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[发明专利]一种采用绝缘介质阻挡层的垂直发光二极管及其制备方法-CN200910016729.7有效
发明人： 林雪娇;潘群峰;吴志强;吴瑞玲 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种采用绝缘介质阻挡层的垂直发光二极管及其制备方法，在一散热基板下表面形成下电极，上表面形成下焊接金属；在GaN基外延下表面形成p型欧姆接触反射金属膜；在反射金属膜下表面部分区域覆盖绝缘介质膜；在绝缘介质膜下表面及裸露的部分反射金属膜下表面形成上焊接金属；GaN基外延通过上焊接金属与散热基板下焊接金属连接散热基板；GaN基外延上表面形成上电极。反射镜Ag表面采用绝缘介质膜而非金属材料作为阻挡层，避免Ag被其它金属热扩散影响，且简易的导电孔设计即可实现垂直方向电学导通，实现垂直结构二极管较低的p接触压降，本发明方法制造的垂直结构二极管同采用金属阻挡层的垂直结构二极管相比具有更低的正向工作电压及更高的发光效率。
一种采用绝缘介质阻挡垂直发光二极管及其制备方法

[实用新型]多功能储钱罐-CN200820219422.8无效
发明人： 林雪娇 -专利权人： 林雪娇
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： A45C1/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能储钱罐，包括盒体和底座，盒体为中空长方体结构，并在其底端固接底座；在盒体的内部设有纵向隔板，且隔板将盒体的内部分为三个等大的腔体，且在腔体的顶端设有投币口，并在投币口旁设有一元、五角和一角的标记；在盒体表面对应三个腔体的下部设有拉门，并在拉门的上部设有对称圆锥形插孔；底座为中空结构，并在其中空腔体内设有抽屉。使用时，可将一元、五角和一角的硬币有序的放置在盒体内部不同的腔体内；盒体外表面拉门上部的插孔，便于插笔，使其发挥笔台的功能。本实用新型具有结构简单、使用方便，构造合理等优点，赋予了储钱罐新的功能，给人们的使用带来了更大的便捷。
多功能储钱罐

[实用新型]一种填充式倒梯形微结构高亮度发光二极管-CN200820027963.0有效
发明人：洪灵愿;潘群峰;林雪娇;陈文欣;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种填充式倒梯形微结构高亮度发光二极管，含永久性衬底和外延片，在正置的外延片上蚀刻出的倒圆锥台孔的锥壁上及外延片表面上淀积有介质层，介质层和外延片表面上淀积金属层，金属层淀积有阻挡层，在阻挡层内壁的空间中金属溅射填积有金属填充层；外延片倒置与永久性衬底真空键合连接；在永久性衬底部淀积金属电极，在外延片顶部淀积欧姆接触电极。本实用新型在阻挡层内壁的空间中金属溅射填积有金属填充层，实现外延片与永久性衬底的无缝隙平面键合，解决了外延片与永久性衬底结合力差的问题，以及外延片中蚀刻出的倒圆锥台孔存在空隙容易导致外延片与永久性衬底键合过程易产生裂缝的问题。
一种填充梯形微结构亮度发光二极管

[发明专利]一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制作方法-CN200810237845.7有效
发明人：潘群峰;林雪娇;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制作方法，在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN层、有源层和p-GaN层的发光层；在p-GaN层上依次形成金属反射层和扩散阻挡层，蚀刻去除中央局部区域的扩散阻挡层，暴露出金属反射层；在金属反射层上形成第一金属连接层；永久衬底上形成第二金属连接层；将外延片倒装在永久衬底上，使两金属连接层接合并经加温加压形成键合；去除衬底暴露出n-GaN层；制作电极。通过将金属反射层的中央局部区域劣化成高接触电阻区域，在发光层中形成电流阻挡结构，减小发光层中央局部区域的电流注入和减少有源层中央局部区域的发光，并增加其他区域的电流注入和发光比例，从而减少被焊盘遮挡和吸收的发光比例，提高器件的取光效率。
一种具有电流阻挡结构垂直发光二极管制作方法

[发明专利]一种基于二次衬底转移技术的单电极白光LED及其制备方法-CN200810015865.X有效
发明人： 林雪娇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种基于二次衬底转移技术的单电极白光LED及其制备方法，利用常规工艺形成黄光LED作为蓝光LED薄膜的支撑载体，又可以形成黄光LED与蓝光LED的叠层结构，从芯片端混合直接出射白光，实现衬底的二次转移将导热差的蓝宝石衬底及吸光的GaAs衬底完全去除，代之以高导热导电的Si或金属衬底及高反射率金属层，并在蓝光LED和黄光LED中同时加入了透明电流扩展层，最大幅度地提高了功率型白光LED的出光效率；整个白光LED器件呈单电极垂直芯片结构，只需简单封装工艺。
一种基于二次衬底转移技术电极白光 led 及其制备方法

[发明专利]基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法-CN200810138075.0有效
发明人： 林雪娇;陈文欣;洪灵愿;潘群峰;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，通过先平面键合到支撑基底上再分离单元器件的方式，即先实现GaN LED与支撑基底的无间隙接合，再实现各单元GaN LED器件之间的绝对分离，以降低激光剥离过程裂缝的产生及裂缝的延伸，借助暂时性基底待激光剥离后进行芯片制造，保证大面积激光剥离去除蓝宝石衬底制造薄膜GaN LED的高成品率。
基于平面暂时性基底转移技术薄膜 gan led 制备方法

[发明专利]一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED芯片器件制造方法-CN200810138076.5有效
发明人：陈文欣;林雪娇;潘群峰;吴志强;洪灵愿 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所公开的一种基于无缝隙平面键合的薄膜LED芯片器件制造方法，利用未经隔离化处理的外延片平坦表面进行永久性或暂时性基板的制备，再利用激光束对上述外延层与基板的界面处进行器件单元隔离化处理，从而保证了基板与外延层的结合良率，既确保了激光剥离外延薄膜层的留膜良率，并简化了传统制造工艺。
一种基于缝隙平面薄膜 led 芯片器件制造方法

[发明专利]一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件及其制备方法-CN200710116147.7有效
发明人： 林雪娇;潘群峰;洪灵愿;陈文欣;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件及其制备方法，采用干法蚀刻去除部分GaN外延层和激光划开GaN外延层的方法，实现GaN基单元发光器件之间的绝对分隔；钝化膜包裹发光器件侧壁，保证器件与深度补偿膜的绝对电阻断；通过在相互分隔的各单元GaN基发光器件形成的凹槽中沉积深度补偿膜，沉积厚度与两侧台面齐平，形成高度一致的平面，实现GaN基发光器件与支撑部件的无缝隙式键合，降低激光剥离过程裂缝的发生率，提高成品率；且深度补偿膜是具有高反射率的金属材料，保留在发光器件的侧壁部分，可以减少发光器件侧壁的光损失，提高器件的发光效率，并有助于发光器件散热。
一种缝隙式键合过程 gan 发光器件及其制备方法

[发明专利]一种立体式空间分布电极的发光二极管及其制造方法-CN200710114547.4有效
发明人：潘群峰;陈文欣;林雪娇;洪灵愿;吴志强 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所公开的一种具有立体式空间分布电极的氮化镓基发光二极管器件及其制造方法，通过绝缘性衬上生长n型氮化镓基外延层、有源层和p型氮化镓基外延层所组成的发光材料，采用蒸发或者溅射的方法在p型氮化镓基外延层和绝缘性材料层上生长一层透明导电层，在透明导电层上对P、N电极进行立体式空间布置，使得P、N条状电极在法向投射面上相互基本吻合，由于本发明将遮光的p条状电极7b通过电学隔离，立体式空间布置在不发光的n条状电极5b上方并法线上的重合面积达到80％以上，避免了p条状电极7b对发光区的遮挡，从而最大限度地利用发光面积，大大提高本发明功率型LED芯片的发光效率。
一种立体空间分布电极发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种应用合成分隔法激光剥离GaN基发光器件及其制造方法-CN200710116356.1有效
发明人：吴志强;林雪娇;潘群峰;洪灵愿;陈文欣 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所公开的一种应用合成分隔法激光剥离GaN基发光器件及其制造方法，采用合成分隔法分离各单元GaN基发光器件，结合干法蚀刻去除部分GaN基外延层和激光划开GaN基外延层的方法，可以保证各单元GaN基发光器件间的绝对分隔，降低激光剥离过程裂缝的产生率，又可以保护器件的性能在激光隔离过程不受破坏；在各单元GaN基发光器件间预留区域作为激光剥离牺牲区，并与单元发光器件作隔离，避免在激光剥离过程中激光束交叠照射产生的裂缝延伸并破坏其发光器件，提高激光剥离后发光器件的成品率；激光剥离牺牲区被一金属环裹绕，激光剥离后，牺牲区中的外延层残骸可以容易随金属环的蚀刻而被一并去除。
一种应用合成分隔激光剥离 gan 发光器件及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法-CN200710114784.0有效
发明人：潘群峰;林雪娇;洪灵愿;陈文欣;吴志强 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所公开的一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法，在n型氮化镓基半导体层上采用蒸发或者溅射的方法依次形成Ni/Au/Ti/Au金属层，用剥离或者化学蚀刻的方法形成n电极；对n电极在含有氧气的氛围中进行400～600℃热退火处理，使得n电极与n型氮化镓基半导体层形成合金，n电极中，Ni/Au/Ti金属层是欧姆接触层，而最顶层的Au金属层作为焊垫层。由于该n电极不含低熔点的Al，并且热退火处理的温度适中，可以较好地保持电极原有的金相结构，避免给后续的封装带来困扰；再者，热退火处理的温度较为适中，可以将欧姆接触层与焊垫层一同进行热处理，在保证不会造成焊垫层金属变质硬化的同时，避免接触层与焊垫层分开制作，大大简化了工艺，提高成品率和降低成本。
一种氮化半导体光电器件制作方法

[发明专利]一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法-CN200710114785.5有效
发明人：洪灵愿;潘群峰;林雪娇;陈文欣;吴志强 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法，在GaAs衬底上生长发光二极管外延片由第一导电型接触电极、第一导电型欧姆接触层、第一导电型电流扩展层、第一导电型下限制层、非掺杂的有源区、第二导电型上限制层、第二导电型电流扩展层、第二导电型欧姆接触层堆叠而成；外延片中设有反光镜，反光镜依次由介质层，金属层和阻挡层层层积淀形成；永久性衬底是由基板衬底上是生长粘贴层、金属焊料层积淀在粘贴层上；金属电极淀积在永久性衬底底部；外延片以倒装方式叠置于基板衬底上并在真空下键合。在外延片中形成一种倒梯形结构，解决常规矩形结构中光的波导效应带来的光损失问题，并可大大提升取光效率。
一种梯形微结构亮度发光二极管及其制作方法

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