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[发明专利]一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法-CN202011455906.4有效
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法，属于氮化镓晶体生产技术领域，泄放氨工序包括以下步骤：S1、反应容器内的液态氨自然挥发形成气态氨气，并排放至尾气处理装置中，直至反应容器内的压强恢复至一个大气压；S2、打开真空装置，反应容器内的剩余气态氨气抽至尾气处理装置中；S3、启动氮供应装置，向反应容器内充入氮气，直至反应容器内压强恢复至一个大气压；S4、重复S2‑S3步骤若干次，真空装置抽出反应容器内的气体，完成泄放氨工序；本发明通过氨气自然排出、抽气、充氮、再抽气、再充氮的循环，将反应容器内部的氨气浓度降至极低，从而大幅度地降低氨气残留于反应容器内，避免对操作者身体和环境造成的影响。
一种氮化晶体生长系统泄放氨工序生长方法

[实用新型]一种氮化镓腐蚀加热槽-CN202023047074.0有效
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化镓腐蚀加热槽，涉及氮化镓晶圆衬底缺陷测评技术领域，包括开设在腐蚀装置上的槽体，所述槽体内设置有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层铺设在槽体的底部和侧壁，用于隔绝强碱和槽体，保护槽体不被强碱腐蚀，所述腐蚀层的底部设置有加热板，用于对强碱进行加热，所述槽体的上方设置有用于关闭或打开槽口的盖子。本实用新型提供的一种氮化镓腐蚀加热槽，在槽体内设置纯镍金属材料制成的耐腐蚀层，防止槽体及腐蚀装置被强碱腐蚀。在耐腐蚀层外侧设置隔热层，隔热保温。在槽体上方设置盖子，防止加热时强碱挥发污染环境。通过机械设备操作氮化镓加热与腐蚀过程，保证操作人员的安全。
一种氮化腐蚀加热

[实用新型]一种分部清洗装置的釜体清洗部-CN202022925141.8有效
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分部清洗装置的釜体清洗部，属于一种分部清洗装置，其包括放置釜体的漏液槽、以及至少一组清洗工位，清洗工位包括安装板、均安装于安装板上的液水弯管和气水弯管，以及垂直驱动件；垂直驱动件驱动液水弯管和气水弯管上下移动，以使液水弯管或气水弯管的端部伸入釜体内部或从釜体内部伸出；现有的清洗装置无法满足大尺寸的反应釜的清洗需求，因此需将反应釜分成多个部分，并针对每一部分设计出清洗部，本实用新型致力于反应釜的釜体这一部分的清洗工作。
一种分部清洗装置

[实用新型]一种氮化镓反应釜的分部清洗装置-CN202022925146.0有效
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓反应釜的分部清洗装置，属于一种清洗装置和清洗方法，分部清洗装置用于清洗至少具有釜盖和釜体的反应釜，包括清洗模组和管路系统，所述清洗模组至少包括若干用于清洗釜体的釜体清洗部、以及若干用于清洗釜盖的釜盖清洗部，所述管路系统将反应溶液、水和高温气体依次地分别通入釜体清洗部和釜盖清洗部，以釜体清洗部中的釜体和清洗釜盖清洗部中的釜盖；解决了现有技术的清洗装置无法满足大尺寸的反应釜的清洗需求的问题。
一种氮化反应分部清洗装置

[发明专利]半导体材料生产系统及生产方法-CN201911424593.3有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料生产系统，包括：清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置、多个反应釜和多组输送管道，清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置均可通过输送管道与同一个反应釜连通并传输物料至同一个反应釜，避免人工将反应釜搬运至各设备处，可节省生产时间，提高生产效率，降低生产成本。
半导体材料生产系统方法

[发明专利]一种氮化镓反应釜的分部清洗装置及分部清洗方法-CN202011427308.6在审
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓反应釜的分部清洗装置及分部清洗方法，属于一种清洗装置和清洗方法，分部清洗装置用于清洗至少具有釜盖和釜体的反应釜，包括清洗模组和管路系统，所述清洗模组至少包括若干用于清洗釜体的釜体清洗部、以及若干用于清洗釜盖的釜盖清洗部，所述管路系统将反应溶液、水和高温气体依次地分别通入釜体清洗部和釜盖清洗部，以釜体清洗部中的釜体和清洗釜盖清洗部中的釜盖；解决了现有技术的清洗装置无法满足大尺寸的反应釜的清洗需求的问题。
一种氮化反应分部清洗装置方法

[发明专利]一种氮化镓晶圆的腐蚀装置-CN202011488898.3在审
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓晶圆的腐蚀装置，涉及氮化镓晶圆衬底缺陷测评技术领域，包括机架和设置在机架上的电气控制组件、腐蚀槽以及第一机械臂，所述第一机械臂与电气控制组件电性连接，所述腐蚀槽中盛放有强碱，氮化镓晶圆放置在卡模上，所述卡模挂在第一机械臂上，通过电气控制组件控制第一机械臂将氮化镓晶圆浸入强碱、从强碱中取出以及控制氮化镓晶圆在强碱中的浸泡时长。本发明提供的一种氮化镓晶圆的腐蚀装置，通过机械设备操作氮化镓晶圆腐蚀过程，保证操作人员的安全，简化腐蚀过程，提高测评效率。
一种氮化镓晶圆腐蚀装置

[发明专利]多晶氮化镓生长装置-CN201911268465.4有效
发明人： 林岳明;乔焜;高明哲 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种多晶氮化镓生长装置。该多晶氮化镓生长装置包括反应容器，反应容器在其轴向设置有相互连通的第一腔室主体和第二腔室主体，第一腔室主体连接有至少两条气体流入通道，第二腔室主体中设置有筒体；筒体具有与至少两条气体流入通道对应设置的开口，且筒体在其轴向间隔设置有多个带通孔的部件。上述多晶氮化镓生长装置能够有效提升多晶氮化镓的产量，同时不会增加多晶氮化镓生长装置的尺寸。
多晶氮化生长装置

[发明专利]矿化剂胶囊容器和结晶化合物制造过程中矿化剂的使用方法-CN201910619761.8有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种矿化剂胶囊容器和结晶化合物制造过程中矿化剂的使用方法。矿化剂胶囊容器包括外壳(10)和内壳(20)，内壳(20)紧贴外壳(10)的内壁设置，内壳(20)能够相对于外壳(10)转动，外壳(10)具有若干外壳通孔(11)，当内壳(20)转动到第一位置时，外壳通孔(11)不被内壳(20)的壁遮挡，当内壳(20)转动到第二位置时，外壳通孔(11)完全被内壳(20)的壁遮挡，胶囊容器能够被打开以允许确定量的矿化剂加入胶囊容器内部。根据本发明的矿化剂胶囊容器为矿化剂的提前称量和暂存提供了容纳空间，合理使用该矿化剂胶囊容器能够减少矿化剂与氧或水的接触，提高结晶化合物的纯度。
矿化剂胶囊容器结晶化合物制造过程中矿化剂使用方法

[实用新型]一种金相显微镜样品夹具-CN202020419442.0有效
发明人：张晓君;乔焜;林岳明;高明哲 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金相显微镜样品夹具，包括底面为平面的第一夹具和第二夹具，所述第一夹具设有凹部，所述凹部扣合连接第二夹具的凸部，所述凹部和凸部通过空心轴连接，所述空心轴内连接有带刻度的伸缩连接杆，所述伸缩连接杆轴承连接有平行设置的定面片，所述定面片上连接有第一支杆，所述第一夹具和第二夹具上分别各设有第二支杆、挡体和凹槽，所述凹槽内连接有弹片，所述弹片两端分别连接第一夹具和第二夹具上的挡体。本实用新型可以很方便的调整样品的待观察面，结构简单，测试操作简便，可靠。
一种金相显微镜样品夹具

[实用新型]一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置-CN202020535252.5有效
发明人：乔焜;林岳明;高明哲 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置，包括底板和底座，底板上固定安装有固定板、第一限位板、第二限位板和第三限位板，底板的顶部设置有滑轨，底座的底部固定安装有万向轮，底座的顶部固定连接有高压釜，高压釜的两侧连接有连接块，连接块上连接有滑套，滑套上连接有转动杆，第一限位板上安装有电机，电机的输出轴与转动轴固定连接，转动轴上连接有第一齿轮，第一齿轮的两侧啮合连接有第二齿轮，第二齿轮与转动杆固定连接。本实用新型通过电机带动高压釜、底座和万向轮在滑轨方向上移动，将高压釜沿着滑轨移动至不同的场地区域，进行装料、充氨、生长和清洗等工艺，结构简单，操作方便，节省了人力，提高了生产效率。
一种用于氮化晶体生长高压移动装置

[实用新型]单晶生长加热装置-CN202020532994.2有效
发明人：乔焜;张新建;林岳明;高明哲 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶生长加热装置，包括：容器，容器包括第一区和位于第一区下方的第二区；加热部件，位于容器外侧，加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，第一加热单元位于第一区外围，第二加热单元位于第二区外围，第一加热单元和第二加热单元之间具有间距；恒温层，位于容器外侧且通过加热部件和绝热层与容器相隔离。上述单晶生长加热装置中包括恒温层，使得容器外侧的温度恒定，减少环境温度变化对容器内温度的影响，还能有利于精确控制容器内的轴向温度差，减少成本。
生长加热装置

[实用新型]晶体生长装置和热等静压设备-CN202020412043.1有效
发明人：乔焜;张新建;林岳明;高明哲 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，提供了一种晶体生长装置和热等静压设备。装置包括生长容器、端盖、密封件、泄放装置和紧固件，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室，端盖上设置有通孔，通孔与生长腔室相连通；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通；端盖和生长容器通过紧固件相连接。密封件阻断了生长腔室与外界可能相通的唯一路径，有效提高生长腔室的密封性。通过泄放装置可对生长腔室内部压力进行释放，起到保护生长装置的作用。
晶体生长装置静压设备

[发明专利]氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法-CN201910446105.2有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法。该氮化镓晶体生产系统包括输送管道组件、氨供应装置、质量流量控制器、氨存储装置、冷却装置、加热装置、反应容器和阀组件，氨供应装置、质量流量控制器、氨存储装置和反应容器之间通过输送管道连接，阀组件设置于输送管道上，冷却装置用于冷却氨存储装置，使进入氨存储装置的氨气液化，加热装置用于对氨存储装置、反应容器和两者之间的输送管道进行加热，使得氨存储装置中的液氨以气态的形式均匀地分布于氨存储装置、反应容器和两者之间的输送管道中。本发明的氮化镓晶体生产系统能够精确地控制填充至反应容器中的氨的量，且能够使得填充至反应容器中的氨的纯度更高。
氮化晶体生产系统及其填充方法

[实用新型]防爆装置-CN201921604019.1有效
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种防爆装置，包括箱体，具有用于容纳反应容器的内腔；氨气传感器，设于箱体的内壁，用于检测内腔中的氨气浓度并输出第一信号；排气管路，与内腔连通，排气管路上设置有单向阀，单向阀的进气口靠近内腔；以及控制装置，分别与氨气传感器、单向阀以及反应容器电连接，用于根据第一信号控制反应容器启动或停止，以及控制单向阀打开或关闭。上述防爆装置可使工作人员及时发现反应容器的氨气泄漏并作出相应处理，避免引发爆炸。
防爆装置