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[发明专利]等离子体处理装置和控制生成源高频功率的生成源频率的方法-CN202280010797.6在审
发明人：玉虫元;舆水地盐;井上雅博;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变化，来调整多个波形周期中的第m个波形周期内的第n个相位期间中的生成源高频功率的生成源频率。反射的程度的变化通过在第m个波形周期之前的两个以上的周期各自的第n个相位期间中使用彼此不同的生成源频率来确定。
等离子体处理装置控制生成高频功率频率方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010502543.9有效
发明人： 松山昇一郎;田丸直树;佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和处理方法-CN202211121933.7在审
发明人：舆水地盐;玉虫元;井上雅博;上坂友佑人;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够在等离子体处理装置中从反映高频电源的负载的阻抗的匹配状态的信号中除去不需要的成分的等离子体处理装置和处理方法。在本发明的等离子体处理装置中，高频电源能够供给高频电功率以使得生成等离子体。偏置电源能够向基片支承部的电极供给具有偏置频率的电偏置能量，以使得将离子引向基片。高频电源能够对电偏置能量的周期内的多个相位期间各自中的高频电功率的频率进行调节。传感器能够检测反映高频电源的负载的阻抗相对于匹配状态的偏差的电信号。滤波器能够从在多个相位期间各自中由传感器检测出的电信号中除去高频电功率与电偏置能量的互调失真成分。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202111085961.3在审
发明人： 松山昇一郎;佐藤大树;佐佐木康晴;西岛贵史;朴镇永 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201811073526.7有效
发明人： 松山昇一郎;佐藤大树;佐佐木康晴;西岛贵史;朴镇永 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置、半导体部件和边缘环-CN202110200407.9在审
发明人：黑泽阳一;松山昇一郎;佐佐木康晴;舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内，且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND电位。而且，等离子体处理装置至少在半导体部件与供电部接触的接触面设置有导电部。根据本发明，能够抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生。
等离子体处理装置半导体部件边缘

[发明专利]等离子体处理装置和静电吸附方法-CN201810558220.4有效
发明人： 松山昇一郎;田丸直树;佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
等离子体处理装置静电吸附方法

[发明专利]载置台、基板处理装置以及边缘环-CN201980004510.7在审
发明人：佐佐木康晴;坪井恭;加藤智也;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种载置台，其是用于载置被实施等离子体处理的基板的载置台，其中，该载置台具有：静电卡盘，其吸附被配置于所述基板的周边的边缘环和该基板；和供给孔，其用于向所述静电卡盘与所述边缘环之间供给热介质，在所述边缘环和所述载置台中的至少任一者设置有槽，所述槽不与所述供给孔连通。
载置台处理装置以及边缘

[发明专利]基板处理装置-CN201310047993.3有效
发明人：永关一也;伊藤悦治;横田聪裕;桧森慎司;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
处理装置

[发明专利]上部电极和等离子体处理装置-CN201210033958.1有效
发明人： 松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提高等离子体的均匀性。本发明提供一种平行平板型的等离子体处理装置用的上部电极(105)，包括：由电介质形成的基材(105a)；和导电体层(110)，在上述基材(105a)的表面中，至少在上述等离子体处理装置的下部电极(210)侧的表面的一部分上形成，上述导电体层(110)以上述下部电极(210)侧的表面的外侧比内侧密的方式具有疏密的图案。
上部电极等离子体处理装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201110191042.4无效
发明人： 松山昇一郎;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表面以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案。以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的SiN层(104)或者氧化硅层进行蚀刻。处理气体含有PFC气体和CF3I气体，CF3I气体的流量是，以相对于PFC气体的全部气体流量为1/3以上的流量添加CF3I气体，并且，向被处理基板施加13.56MHz以下的第一频率的高频偏压。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN200910008930.0无效
发明人： 松山昇一郎;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表面以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案，以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的SiN层(104)或者氧化硅层进行蚀刻，处理气体至少含有CF3I气体，向载置被处理基板的下部电极施加具有13.56MHz以下的频率的高频电力。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN200910008929.8有效
发明人： 松山昇一郎;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置以及计算机存储介质，能够抑制高腐蚀性处理气体的使用，并且精度良好地形成规定形状的图案。当以图案形成为规定形状的光致抗蚀剂层(102)作为掩模层，利用处理气体的等离子体，对在被处理基板上形成的多晶硅层(104)进行蚀刻时，使用至少含有CF₃I气体的处理气体，以使等离子体中的离子向被处理基板加速的自偏压Vdc为200V以下的方式，向载置被处理基板的下部电极施加高频电力。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]等离子体处理装置用的载置台及等离子体处理装置-CN200710140388.5有效
发明人： 松山昇一郎;桧森慎司;松浦淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3)，包括：导电体部件，兼作等离子体生成用等的下部电极(31)；电介质层(32)，覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化；以及静电卡盘(33)，在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此，电极膜35满足条件δ/z≥1000(z，电极膜(35)的厚度；δ，电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。
等离子体处理装置载置台

[发明专利]等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置-CN200710140387.0有效
发明人：舆石公;桧森慎司;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置，其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性，能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括：兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电体部件；电介体层(22)，以覆盖导电体部件上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板(晶片W)向等离子体施加的高频电场均匀；和静电卡盘，层积在电介体层(22)上，以高频能够通过其间的方式埋设有在载置台径向上互相隔离并分割为多个的电极膜。电介体层(22)的外边缘位于分割的电极膜(23b、23d)的隔离区域(23c)内边缘的正下方或更靠外侧，分割的电极膜(23b、23d)相对于高频互相绝缘。
等离子体处理装置载置台以及

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