“杨应田”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202310896932.8在审
发明人：缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏 -专利权人：迈感微电子（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括：第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔。或者第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，本发明可以改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。
一种薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202310890269.0在审
发明人：缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏 -专利权人：迈感微电子（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，谐振器包括谐振区和环绕谐振区的边缘区，谐振区包括依次层叠设置的衬底、空腔、底电极、压电层和顶电极；谐振器顶电极之外的部分为边缘区，边缘区包括支撑在衬底第一表面的支撑部和位于支撑部和谐振区之间的悬浮部，支撑部和悬浮部均包括压电层；悬浮部还包括第一凸出部，第一凸出部邻近衬底的表面与衬底的第一表面的距离小于悬浮部的其他区域邻近衬底的表面与衬底的第一表面之间的距离；且悬浮部邻近衬底的表面与衬底的第一表面不接触。本发明可以对沿谐振器平面内传播的横向声波进行多次反射，进而有效的改善传统薄膜体声波谐振器横向声波能量往衬底泄露的问题，极大地提高谐振器的Q值。
一种薄膜声波谐振器及其制备方法

[实用新型]一种薄膜体声波谐振器及滤波器-CN202222334481.2有效
发明人：缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏 -专利权人：华景科技无锡有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器及滤波器。一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的一侧设置有一个空腔；振子，所述振子设置在所述衬底设置有空腔的一侧，所述振子在所述衬底上的投影覆盖所述空腔在所述衬底上的投影，所述振子贯穿开设若干个连接所述空腔的通孔；所述多个通孔为椭圆孔，所述椭圆孔沿平行于所述衬底平面方向的横截面为椭圆形，所述椭圆孔的延伸方向垂直于所述衬底所在的平面；反射结构，所述反射结构位于所述第二电极远离所述衬底的一侧。通过添加椭圆孔可以有效抑制横向寄生杂波的共振，而第二电极上反射结构的设计还可以进一步增强整体结构对横向声波的反射，减少能量泄露。
一种薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器以及滤波器-CN202211429960.0在审
发明人：缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏 -专利权人：迈感微电子（上海）有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器以及滤波器。该薄膜体声波谐振器，包括：支撑衬底，所述支撑衬底的一侧开设有空腔；覆盖所述空腔的底电极，所述底电极至少包括中间区域，所述中间区域与所述支撑衬底相互隔离设置；压电层，其位于所述底电极远离所述支撑衬底的一侧；顶电极，其位于所述压电层远离所述支撑衬底的一侧。通过将底电极中的中间区域与支撑衬底相互隔离设置，确保了谐振器的主谐振区域与底部四周的支撑衬底隔离，进而减少了谐振器的主谐振区域与支撑衬底的接触面积，可有效减少谐振器振动能量向衬底的泄露，提高谐振器品质因数Q值。
一种薄膜声波谐振器以及滤波器

[发明专利]压电器件及其制作方法-CN202110839236.4在审
发明人：项少华;王冲;王大甲;蔡敏豪;杨应田 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L41/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电器件的制作方法以及压电器件。其中，压电器件的制作方法包括：提供基底；于基底表面形成压电材料层；于压电材料层表面形成保护材料层；于保护材料层表面形成图形化掩膜层；基于图形化掩膜层，依次对保护材料层以及压电材料层进行刻蚀，以依次形成保护层以及压电初始层，并去除图形化掩膜层以及保护层；对压电初始层进行处理，以形成表面粗糙度小于压电初始层表面粗糙度的压电层。本申请可以有效提高压电器件的压电性能。
压电器件及其制作方法

[发明专利]一种具有高激光损伤阈值的耐高温氧化铌薄膜制备方法-CN201910640397.3有效
发明人：许程;蔡文哲;杨应田;李大伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高激光损伤阈值的耐高温氧化铌薄膜制备方法，以卤化铌前驱体和复合添加剂滴加去离子水搅拌陈化制得含铌的胶体，采用提拉镀膜法或旋涂镀膜法在基底上镀膜，退火热处理获得氧化铌薄膜。本发明使用卤化铌前驱体代替常规的铌醇盐前驱体，减少了制备的氧化铌薄膜中的碳含量，在高温条件下减少了薄膜中碳的累积问题，有利于提高薄膜的光学性能与激光损伤阈值；复合添加剂中的螯合剂改善了成膜性能，使获得的薄膜表面均匀平整，内部缺陷少；耐高温添加剂则进一步增强了薄膜的耐高温特性。最终获得了具有在高温下拥有高激光损伤阈值的薄膜，解决了常规的溶胶凝胶氧化铌薄膜在高温下无法获得高激光损伤阈值的难题。
一种具有激光损伤阈值耐高温氧化薄膜制备方法

[发明专利]SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端-CN202011160246.7在审
发明人：项少华;王冲;罗传鹏;杨应田 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明提供了一种SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端，可以在单个压电衬底的两相对设置的第一表面和第二表面上分别设置相应的叉指电极，由此可以在单个压电衬底的第一表面和第二表面上实现了不同的滤波器的设置，从而提高了单位面积内的滤波器个数，集成度得到大的提高。
saw 滤波器加工封装方法通讯终端

[发明专利]一种声表面波滤波器及其形成方法-CN202010884194.1在审
发明人：项少华;王冲;杨应田;冯雪丽 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H03H9/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种声表面波滤波器及其形成方法。在制备声表面波滤波器时，先将封装盖板键合在压电材料层上，从而可以在封装盖板能够对压电材料层进行稳固支撑的情况下，对压电材料层执行减薄工艺，进而可以在减薄后的压电材料层上直接沉积布拉格反射层中的低声阻抗材料层和高声阻抗材料层。即，本发明提供的形成方法中，通过将器件的加工工艺和器件的封装工艺相互结合，不仅可以直接制备出封装后的声表面波滤波器，有效简化了器件的制备步骤，并且还有利于降低布拉格反射层的制备难度，进一步实现工艺简化的目的。
一种表面波滤波器及其形成方法

1
共 8 条