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[发明专利]一种智能移动设备集中调查取证系统及基于其的调查取证方法-CN202210792226.4有效
发明人：吴慧欣;王喆;彭锋;杨梦凡;马琳;孔宇皓;陈凯源;倪梦琪;曹萌迪;朱洋;王留毅;陈继坤 -专利权人：华北水利水电大学;河南中盟电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开一种智能移动设备集中调查取证系统及基于其的调查取证方法，该系统包括：多个安装有取证客户端APP的智能移动设备，安装有调查取证服务器端APP的中心服务器，数据分析终端；所述中心服务器同时连接取证网络与调查网络，智能终端使用无线方式经无线接入点连接至取证网络或使用具有隔离功能的USB有线以太网连接至取证网络，两个网络互相隔离禁止互相访问；所述中心服务器用于接收智能移动设备中的客户端连接、接收取证数据，还用于向数据分析终端提供取证数据目录及取证数据，并保存调查结果。本发明可以实现高并发地取证及分布式样本调查，具有较高的调查取证效率。
一种智能移动设备集中调查取证系统基于方法

[发明专利]一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202210767073.8有效
发明人：马文力;李浩;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了二极管芯片技术领域内的一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法。该种快恢复二极管芯片，包括：从下至上依次设置的重掺杂N型衬底、纵向N型缓冲层、轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层；还包括重掺杂P型阱、重掺杂N型阱和横向N型缓冲层，重掺杂P型阱设置于轻掺杂P型保护层内，重掺杂N型阱设置于重掺杂N型衬底上方，重掺杂N型阱设置于轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层侧方，横向N型缓冲层设置于重掺杂N型阱和轻掺杂N型外延层、轻掺杂P型保护层之间。该种快恢复二极管芯片通过重掺杂N型阱、横向N型缓冲层结合P型保护层，实现了快恢复二极管芯片抗单粒子烧毁性能的巨大提升。
一种粒子烧毁效应恢复二极管芯片及其制备方法

[发明专利]基于CDN标记的社交媒体用户位置推断方法-CN202310652386.3在审
发明人：吴慧欣;王喆;李家辉;乔亚琼;陈继坤;杨梦凡;马琳;安丽鑫 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F16/9537 文献下载
摘要：本发明提供一种基于CDN标记的社交媒体用户位置推断方法。该方法包括：步骤1：接收社交媒体客户端的媒体内容发布请求，使用CDN服务器和远程服务器按照预设的媒体内容发布方式对所述媒体内容进行发布以收集网络特征；步骤2：基于网络特征对具有相同网络特征的用户进行聚类；步骤3：根据聚类结果推断出目标用户的位置信息。本发明充分利用本地、异地CDN服务器的差异，从CDN服务器的处理日志中挖掘用户的网络特征，进而根据网络特征推断用户所在地理位置，摆脱对IP数据库的依赖，解决人为改变IP地址影响地理位置判定的问题。
基于 cdn 标记社交媒体用户位置推断方法

[发明专利]一种软快恢复二极管及其制备方法-CN202211626241.8有效
发明人： 杨梦凡;马文力;李浩 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件技术领域内的一种软快恢复二极管及其制备方法。该二极管包括：N+型衬底，N+型衬底中包含磷原子，磷原子浓度由N+型衬底背面至N+型衬底正面逐渐降低；N型外延层，N型外延层设置于N+型衬底上方；P‑型掺杂区，P‑型掺杂区设置于N型外延层上部；P+型掺杂区，P+型掺杂区设置于P‑型掺杂区上部；其中，N+型衬底和N型外延层中包含铂杂质，铂杂质由N+型衬底背面至N型外延层正面逐渐降低。该二极管反向恢复的软度特性得到了极大地提升，大幅降低在反向恢复最后阶段引起电压过冲的可能，提升了器件的可靠性和稳定性。
一种恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种台面结构快恢复二极管及其制备方法-CN202211631978.9有效
发明人：李浩;马文力;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种台面结构快恢复二极管及其制备方法。该二极管包括：N型硅衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型硅衬底上方；P型注入层，P型注入层设置于N型外延层上方；氧化硅或氮化硅区，氧化硅或氮化硅区设置于P型注入层内；其中，N型硅衬底、N型外延层和P型注入层内均包含铂杂质，铂杂质在氧化硅或氮化硅区富集。该二极管中的铂杂质在氧化硅或氮化硅区富集，相较常规的快恢复二极管，该二极管具有较低的正向导通压降和反向恢复电流；同时该二极管中的氧化硅或氮化硅在硅中稳定性高，从而避免高温热扩散或弛豫效应导致缺陷消失、器件失效的问题，提升了器件的可靠性。
一种台面结构恢复二极管及其制备方法

[发明专利]基于超参数优化的时间差分网络的异常行为检测方法-CN202310352065.1在审
发明人：魏富鹏;杨梦凡;乔亚琼;吴慧欣;姜维;李家辉 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06V20/40 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于超参数优化的时间差分网络的异常行为检测方法，对异常行为视频进行标注构建短视频数据集；稀疏采样得到图像序列；将图像序列输入局部模型得到局部特征；将局部特征输入全局模型获得全局特征；通过加权平均对不同时间段的深度特征进行融合；选择可能性最高的分类作为最终的预测分类；通过超参数优化自动选择S‑TDM模块和L‑TDM模块的TDN网络的超参数和网络层数得到异常行为检测的最优化模型；使用最优化模型对任意视频进行切段处理得到每个视频小段对应的预测分类，从而实现对学生异常行为的实时监控。本发明采用可自动寻优的超参数优化技术，无需人为设置模型的超参数，实现对异常行为的识别与分类。
基于参数优化时间差网络异常行为检测方法

[发明专利]一种基于PXE的便携式系统维护装置及方法-CN202211719322.2在审
发明人：吴慧欣;王喆;彭锋;杨梦凡;马琳;孔宇皓;陈凯源;倪梦琪;曹萌迪;朱洋;王留毅;陈继坤 -专利权人：华北水利水电大学;河南中盟电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04L41/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于PXE的便携式系统维护装置及方法，包括便携维护设备，便携维护设备包括SoC芯片、上行网络适配器、下行网络适配器、设备存储、维护接口和无线网络模块，软件部分包括管理服务、DHCP服务、HTTP服务和TFTP服务，待维护设备通过在下行网络获取到便携维护设备DHCP服务提供的地址，并使用过该地址进行网络通信，待维护设备的引导程序根据DHCP报文中的PXE启动信息下载PXE引导程序并启动维护系统。本发明便于携带，被维护设备可进行网络安装操作系统和软件的安装、更新等维护操作，可以一次服务一台或多台计算机设备，满足大型自治系统计算机操作系统及软件的安装、管理需要。
一种基于 pxe 便携式系统维护装置方法

[发明专利]一种装配式自复位粘弹性抗震韧性提升体系及方法-CN202310259452.0在审
发明人：董尧荣;高望;朱丽华;徐赵东;杨梦凡 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本发明公开了一种装配式自复位粘弹性抗震韧性提升体系及方法，包括外包钢板组件、粘弹性阻尼器、斜撑钢板和三个SMA自复位阻尼器；所述粘弹性阻尼器通过外包钢板组件与梁或柱连接，SMA自复位阻尼器两端分别与粘弹性阻尼器和节点钢板铰接；在小震时通过SMA自复位阻尼器与粘弹性阻尼器共同变形耗能减震；在大震时，SMA自复位阻尼器达到限值，主要依靠粘弹性阻尼器剪切变形减震耗能；该复合阻尼器中的SMA材料给予装置一定的自复位能力，将结构设计从“延性”变为“韧性”，且各部件均采用装配式连接，有利于在震后损害构件的局部更换，将设计目标从“生命安全”增加至“性能恢复”。
一种装配式复位粘弹性抗震韧性提升体系方法

[发明专利]一种半导体换能桥及其制备方法-CN202310078880.3在审
发明人：马文力;李浩;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F42C19/08 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件技术领域内的一种半导体换能桥及其制备方法。该半导体换能桥包括：绝缘型衬底；掺杂层，设置于绝缘型衬底衬底上方，掺杂层包括P型轻掺杂区、P型重掺杂区、N型重掺杂区，P型重掺杂区设置于P型轻掺杂区两侧，N型重掺杂区设置于P型重掺杂区两侧；薄氧化层，设置于掺杂层上方；氮化硅层，设置于薄氧化层上方；金属压焊点，设置于氮化硅层上方，金属压焊点下部与N型重掺杂层接触；金属焊接层，设置于绝缘型衬底下方。该半导体换能桥的P型耗尽型器件可向外部提供更高的能量且反向漏电流低、工作寿命长；且其P型重掺杂区位于P型轻掺杂区两侧，从而提高了封装工作效率。
一种半导体换能桥及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202211470523.3在审
发明人：李浩;马文力;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种快恢复二极管芯片及其制备方法。该芯片包括：N型硅衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型硅衬底上方；P型外延层，P型外延层设置于N型外延层上方，P型外延层从下至上依次由P型外延层一、高缺陷薄层和P型外延层二组成，高缺陷薄层包括P型掺杂和N型掺杂；其中，N型硅衬底、N型外延层、P型外延层中均掺杂有铂杂质，铂杂质在高缺陷薄层处富集。由于缺陷处结合能较低，铂杂质会更多地富集在高缺陷薄层附近，导致铂杂质在轴向的非均匀分布，从而使得该二极管芯片具有更小的正向导通压降和更小的反向恢复电流。
一种恢复二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种模块化平板涂布装置-CN201911025607.4有效
发明人：董金城;李荔萍;周才凡;马文杰;杨梦凡 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C12M1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种模块化平板涂布装置，包括动力机构和涂布机构：动力机构包括第一齿轮、电机、第一模块架，第一齿轮与电机通过电机轴连接，电机固定在第一模块架上，第一模块架上具有第一装配部；涂布机构包括设置在夹持装置上的涂布棒、旋转工作台、轴承、第二齿轮、第二模块架，轴承固定在第二模块架底部与转轴的一端连接，转轴的另一端穿越第二模块架上部与旋转工作台固定连接，夹持装置固定在第二模块架上部旋转工作台一侧，第二齿轮与转轴传动连接，第二模块架上具有第二装配部，用于与第一装配部装配连接；第一装配部与第二装配部装配连接时，第一齿轮与第二齿轮啮合连接。装置解决了目前手工涂布作业效率低、涂布效果不稳定的问题。
一种模块化平板装置

[发明专利]一种TiSi势垒的制备方法-CN202211439613.6在审
发明人：徐婷;董文俊;齐露露;卞欣彤;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种TiSi势垒的制备方法。本方法包括以下步骤：S1:在Si衬底表面低温溅射一层Ti薄膜金属层；S2:在真空环境下进行合金；S3:纯N2气氛中高温快速退火，获得TiSi化合物层；S4:扒除Ti薄膜金属层；S5:在TiSi化合物层上表面溅射一层金属薄膜层，金属薄膜层为铝、铝系合金、铜、铜系合金、钨、钨系合金、镍、镍系合金中的一种；S6:在N2和H2的气氛中进行合金，调整势垒高度；S7:湿法去除金属薄膜层，获得TiSi势垒金属层。本方法通过冷溅工艺溅射Ti结合真空合金制得Ti薄膜金属层，再结合特定金属掺杂调整降低TiSi势垒的势垒高度，从而使得制备的半导体硅器件功耗较低。
一种 tisi 制备方法

[实用新型]机柜-CN202221641150.7有效
发明人：邓瑶;李伟;王晨;杨梦凡 -专利权人：中国工商银行股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G07F19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种机柜，其包括：柜体；盖体，盖体与柜体铰接设置，盖体具有相对柜体设置的开启位置和闭合位置；驱动部，设置在盖体的内壁上；减速机构，设置在柜体内，减速机构具有相对设置的减速状态和复位状态，当盖体由开启位置向闭合位置转动时，驱动部能够与减速机构驱动连接，以使减速机构处于减速状态；当盖体处于开启位置时，减速机构处于复位状态。通过本申请提供的技术方案，可以解决现有技术中的关闭盖体过程中，盖体与柜体碰撞而导致盖体或零部件损坏的问题。
机柜

[发明专利]基于AI视觉识别和区块链技术的食品安全可视化系统-CN202210818624.9在审
发明人：周云飞;刘婷;杨梓童;杨梦凡;魏雪 -专利权人：西安财经大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AI视觉识别和区块链技术的食品安全可视化系统，包括：视觉识别模块，用于通过AI视觉识别技术识别食品种类，获取食品信息；溯源模块，与所述视觉识别模块连接，用于通过区块链网络追溯食品来源，获得食品的质检结果；可视化模块，与所述视觉识别模块连接，用于呈现所述食品信息、食品的质检结果。识图、追溯、可视化三部分构建一个完整的食品安全溯源系统，可完成对食品安全信息掌控，追踪食品源头，减少食品安全问题的发生，具有操作简单方便、数据来源安全可靠、呈现效果清晰明了的特点以及广泛的技术和商业应用价值。
基于 ai 视觉识别区块技术食品安全可视化系统

[发明专利]一种土壤修复土方开挖量的计算方法-CN202210668508.3在审
发明人： 杨梦凡;叶渊;于宗莲;张楷;刘小娟;安学超 -专利权人：森特士兴环保科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种土壤修复土方开挖量的计算方法，利用待开挖区域中的现场测绘和钻探数据对场地地质情况进行反距离权重法插值，建立顶板高程面和底板高程面，顶板高程面将待开挖基坑区域所对应的地表分割为连续的若干像元，底板高程面将基坑底面分割为连续的若干像元，两高程面上的像元在高度方向上呈一一对应；依据设定的待挖土壤边界条件，形成待挖土壤的挖掘区域；依据挖掘区域内的顶板高程面与底板高程面上的像元面积值和高差，计算挖掘区域内的土壤总方量。本发明利用现有检测数据，灵活设定开挖地层的顶板高程面及底板高程面，分别计算不同结构性质、不同污染程度的土层边界，进而计算出总挖方量，更精确的场地模拟效果和方量计算结果。
一种土壤修复土方开挖计算方法

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