬底上方的压电层，所述压电层的上表面和下表面上分别设置有第一和第二叉指换能器，其中所述第一和第二叉指换能器的叉指电极隔着所述压电层在层叠方向上彼此相对，且具有相同的电极宽度、电极厚度、电极间距以及激发声波波长λ，所述叉指电极均埋入所述压电层，其中所述压电层的材料为切角为θ的YX‑LiNbO3，其中30°≤θ≤60°，并且所述压电层的厚度t为0.3λ－0.6λ。
一种具有 poi 结构兰姆波谐振器

[发明专利]兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备-CN202011498267.X在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备。该兰姆波谐振器包括：作为绝缘体的衬底；设置在所述衬底上的压电层；设置在所述压电层的上表面侧的多个上电极；以及设置在所述压电层的下表面侧的多个下电极，各个所述上电极至少有部分埋入所述压电层，各个所述下电极未埋入所述压电层，所述上电极埋入所述压电层的部分的厚度相对于所述上电极整体的厚度之比即埋入比例为60％以上。
兰姆波谐振器具备滤波器电子设备

[发明专利]一种多层膜声表面波谐振器及制造方法-CN202011567491.X在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多层膜声表面波谐振器及其制造方法。该谐振器包括：由高声速材料的衬底层、底部SiO2温度补偿层、和LiTaO3压电薄膜组成的POI结构；位于压电薄膜之上的电极；及位于电极之上的SiO2顶部温度补偿层。其制造方法包括：在LiTaO3晶片压电层的一面注入He+离子形成剥离层，加热并沿剥离层剥离部分压电层进行减薄和抛光后获得压电薄膜；在SiC衬底上沉积SiO2形成底部温度补偿层；将压电薄膜的一面与底部温度补偿层进行低温键合；在压电薄膜的另面上沉积一层电极；在电极上沉积SiO2形成顶部温度补偿层；减薄SiC衬底。本发明的声表面波谐振器具有较高的综合性能。
一种多层表面波谐振器制造方法

[发明专利]兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备-CN202011496092.9在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明的兰姆波谐振器包括：作为绝缘体的衬底；设置在所述衬底上的压电层；设置在所述压电层的上表面侧的多个上电极；以及设置在所述压电层的下表面侧的多个下电极，各个所述上电极至少有部分埋入所述压电层，各个所述下电极未埋入所述压电层，根据所述上电极整体的厚度，将所述上电极埋入所述压电层的部分的厚度相对于所述上电极整体的厚度之比即埋入比例设定为能够抑制兰姆波的寄生模式的埋入比例。
兰姆波谐振器具备滤波器电子设备

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