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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202111300233.X在审
发明人：林奕佑;许博凯;王骏豪;杨玉如;范儒钧;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。所述电阻式随机存取存储器包括基底、栅极、栅介电层、第一电极、第二电极、可变电阻层、第一掺杂区与第二掺杂区。所述基底具有柱体，其中所述柱体自所述基底的表面突出。所述栅极环绕所述柱体的部分侧表面。所述栅介电层设置于所述栅极与所述柱体之间。所述第一电极设置于所述柱体的顶面上。所述第二电极设置于所述第一电极上。所述可变电阻层设置于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一掺杂区，设置于所述栅极下方的所述柱体中以及所述柱体下方的部分所述基底中。所述第二掺杂区设置于所述栅极与所述第一电极之间的所述柱体中。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201710953109.0有效
发明人：刘志建;谢朝景;杨玉如;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底中包含有一扩散区，一晶体管结构，位于该基底上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN201510724668.5有效
发明人： 杨玉如;江怀慈;林胜豪;黄世贤;陈建宏;吴俊元;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包含有一半导体基底、一形成于该半导体基底上且其内包含有至少一凹槽的介电结构、一形成于该凹槽内的鳍片结构、以及一形成于该鳍片结构内的差排区域。该半导体基底包含有一第一半导体材料，而该鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该差排区域的一最高部分高于该凹槽的一开口。
半导体结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610018287.X有效
发明人：陈建宏;黄世贤;杨玉如;曾嘉勋;蔡成宗;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补。该基底包含有一第一半导体材料，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁隧穿结装置及其形成方法-CN201910030827.X在审
发明人：陈纬;王慧琳;杨玉如;林进富;邹宜勲;杨钧耀 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧穿结装置及其形成方法，该磁隧穿结装置包含两个磁隧穿结元件以及一磁屏蔽层。两个磁隧穿结元件并排设置。磁屏蔽层设置于两个磁隧穿结元件之间。一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一层间层，其中层间层包含一磁屏蔽层。接着，蚀刻层间层，以形成凹槽于层间层中。接续，填入磁隧穿结元件于凹槽中。或者，一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一磁隧穿结层。之后，图案化磁隧穿结层，以形成磁隧穿结元件。而后，形成一层间层于磁隧穿结元件之间，其中层间层包含一磁屏蔽层。
磁隧穿结装置及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510644705.1有效
发明人：陈建宏;黄世贤;杨玉如;江怀慈;李皞明;林胜豪;蔡成宗;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。
半导体元件及其制作方法

[外观设计]茶艺套件-CN201930174038.4有效
发明人： 杨玉如;余美莲;迟华玉;鲁月梅;徐敏;卞仪涵 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： 06-13 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶艺套件。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于茶室里的桌子上。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：套件1主视图。5.本外观设计产品为平面产品，省略套件1、套件2、套件3和套件4的其他视图;套件2的后视图与套件2的主视图相同，省略套件2的后视图。6.套件1为桌旗，套件2为茶具包，套件3为茶垫，套件4为茶巾。
套件外观设计省略平面产品茶具包茶室茶垫桌旗桌子图案图片

[发明专利]集成电路与其形成方法-CN201410500432.9有效
发明人：杨智伟;刘玉峰;柯建村;许家福;杨玉如;刘恩铨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路与其形成方法，该集成电路包含一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。
集成电路与其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201710998624.0在审
发明人： 杨玉如;刘志建;谢朝景;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)，包含一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该源/漏极区上并电连接于该鳍状晶体管。
半导体结构鳍状晶体管源/漏极电极电阻式随机存取存储器电阻转换栅极结构鳍状结构电连接基底鳍状制作

[外观设计]茶艺套件-CN201830043788.3有效
发明人： 杨玉如;刘鹤;迟华玉;鲁月梅;徐敏;卞仪涵 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： 06-09 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：茶艺套件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于茶室里的桌子上和椅子上。3．本外观设计产品的设计要点：本产品的主要设计要点是整体外观和图案的结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：套件1主视图。5．省略视图：本外观设计套件1、套件2、套件3和套件4，为平面产品，故省略套件1、套件2、套件3和套件4的其它视图。6．请求保护的外观设计套件1为桌旗，套件2为靠垫，套件3为茶垫，套件4为茶巾。
套件外观设计省略平面产品整体外观茶垫茶室靠垫桌旗椅子桌子图案图片

[外观设计]手包-CN201830043789.8有效
发明人：鲁月梅;刘鹤;迟华玉;杨玉如;徐敏;卞仪涵 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：手包。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于存放物品。3．本外观设计产品的设计要点：整体外观和图案的结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
手包

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201510700127.9在审
发明人：黄世贤;陈建宏;吴俊元;陈坤新;吴典逸;杨玉如;江怀慈 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构，包含有一半导体基底，以及至少一形成于该半导体基底上的鳍片结构。该半导体基底包含有一第一半导体材料。该鳍片结构包含有一第一外延层与一形成于该第一外延层与该半导体基底之间的第二外延层，而该第一外延层包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该第二外延层包含有该第一半导体材料与该第二半导体材料，且该第二外延层包含有导电掺杂质。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种废铝易拉罐处理有机废水的方法-CN201410164875.5无效
发明人：艾智慧;卢刚;杨玉如;石玉玲;吴昊 -专利权人：华中师范大学
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C02F1/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种废铝易拉罐处理有机废水的方法。其步骤为：将废铝易拉罐收集、破碎、酸洗除去油污、化学除漆、水洗、自然干燥处理，获得能直接用于废水处理的铝片材料；将待处理的有机废水pH调节为1-2，然后向其中添加铝片材料，通入空气或氧气，在气流的搅动下进行有机废水的处理。该方法适用于各种有机废水处理，持久性好，效率高，环境友好，无二次污染。
一种易拉罐处理有机废水方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201010167912.X有效
发明人：黄光耀;杨玉如;廖俊雄;周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有半导体基底、形成于该半导体基底上的栅极介电层、以及至少一形成于该栅极介电层上的第一导电型金属栅极。该第一导电型金属栅极还包含有填充金属性层，以及设置于该栅极介电层与该填充金属性层之间的U型金属性层，且该U型金属性层的最高部分低于该填充金属性层。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]金属栅极结构及其制造方法-CN201010167177.2有效
发明人： 杨玉如;李宗颖;林进富;许启茂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极结构及其制造方法，此方法是先在半导体基底上形成具有高介电常数的栅介电层，接着在栅介电层上方形成第一含金属层，其中此第一含金属层具有远离栅介电层的表面。然后，对第一含金属层的上述表面进行表面处理，以提高此表面的含氮量。之后，在第一含金属层的上述表面上形成硅层。由于硅层是形成在含氮量高的表面上，因此可避免第一含金属层内的金属材料催化硅层的沉积，进而提升工艺良率。
金属栅极结构及其制造方法

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