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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202311056576.5在审
发明人：孙国元;李海洋;郭哲劭;林豫立;刘哲儒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器至少包括：逻辑基板；像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；氧化层，设置在所述像素层上；以及防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，能够提升图像传感器的成像效果。
一种图像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体结构、半导体结构的制作方法及图像传感器器件-CN202310452554.4有效
发明人：王世超;李海洋;林豫立;刘哲儒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制作方法及图像传感器器件，该半导体结构包括衬底、沟槽、隔离层、压电材料层与供压层，其中，沟槽位于衬底中，隔离层覆盖沟槽的底部和侧壁，压电材料层位于隔离层的远离衬底的表面上，供压层填充在沟槽中，覆盖压电材料层远离隔离层的表面，供压层在预设条件下产生形变，以向压电材料层提供压应力。本申请的压电材料层表面会因为内部供压层提供的压应力发生偶极子翻转，从而会在表面聚集稳定的感应电荷，该电荷产生的感应电场可有效阻止光生载流子在不同像素的光电二极管间相互转移，能有效降低器件之间的电信号串扰。
半导体结构制作方法图像传感器器件

[发明专利]图像传感器及其制备方法-CN202310201447.4有效
发明人：宋玉涛;林豫立;刘哲儒 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器及其制备方法，包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底内间隔设置有多个像素区，所述衬底具有第一导电类型；第一沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第一表面延伸至所述衬底内；光电二极管，位于所述像素区内，且靠近所述第一表面一侧；第二沟槽，位于相邻所述像素区之间，自所述第二表面延伸至所述衬底内；第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于所述衬底内，且围绕所述第二沟槽，所述第一掺杂区具有第一导电类型，所述第二掺杂区具有第二导电类型。通过间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，使得空穴被吸引，而电子流向相应的光电二极管，从而减缓电荷串扰现象发生，提高了图像传感器生成图像的质量。
图像传感器及其制备方法

[发明专利]背照式图像传感器结构及其制备方法-CN202211446499.X有效
发明人：刘哲儒;郑志成;林豫立;郭哲劭;陈冠中 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种背照式图像传感器结构及其制备方法。背照式图像传感器结构包括：背照式图像传感器和金属电容接地结构；背照式图像传感器包括衬底，衬底包括相对的正面及背面；衬底的背面具有感光区及位于感光区外围的外围电路区；金属电容接地结构至少位于衬底的背面，且位于感光区与外围电路区之间。本申请通过在衬底的背面增加金属电容接地结构，一方面，金属电容接地结构通过连接衬底可以实现接地，使得在衬底表面因其他制程而累积的电荷可以通过金属电容接地结构导入到衬底的效果，从而降低甚至消除暗电流，提供背照式图像传感器结构的成像品质，使得背照式图像传感器结构的成像可靠性更加稳定。
背照式图像传感器结构及其制备方法

[发明专利]图像传感器像素结构及其制备方法-CN202211394999.3有效
发明人：孙国元;林豫立 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器像素结构及其制备方法，包括：衬底；光电二极管，位于衬底中，相邻的光电二极管之间形成有沟槽隔离结构；U型掺杂区，位于衬底中且包裹光电二极管的底面和侧面，U型掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区沿衬底的厚度方向自上而下的排列以包裹光电二极管的侧面，第三掺杂区包裹光电二极管的底面且与第二掺杂区相接，并且第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度均大于第二掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度均大于衬底的掺杂浓度，以形成U型电场；本发明能够提高像素的信噪比，以提高像素质量。
图像传感器像素结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202211133736.7有效
发明人：江道;刘哲儒;郭哲劭;林豫立;夏源政;伏亚楠 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括：衬底，且衬底上设置有多个半导体器件；第一金属层，设置在所述半导体器件上；介质层，设置在所述第一金属层上；第二金属层，设置在所述介质层；以及导电插塞，设置在所述介质层内，连接所述第一金属层和所述第二金属层，且所述导电插塞包括补偿结构，所述补偿结构设置在所述第一金属层和所述第二金属层的原子迁出位置。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，提高半导体结构的性能。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件-CN202110284739.X在审
发明人： 林豫立 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件，涉及半导体技术领域，通过在介质层上开孔，形成贯穿介质层的第一导电通孔，再在停止层上开孔，形成贯穿停止层的第二导电通孔，第二导电通孔与第一导电通孔连接，且第二导电通孔的线宽大于相邻的第一导电通孔的线宽。通过在第一导电通孔的下部设置扩孔状的第二导电通孔，并通过第二导电通孔与第一导电层接触，从而在后续填充时增大了与第一导电层的接触面积，降低了接触电阻，进而提升了半导体器件的性能。
结构制备方法半导体器件

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