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[发明专利]碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器-CN202310932889.6在审
发明人： 林乾乾;李睿明 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本申请涉及一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，制备方法包括如下步骤：对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。本申请可以解决相关技术中碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高，严重影响器件的光性能的问题。
化合物薄膜红外光电二极管光电探测器

[发明专利]一种钙钛矿微型三角形光栅的制备方法及应用-CN202310347652.1在审
发明人：田晓语;张博;林乾乾;曹强 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿微型三角形光栅的制备方法及应用，涉及飞秒激光微纳加工技术领域，该制备方法包括以下步骤：将FAI和PbI2两种源材料分别置于有机源坩埚和无机源坩埚中；将硅衬底放置于有机源坩埚和无机源坩埚的正上方，关闭基片挡板；对有机源坩埚和无机源坩埚进行加热，FAI和PbI2受热融化并产生蒸汽；当蒸发速率均稳定至设定蒸发速率时，打开基片挡板，以设定转速进行旋转沉积，得到FAPbI3钙钛矿薄膜；采用飞秒激光直写方法对FAPbI3钙钛矿薄膜进行加工，得到钙钛矿三角形光栅。本发明使用双源共蒸法制备FAPbI3钙钛矿薄膜，具有较低的表面粗糙度、较好的表面覆盖率、较高的结晶性和较小的晶粒等特点。
一种钙钛矿微型三角形光栅制备方法应用

[发明专利]一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用-CN202310298570.2在审
发明人： 林乾乾;贾正林 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用，该硫化铋薄膜的制备方法，包括：提供Bi2S3前驱溶液；将Bi2S3前驱溶液涂布在基底上；将涂有Bi2S3前驱溶液的基底置于氮气氛围中，先低温退火至溶剂挥发完全，再于280±5℃退火至硫化铋薄膜表面缺陷消除。该方法制备得到的Bi2S3薄膜表面十分平整，只有约2nm的表面粗糙度，对于薄膜二极管器件的制备十分有利，可通过该方法在电子传输层上制备硫化铋薄膜，作为吸光活性层；然后在硫化铋薄膜上制备空穴传输层，进而获得高吸光能力、高载流子迁移率、高光暗电流比的二极管型光电探测器。
一种硫化薄膜及其光电二极管制备方法应用

[发明专利]一种基于硫化铋薄膜的晶体管型光电探测器及其制备方法-CN202310170060.7在审
发明人： 林乾乾;杨玉洁 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于硫化铋薄膜的晶体管型光电探测器及其制备方法。包括如下步骤：在基底上沉积介电层；将Bi2S3前驱溶液旋涂至所述介电层上，在100～300℃下退火，形成Bi2S3薄膜；在所述Bi2S3薄膜上蒸镀源漏电极。本申请得到的光电探测器结合了场效应晶体管可栅压调控、高增益、易于集成的特点以及Bi2S3吸收范围广的优点，并且制备过程具有操作简单、成本低、材料易获取、组分易调控等优点、对环境和设备要求较低，具有高的光灵敏度、低噪声电流和高的比探测率，可探测光波长范围广、探测性能优异，在光电探测领域具有极大的应用潜力。
一种基于硫化薄膜晶体管光电探测器及其制备方法

[实用新型]衬套类悬置径向高频试验工装-CN202223227924.4有效
发明人：赵广松;吴向廷;胡建泰;应远;林乾乾;王伟吉;杨灵斌 -专利权人：建新赵氏科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01M17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种衬套类悬置径向高频试验工装，包括上工装和下工装；下工装包括下工装底座和悬置限位部，上工装包括上工装底座和接触部下工装底座和悬置限位部一体化成型，使得下工装整体的强度更高；上工装底座和接触部一体化成型，进而使得上工装整体的强度更高；悬置限位部设置的开口，使得悬置在进行测试时，悬置两端的骨架可以从开口伸出，进而进行径向的高频动态测试；水平设置的悬置装配空间使得悬置装配于悬置装配空间进行检测时能关于水平面平行，使得悬置能够以稳定的状态进行高频动态测试，进而使得检测得出的高频动态数据更为准确。
衬套悬置径向高频试验工装

[实用新型]衬套类悬置轴向高频试验工装-CN202223228221.3有效
发明人：赵广松;吴向廷;胡建泰;应远;林乾乾;王伟吉;杨灵斌 -专利权人：建新赵氏科技股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01M17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种衬套类悬置轴向高频试验工装，包括上工装和下工装；下工装包括下工装底座和悬置限位部，上工装包括上工装底座和接触部；在本实用新型中，下工装底座和悬置限位部一体化成型，使得下工装整体的强度更高；上工装底座和接触部一体化成型，进而使得上工装整体的强度更高；悬置限位部设置的开口，使得悬置在进行测试时，悬置的骨架可以从开口伸出，进而进行轴向的高频动态测试；垂直设置的悬置装配空间使得悬置装配于悬置装配空间进行检测时能关于水平面垂直，使得悬置能够以稳定的状态进行高频动态测试。
衬套悬置轴向高频试验工装

[发明专利]一种半导体载流子动力学测试仪器及测试方法-CN202211494034.1在审
发明人： 林乾乾 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体载流子动力学测试仪器和测试方法，该半导体载流子动力学测试方法包括：将半导体样品置于微波谐振腔内；提供连续激发光激发半导体样品产生载流子，同时提供稳态偏置背景光以填充半导体的缺陷态；采用微波分析仪作为微波源和检测器，探测半导体的微波信号，获得时间分辨微波光电导曲线；对微波信号进行整个频段的扫频，获得时间分辨微波频谱；根据时间分辨微波频谱获取半导体载流子动力学信息。该测试方法能有效区分载流子辐射复合和缺陷捕获造成的不同载流子动力学过程。
一种半导体载流子动力学测试仪器方法

[发明专利]一种AgBiS2-CN202111168824.6有效
发明人： 林乾乾;姚方;江力 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种AgBiS2薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：按Ag：Bi＝1:1～3的摩尔比向水中加入可溶性银盐和可溶性铋盐，并加入硫摩尔量不低于Ag和Bi之和的可溶性硫代硫酸盐，混匀后，加酸调节pH值＝3，得到前驱体溶液；所述前驱体溶液中，可溶性硫代硫酸盐的阳离子，可溶性银盐、可溶性铋盐以及酸的阴离子均不参与沉积反应；将衬底置于前驱体溶液中，80℃±5℃静置沉积至少30分钟，取出衬底；将衬底在80～300℃的空气中退火，得到附着有AgBiS2薄膜的衬底。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、成本低廉、对设备与环境要求低等优点，制备出的AgBiS2薄膜质量高、光学和电学性能好，光伏性能良好、探测性能良好，在光电领域具有极大的应用潜力。
一种 agbis base sub

[发明专利]一种晶体管型光电探测器及其制备方法-CN202210969896.9在审
发明人： 林乾乾;杨玉洁 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶体管型光电探测器及其制备方法，包括依次层叠设置的栅电极、栅绝缘层、传输沟道层、电子传输层、光吸收层和源漏电极；所述传输沟道层包括锡锌氧化物；所述光吸收层为银锑硫薄膜。本申请晶体管型光电探测器以锡锌氧化物作传输沟道，银锑硫薄膜作光吸收层，锡锌氧化物的高载流子迁移率与银锑硫薄膜的高吸光能力和可调控的吸光范围有效地结合，结合了场效应晶体管可栅压调控、高增益、易于集成的特点以及银锑硫薄膜吸收系数大，吸收范围广、吸收带隙易于调控的优点，具有高的光灵敏度、低噪声电流和高的比探测率，可探测光波长范围广、探测性能优异，在光电探测领域具有极大的应用潜力。
一种晶体管光电探测器及其制备方法

[发明专利]钙钛矿厚膜X射线探测器及其制备方法-CN202110031000.8有效
发明人： 林乾乾;李威;许亚伦 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿厚膜X射线探测器及其制备方法，钙钛矿厚膜X射线探测器的特征在于包括：透明导电膜基底、空穴传输层、钙钛矿厚膜、电子传输层、电极，其中，钙钛矿厚膜通过真空热共蒸发法制得，并且位于空穴传输层和电子传输层之间。制备方法的特征在于：将不同的钙钛矿原料分别放入不同的束源炉，并分别加到各自的沸点，同时对基底进行原位加热，然后进行真空热共蒸得到钙钛矿厚膜。本发明所提供的钙钛矿厚膜X射线探测器具有优异的电荷传输性能、极快的响应速度、较高的X射线灵敏度和较好的稳定性，并且制备工艺简单，厚度可调，易于在柔性基底上制备，在医学成像、航空安检等领域具有广泛潜在应用。
钙钛矿厚膜射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种晶体管型光电探测器及制备方法-CN202210418500.1在审
发明人： 林乾乾;黄辉煌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种一种晶体管型光电探测器及制备方法，包括如下步骤：在基底上依次沉积沟道层、吸光层和源漏电极；其中，沟道层采用ZTO、ZnO或SnO2，吸光层采用锑基硫属化合物。本申请将ZTO、ZnO或SnO2作为传输沟道，锑基硫属化合物作为吸光层，将ZTO、ZnO或SnO2的高载流子迁移率与锑基硫属化合物的高吸光能力和可调控的吸光范围有效地结合，使得制备的光电探测器具备可栅压调控、光增益高、吸收能力强以及吸收范围可调的优势，从而解决相关技术中高迁移率和吸光能力两者难以同时兼顾的问题。
一种晶体管光电探测器制备方法

[实用新型]一种橡胶试柱疲劳试验工装-CN202122561049.2有效
发明人： 林乾乾;吴向廷;胡建泰;赵广松;杨灵斌;娄志赟;王伟吉 -专利权人：建新赵氏科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种橡胶试柱疲劳试验工装，包括加载盘、底盘、上卡座和下卡座，上卡座设置于加载盘朝向底盘的端面，下卡座设置于底盘朝向加载盘的端面；上卡座在加载盘的带动下靠近和远离下卡座；在上卡座设置有上装配槽，在下卡座设置有下装配槽，上装配槽和下装配槽相互对应；在上装配槽设置有上开口，在下装配槽设置有下开口，上开口和下开口朝向一致；橡胶试柱的两端通过上开口和下开口实现在上装配槽和下装配槽内的拆卸和安装；橡胶试柱通过上卡座和下卡座上相对应的上开口以及下开口进行拆卸和安装，使得本实用新型在装配和拆卸过程中更为方便省力，进而使得本实用新的试验效率更高。
一种橡胶疲劳试验工装

[发明专利]一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X-射线探测器及其制备方法-CN201911244055.6有效
发明人： 林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X‑射线探测器及其制备方法。该X‑射线探测器包括空穴传输层、钙钛矿单晶颗粒复合膜、电子传输层、界面修饰层和电极，其中钙钛矿单晶颗粒复合膜为钙钛矿单晶与多醇或聚合物的复合膜，膜厚为30～200μm，钙钛矿单晶为甲胺铅溴盐钙钛矿单晶。其制备为：制备甲胺铅溴盐钙钛矿单晶，粉碎和筛分后均匀分散在多醇类或聚合物溶液中，然后旋涂在空穴传输层或电子传输层上，退火后制得钙钛矿单晶颗粒复合膜；在所得复合膜表面沉积电子传输层或空穴传输层、界面修饰层和电极即得基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X‑射线探测器。制备简单，可检测到较低的剂量率，灵敏度高，响应快，电荷传输性能优异。
一种基于钙钛矿单晶颗粒复合射线探测器及其制备方法

[发明专利]大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法-CN201910014194.3有效
发明人： 林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法，制法包括：步骤1.将钙钛矿充分溶解得到饱和溶液，过滤后持续加热制得钙钛矿单晶；步骤2.将钙钛矿单晶干燥后进行机械碾磨和筛分得到钙钛矿单晶颗粒，真空干燥后得到直径为500nm～10μm的单晶颗粒；步骤3.将单晶颗粒分散于聚合物溶液中，制成分散液；步骤4.将分散液旋涂在沉积有空穴传输层的透明导电基底上，制得大颗粒钙钛矿单晶颗粒与聚合物的复合厚膜，再将该复合厚膜在热台上退火，旋涂转速为100～4000rpm。本发明提供的复合厚膜具有优异的电荷传输性能、快响应速度、高稳定性、低暗电流和噪声、制备简便等优点。
颗粒钙钛矿单晶聚合物复合光电探测器制法

[发明专利]利用飞秒激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器的方法-CN202010010738.1在审
发明人：曹强;田晓语;聂阳天;刘胜;林乾乾 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01S5/36 文献下载
摘要：本发明属于微纳激光器技术领域，具体提供了利用飞秒激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器的方法，先将FAI和PbI2两种原材料分别置于有机源和无机源中分别得到FAI源和PbI2源；然后将FAI源和PbI2源的蒸发速率稳定在时，且FAI源温度达到250℃同时腔内气压稳定在9±0.3×10‑4pa，后开始蒸镀；然后在蒸镀的同时，将承载钙钛矿的石英玻璃置于FAI源和PbI2源的上方，以使得FAI和PbI2蒸气在石英玻璃表面沉积得到FAPbI3；然后蒸镀结束后先冷却再退火得到钙钛矿薄膜；最后在蒸镀的钙钛矿薄膜上通过飞秒激光系统加工得到钙钛矿微纳结构。可根据原材料不同制备不同组分的钙钛矿薄膜，可根据蒸发沉积时间不同控制薄膜厚度。且利用激光加工更易于达到大规模高质量制备的要求。
利用激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器方法

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