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[发明专利]一种应用于eGaN HEMT的开通过电压建模方法-CN202210369654.6在审
发明人：闫东;杭丽君;何远彬;曾平良;何震 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于eGaN HEMT的开通过电压建模方法，属于电力电子器件建模的研究领域。方法包括以下：以功率半桥双脉冲测试电路为基础，对开通过程中的电路进行等效变换，得到不同时间区间的等效电路图，以该等效电路图为基础通过拉普拉斯变化与反变换求解出开通过程的过电压解析模型，再对电路中的寄生电容与寄生电感参数进行提取，保证了模型的精确度。
一种应用于 egan hemt 开通过电压建模方法

[发明专利]一种准单级功率因数校正电路-CN202210488296.0在审
发明人：吴琪峰;何远彬;杭丽君;何震 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单级功率因数校正电路，包括：PFC电路和LLC的DC/DC电路；其中PFC电路和LLC的DC/DC电路的两个功率管共用；PFC电路包括钳位电容、耦合电感、boost主电感、全桥整流电路和三个功率开关管；本发明利用工作在DCM模式下固定0.5占空比的交错型Boost具有输入电流自动跟踪输入电压包络的能力，以实现功率因数大于0.99；耦合电感用于滤除开关纹波；在钳位电容中点和半桥中点用开关管连接，此开关管可以调节PFC输出电压，使电路工作在轻载条件。本发明电路结构简单，电路成本低，控制电路简单，大大提高了输入信号的功率因数。
一种准单级功率因数校正电路

[发明专利]一种基于FP-SCGAN模型的妆容风格迁移方法-CN202210488449.1在审
发明人：李妹纳;杭丽君;熊攀 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FP‑SCGAN模型的妆容风格迁移方法，将特征金字塔与SCGAN算法结合。FP‑SCGAN网络共包括四个部分：PSEnc、FIEnc、MFDec以及马尔可夫判别器。PSEnc用于提取参考妆容特征，FIEnc用于提取待迁移图片的面部特征，MFDec用于将原图脸部特征和参考图像的妆容特征进行融合，马尔可夫判别器用于度量生成分布与实际分布之间的距离。该改进算法能够解决妆容迁移时眼眶存在不自然的边缘，较淡的眼妆无法迁移等问题，相比较于目前主流的SCGAN妆容迁移算法，迁移效果得到提升。
一种基于 fp scgan 模型风格迁移方法

[发明专利]一种单相逆变电路建模方法-CN202210348519.3在审
发明人： 杭丽君;潘沁怡;何远彬;李子阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种单相逆变电路建模方法，根据单相逆变电路的工作原理对不同开关状态下的状态方程进行分析，将多状态等效为单一状态，通过等效后的状态方程推导对应调制方式下的等效电路，利用等效电路考虑采样延迟和调制延迟，采用一拍延迟控制，在传递函数中加入零阶保持器和延迟，使所的z域小型号模型更加精确，为单相逆变电路的稳定性分析研究新思路。
一种单相电路建模方法

[实用新型]一种多层绕组的平面变压器-CN202123391036.1有效
发明人：郑翔;杭丽君;何远彬;沈磊;何震;曾平良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层绕组的平面变压器，对称的ER型平面磁芯、原边绕组、副边绕组和垫片。其中原边绕组由四层PCB板串联而成的15匝覆铜线圈组成，副边绕组由两层PCB板串联而成的3匝覆铜线圈组成。垫片设置在原边绕组与副边绕组之间，用于调节原、副绕组间的耦合系数，从而实现变压器漏感值的调节。本实用新型采用扁平状印制线绕组和平面磁芯得到的平面变压器可以实现高频大功率开关电源中高效率和小体积的应用需求，且绕组损耗和磁芯损耗比较低，提高了变压器的传输效率。
一种多层绕组平面变压器

[发明专利]模块化多电平换流器极对地故障穿越期间的均压控制方法-CN202210439730.6在审
发明人：何震;曾平良;杭丽君;刘燕华;秦晓辉;苏丽宁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H02J3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种模块化多电平换流器极对地故障穿越期间的均压控制方法。首先，实时检测MMC交直流侧的电气量，判断是否发生直流极对地故障；当检测到直流极对地故障发生时，MMC立即切换至极对地故障穿越控制策略同时在环流抑制器控制指令上，叠加基频前馈补偿项FD；根据叠加基频前馈补偿项后的环流抑制器控制指令，完成电容电压的平衡。本发明无需附加复杂的额外控制，仅通过在现有的环流抑制器控制指令上叠加基频环流前馈项即可实现上下桥臂子模块电容电压的均衡；本发明不仅能有效维持极对地故障穿越期间MMC上下桥臂子模块电容电压的均衡，而且能最小化环流，从而降低桥臂电流的幅值，减小MMC的运行损耗。
模块化电平换流故障穿越期间控制方法

[发明专利]一种级联交错图腾柱无桥PFC装置及其控制策略-CN202210246351.5在审
发明人：何远彬;张俊杰;杭丽君 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种级联交错图腾柱无桥PFC装置及其控制策略，该装置属于电力电子技术领域，所述的级联交错图腾柱无桥PFC装置具体包括2条工频桥臂、4条高频桥臂、2个升压电感以及2个滤波电容。其中，两条工频桥臂的中点分别与交流电源两端连接，上、下两路间的高频桥臂通过升压电感连接。基于此装置提出的一种控制策略包含了均压控制、均流控制以及载波移相和电平移位两种PWM调制策略。可以实现减小电感伏秒、减小输入电流纹波以及抑制共模噪声的技术效果；并且当两路输出滤波电容容值不等或负载大小不一致时，电路依旧能达到输出电压相等、电流相等的控制目标。
一种级联交错图腾柱无桥 pfc 装置及其控制策略

[发明专利]一种独立式的平面变压器-CN202111649934.4在审
发明人：汤毛毛;杭丽君;何远彬;沈磊;何震;曾平良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种独立式的平面变压器，包括平面磁芯、原边绕组、副边绕组和垫片。绕组由串联的PCB板上的覆铜线圈组成。平面变压器的高压侧流过电流较小，利用PCB上的线宽较窄的覆铜走线实现原边绕组的功能，副边低压大电流侧利用PCB上的线宽较宽的覆铜走线实现副边绕组功能。原边PCB绕组采用多块双面板，不同双面板PCB之间设置电气连接端点进行串联连接，并且每块PCB板形状进行专门的设计，以方便实现不同板子之间的电气连接。PCB板正反面线圈通过过孔连接。原副边绕组都设有专门的焊盘端点实现输入输出连接。本发明可通过调节原副边绕组之间的气隙间隔达到期望漏感值，使变压器达到高度集成模块化、功率密度最大化。
一种立式平面变压器

[发明专利]一种三相谐波谐振抑制装置及抑制方法-CN202010386929.8有效
发明人：何远彬;边志维;杭丽君 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开一种三相谐波谐振抑制装置及抑制方法。本发明通过实时动态调节控制策略和控制参数，操作各桥臂的协同动作，达到串联或并联虚拟阻抗的效果，实现对PCC点阻抗无源性的拓展，从而对PCC点交互谐振电压和交互谐振电流进行优化抑制，实现交互谐振区域优化抑制的目的。此外，相对于传统PCC端谐波抑制装置，本发明提出的装置不需要变压器隔离，所需半导体开关器件耐压低，电路成本低廉，功率密度高。
一种三相谐波谐振抑制装置方法

[发明专利]一种CLLLC谐振电路小信号建模方法-CN202111342982.9在审
发明人：詹昕明;杭丽君;何远彬;何震;曾平良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种CLLLC谐振电路小信号建模方法，对电路进行模态分析，结合电路原理建立拓扑的非线性状态方程，利用扩展描述函数法将其中的非线性量转换为耦合的线性量，能得到反应电路特性的状态空间方程。对其中变量的精确的近似简化和等效，可以得到较为准确的稳态值。利用推导出的大信号等效模型和S域小信号模型，对PFM调制下的CLLLC系统的影响进行研究，揭示了电路参数以及输入的控制量对系统作用的本质。从而为PFM调制方式下的CLLLC电路的控制和稳定性分析等相关研究工作提供了新的思路。
一种 clllc 谐振电路信号建模方法

[发明专利]一种并网逆变器网侧电流控制方法-CN202110632261.5在审
发明人：殷伟斌;倪秋龙;杨晓雷;叶琳;丁磊明;陶欢;方江晓;周正阳;石博隆;郭磊;杭丽君;边志伟;何远彬;韩其国 -专利权人：国网浙江省电力有限公司嘉兴供电公司;杭州电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了并网逆变器网侧电流控制方法，根据LCL型逆变器的等效拓扑图，在滤波电感L1支路和滤波电容Cf支路串入受控源(αvpcc‑igZv)，其中igZv模拟阻尼Zv可抑制逆变器自身的谐振尖峰，受控电压源αvpcc可抵抗电网谐波电压对并网电流的影响。串联在电感L1支路的受控源可整合到逆变器控制当中，而串联在电容Cf支路上的受控源则需要通过外加有源补偿装置来实现。根据逆变器整体控制框图可推导得出逆变器输出阻抗传递函数，基于无源理论进行参数设计。从而拓宽逆变器无源范围，增强逆变器输出阻抗强度，以提高逆变器系统稳定性以及对电网扰动的抑制能力。
一种并网逆变器电流控制方法

[发明专利]陀螺仪不正交误差的校准方法及校准系统-CN201910822992.9有效
发明人： 杭丽君;王冲;何远彬;沈磊;闫东;韩晓明;虞航斌;黄龙 -专利权人：杭州电子科技大学;睿魔智能科技（深圳）有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开一种陀螺仪不正交误差的校准方法及校准系统。该方法包括：步骤S110、初始化云台上陀螺仪各轴向不正交误差为零，控制云台各轴关节角处于初始零位；步骤S120、控制云台的一轴绕对应轴向转预设角度，更新转动次数；步骤S130、获取云台各轴关节角变化值及陀螺仪测得的各轴向角速度，计算转动轴轴向的不正交误差，并对各轴向的角速度进行校准；步骤S140、判断是否满足预设条件，若否，返回执行步骤S120；若是，控制该轴回到初始零位；步骤S150、判断各轴是否校准完毕，若否，控制其他轴执行步骤S120‑S140，若是，结束。本发明通过将陀螺仪安装于云台上直接校准不正交误差，避免安装误差的影响。
陀螺仪正交误差校准方法系统

[发明专利]一种同步整流Buck电路小信号建模方法-CN202110304179.X在审
发明人： 杭丽君;李子阳;杨成林;刘兆燊;尤勇;何震;何远彬;曾平良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明公开了同步整流Buck电路小信号建模方法，对建立的大信号等效电路进行线性化，结合数学模型建立小信号模型，从而得到了考虑PWM影响的Buck电路的控制‑输出的小信号模型。在此基础上考虑数字控制环路的控制延迟tcntrl和调制延迟tDPWM，进一步公开了Buck电路的z域小信号模型。本发明对等效电路进行线性化，并结合数学模型对其进行小信号特性进行讨论，能得到考虑PWM影响的Buck电路的控制‑输出的小信号模型。本发明在考虑数字控制环路的控制延迟tcntrl和调制延迟tDPWM的基础上，可以从等效电路得到Buck电路的z域小信号模型。从而为PWM调制方式的数字控制方式同步整流Buck电路的控制和稳定性分析等相关研究工作提供了新的思路。
一种同步整流 buck 电路信号建模方法

[发明专利]一种基于损失函数的视频图像分割稳定性提升方法-CN202110271743.2在审
发明人： 杭丽君;朱佳炜;丁明旭;熊攀;宫恩来 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于损失函数的目标分割稳定性提升方法，包括以下步骤：S1，模拟视频序列；S2，训练模型；S3，预训练模型微调；S4，引入稳定性损失调整模型。本发明实例针对深度学习方案构建的检测器不但提高了精度，并且在可视化验证下对于连续帧中的相同目标在边界处的一致性显著提升，减少了大量误分割和孔洞漏分割，提高了静态图像训练的模型在视频数据下的分割稳定性，有效的缓解了视频分割的抖动问题。在损失函数中引入了稳定性损失，提高了分割的精度，实现了对于视频数据分割精度的优化。
一种基于损失函数视频图像分割稳定性提升方法

[发明专利]一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路-CN202010345988.0有效
发明人： 杭丽君;李国文;童安平;曾庆威;何远彬;沈磊;张尧 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n‑mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n‑mos管的漏极与第二n‑mos管的漏极连接，第一n‑mos管和第二n‑mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n‑mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。
一种具有可调 sic mosfet 栅极抑制驱动电路