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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、使用了其的半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202080032952.5在审
发明人：高田满生;前田菜那子;松泽修;石川良;小林卓也 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钯覆盖铜接合线，其具有以铜作为主要成分的芯材、和芯材上的钯层，钯相对于引线整体的浓度为1.0质量％～4.0质量％，引线的伸长率为2％以上最大伸长率εmax％以下的变化量时的加工硬化系数为0.20以下。
覆盖接合制造方法使用半导体装置

[发明专利]钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法-CN201980091220.0在审
发明人：天野裕之;安德优希;桑原岳;市川司;松泽修;陈炜 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施方式的Pd覆盖Cu接合线具有1.0～4.0质量％的Pd、及合计为50质量ppm以下的S族元素(5.0～12.0质量ppm的S、5.0～20.0质量ppm的Se、或15.0～50质量ppm的Te)。该引线截面的晶体面中的100取向比率为15％以上，并且111取向比率为50％以下。在该引线上形成无空气球而对前端部分进行分析时，在其表面观测到Pd富集区域。
覆盖接合制造方法使用引线结构半导体装置及其

[发明专利]ICP发光分光分析装置-CN201510146338.2有效
发明人： 松泽修 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：公开了一种ICP发光分光分析装置。提供了一种使用二维检测部且能够与出射光的成像形状相应地变更二维检测部所使用的像素来获得准确的强度的ICP发光分光分析装置。ICP发光分光分析装置(1)由感应耦合等离子体发生部(10)、聚光部(20)、分光器(30)、二维检测部(40)以及控制部(50)大致构成。二维检测部(40)具备具有被呈面状铺满的多个像素的CCD图像传感器(41)，使从分光器(30)出射的出射光成像在多个图像上以对出射光进行检测。而且，控制部(50)与作为检测对象的出射光的成像形状相应地决定多个像素中使用于出射光的检测的像素。
icp 发光分光分析装置

[发明专利]ICP发光分光分析装置-CN201410119634.9有效
发明人： 松泽修;赤松宪一;一宫丰 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明提供ICP发光分光分析装置，其利用光纤将原子发光线引导到分光器内且光学特性优异。ICP分析装置（1）由感应耦合等离子体装置（10）、光纤（20）、分光器（30）、安装部件（40）和光出射孔（41）构成。光纤（20）配置在感应耦合等离子体（18）与分光器（30）之间，通过安装部件（40）与分光器（30）连结。原子发光线经由光纤（20）通过光出射孔（41）而入射到分光器（30）内。安装部件（40）安装于分光器（30），将光纤（20）的露出的光透射部（21）插入并固定于帽（45），使光透射部（21）的端面（23）与设置于帽（45）的光出射孔（41）相邻。
icp 发光分光分析装置

[发明专利]感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置-CN201310261620.6有效
发明人： 松泽修;赤松宪一;中野信男;一宫丰;田边英规;夏井克己 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：提供感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置。感应耦合等离子体装置大幅降低等离子气体的消耗量。作为解决手段，该感应耦合等离子体装置具有圆筒形状的罩，其与等离子体炬是分离的，具有足够包围到生成等离子体火焰的前端部的高度，该罩外嵌地配置在等离子体炬上；以及校正气体导入机构，其将用于校正等离子气体的流路的校正气体导入到在罩的内表面和等离子体炬的外管的外表面之间形成的间隙部。
感应耦合等离子体装置分光分析以及质量

[发明专利]ICP分析装置及其分析方法-CN201110086370.8有效
发明人：田边英规;长泽宽治;赤松宪一;松泽修;中野信男 -专利权人：精工电子纳米科技有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种ICP分析装置及其分析方法，活用能进行高灵敏度测定但装置的劣化快的等离子体的发生轴方向测定和装置劣化少但灵敏度低的等离子体的横向测定中各测定的特征而能够进行高灵敏度且减轻了装置的劣化的倾斜方向测定。构成为：为了将所述等离子体喷灯设定为任意角度，以直线状对置地配置等离子体喷灯和聚光部时为基准，使至少一个相对于ICP分析装置中的聚光部的等离子体的光的取进方向转动，从而以任意角度对置。
icp 分析装置及其方法

[发明专利]Ag－Zn0系电触点材料的制造方法-CN00800609.1有效
发明人：中村哲也;坂口理;草森裕之;松泽修;高桥昌宏;山本俊哉 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2000-04-20 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01H11/04 文献下载
摘要：本发明提供Ag-ZnO系电触点材料的制造方法，包括：对Ag-Zn合金进行熔解铸造；将铸造的合金切成小段；对小段进行内部氧化处理；集中经过内部氧化处理的小段，压缩成型形成坯段；对该坯段进行压缩加工和烧结处理数次，除去坯段的内部缺陷，此时，坯段中ZnO以条纹状分散状态沉积在Ag中；和对坯段进行加压加工，加压在坯段截面和压出的线状材料截面的面积比在51∶1以上的状态下进行，靠加压期间材料内产生的剪切力将条纹状沉积的ZnO转变成颗粒状，从而使ZnO微细地分散于Ag中。
ag zn0 触点材料制造方法

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