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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件-CN201220585484.7有效
发明人：杨杭生 -专利权人： 杭州天柱科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本实用新型公开的立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件，包括衬底，在衬底上生长有立方氮化硼薄膜，立方氮化硼薄膜与外部散热器相连，在立方氮化硼薄膜上固定有n个并联或串联的LED芯片，n≥1，LED芯片的两个电极与引出线相连，LED芯片与引出线由荧光粉胶封装。本实用新型的LED器件结构工艺简单，在LED芯片和衬底之间加入了一层立方氮化硼薄膜，利用立方氮化硼的高热导率，从横向和纵向两个通道同时向外传输芯片产生的热量，从而提高LED的散热效果，延长使用寿命。
一种立方氮化薄膜促进芯片散热白光 led 器件

[实用新型]一种白光LED器件-CN201220585904.1有效
发明人：杨杭生 -专利权人： 杭州天柱科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开的白光LED器件包括石英衬底，在石英衬底的一面有荧光粉胶，石英衬底的另一面有立方氮化硼薄膜，立方氮化硼薄膜上罩反射碗形成密闭腔，腔内有n个并联或串联的LED芯片固定在立方氮化硼薄膜上，n≥1，LED芯片的两个电极用导线引出腔外，腔外设有与立方氮化硼薄膜连接的散热器。该LED器件结构简单，利用石英和立方氮化硼的透光性，使芯片双面出光，并且采用反射碗将背面的出光和从荧光粉胶表面反射回来的反射光，重新反射到荧光粉胶层，降低光损耗，提高了LED的发光效率。且利用立方氮化硼薄膜的高热导率和石英片的低热导率，可防止荧光粉胶加热劣化，延长使用寿命。
一种白光 led 器件

[发明专利]一种全空间白光LED器件-CN201210443213.2有效
发明人：杨杭生 -专利权人： 杭州天柱科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开的全空间白光LED器件包括石英衬底，在石英衬底的一面有荧光粉胶，石英衬底的另一面有立方氮化硼薄膜，立方氮化硼薄膜上罩反射碗形成密闭腔，腔内有n个并联或串联的LED芯片固定在立方氮化硼薄膜上，n≥1，LED芯片的两个电极用导线引出腔外，腔外设有与立方氮化硼薄膜连接的散热器。该LED器件结构简单，利用石英和立方氮化硼的透光性，使芯片双面出光，并且采用反射碗将背面的出光和从荧光粉胶表面反射回来的反射光，重新反射到荧光粉胶层，降低光损耗，提高了LED的发光效率。且利用立方氮化硼薄膜的高热导率和石英片的低热导率，可防止荧光粉胶加热劣化，延长使用寿命。
一种空间白光 led 器件

[发明专利]立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件-CN201210443513.0无效
发明人：杨杭生 -专利权人： 杭州天柱科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明公开的立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件，包括衬底，在衬底上生长有立方氮化硼薄膜，立方氮化硼薄膜与外部散热器相连，在立方氮化硼薄膜上固定有n个并联或串联的LED芯片，n≥1，LED芯片的两个电极与引出线相连，LED芯片与引出线由荧光粉胶封装。本发明的LED器件结构工艺简单，在LED芯片和衬底之间加入了一层立方氮化硼薄膜，利用立方氮化硼的高热导率，从横向和纵向两个通道同时向外传输芯片产生的热量，从而提高LED的散热效果，延长使用寿命。
立方氮化薄膜促进芯片散热白光 led 器件

[发明专利]纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法-CN200910098613.2有效
发明人：杨杭生 -专利权人： 杭州天柱科技有限公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法，把立方氮化硼薄膜放入加热室中，加热室先抽真空到至少10^-3Torr，然后保持真空度不变，或充入保护气体再抽真空到至少10Torr，接着将加热室升温到1000-1300℃之间，保温1-5小时，冷却至室温即可。该方法可用于在各种衬底上沉积的立方氮化硼薄膜的残留压缩应力的释放，并且不改变立方氮化硼薄膜的组成、结构和表面形貌。极大提高立方氮化硼薄膜在各种衬底上的结合力。使立方氮化硼薄膜适用于制备加工铁基合金的刀具和磨具等，也可以适用在光学元件的保护膜，高温电子器件等领域。
纳米立方氮化薄膜残留压缩应力释放方法

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