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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]射频放大器及射频无线通信装置-CN200480036179.0无效
发明人： 松崎宏泰;向山和孝;坂本孝一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：提供一种能够减少晶体管中的插入损耗并根据测量结果进行精确的电路设计的射频放大器和射频无线通信装置。在基板1上形成包括平行延伸的输入隙缝线30和输出隙缝线40的输入侧线路部分3和输出侧线路部分4。在晶体管2的连接部分20中，以共平面方式排列栅极G，漏极D，和两个源极S。栅极G，漏极D，和两个源极S分别通过隆起22以倒装片法连接到DC电极10和11以及接地电极12，以使隙缝线30和40的定向垂直于栅极G和漏极D的排列定向。优选的是，通过空中电桥21连接晶体管2的两个源极S。
射频放大器射频无线通信装置

[发明专利]平面介电线路、高频有源电路和收发装置-CN200480023374.X无效
发明人：向山和孝;三上重幸;松崎宏泰;泷澤晃一;坂本孝一;石川容平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01P3/02 文献下载
摘要：一种平面介电线路，通过将高频信号的电磁场能量集中在介电基板的一侧上，能减小与电子部件相互连接的损失。使第一狭缝(4)形成于介电基板(2)的前表面(2A)上，使得在第一和第二电极(3A，3B)之间形成第一狭缝(4)，同时，使第二狭缝(6)形成于介电基板(2)的后表面(2B)上，使得在三和第四电极(5A，5B)之间与第一狭缝(4)相应的位置。第一狭缝(4)的宽度窄于第二狭缝(6)的宽度。由于有这样的结构，可使高频信号的电磁场能量集中在第一狭缝(4)。
平面线路高频有源电路收发装置

[发明专利]介电谐振器装置、高频滤波器和高频振荡器-CN03123188.8无效
发明人：向山和孝;三上重幸;松崎宏泰;河内哲也;马场贵博;坂本孝一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H03B5/18 文献下载
摘要：一种介电谐振器装置包括一片介电衬底。在所述介电衬底的正面和背面分别形成电极薄膜。TE010模谐振器包括两个圆形开口，这两个开口互相面对，并在所述电极薄膜上形成。在电极薄膜上形成的两条相对的槽包括平面介质传送线(PDTL)，该PDTL连接到TE010模谐振器。通过将每条凹槽两侧上的每层电极薄膜的两部分延伸进入每个开口，形成激励段。
谐振器装置高频滤波器振荡器

[发明专利]高频电路装置以及收发装置-CN03107513.4有效
发明人：三上重幸;河内哲也;松崎宏泰;向山和孝;坂本孝一;石川容平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制无用波的传输并且可以实现小型化的高频电路装置和收发装置。在电介质衬底1的两个面上设置平面导体2的同时，在表面1A上形成缝隙线。在电介质衬底1的表面1A上设置将缝隙线夹在其中并由多段频带抑制滤波器6组成的无用波传输抑制电路5。频带抑制滤波器6由2条导体线路7A、7B、和由以螺旋状设置在导体线路7A的途中部位的旋涡状线路8A、8B组成的谐振器8来构成。由此，能够以谐振器8的谐振频率为中心来抑制频带无用波的传输。
高频电路装置以及收发

[发明专利]场效应晶体管器件-CN03107001.9无效
发明人：馬場貴博;坂本孝一;三上重幸;松崎宏泰 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种场效应晶体管器件，包括在半导体基片上的有源区域以及设置在有源区域表面上以便确定FET部分的栅极电极、源极电极和漏极电极。确定用于连接栅极的线的电极、确定用于连接源极的线的电极、以及确定用于连接漏极的线的电极设置在半导体基片上。诸电极确定了在输入端用于向FET部分提供信号的槽线和在输出端输出FET部分的信号的槽线。栅极电极具有沿着与通过输入端槽线的信号的传导方向近似垂直的方向延伸的形状。
场效应晶体管器件

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