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[发明专利]采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法-CN202010655248.7有效
发明人： 杨伊杰;蒋卫娟;缑娟;孙炎权 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明属于功率器件封装结构的技术领域，具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法，采用多芯片堆叠结构的功率分立器件包括散热基板；至少两个芯片，其分别粘接在所述散热基板上，或者所述至少两个芯片以堆叠的方式粘接在所述散热基板上；其中，所述至少两个芯片与所述散热基板之间，或者所述至少两个芯片之间，均设有导电银浆层；其中，所述导电银浆层的点胶图案为星状或者十字状。采用多芯片堆叠结构的功率分立器件的制备方法可以制备上述采用多芯片堆叠结构的功率分立器件。本发明提供的采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法，既能保证功率器件的散热要求，又实现大功率器件封装结构小型化的目的。
采用芯片堆叠结构功率分立器件及其制备方法

[发明专利]一种顶部散热功率器件引线框架-CN202210971305.1有效
发明人：赵文涛;魏志丹;张涛;杨伊杰 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种顶部散热功率器件引线框架，包括一对平行边框，平行边框之间设置有引线框架单元组，引线框架单元组包括四个矩阵状排列的框架单元，分别为第一框架单元、第二框架单元、第三框架单元与第四框架单元，每个框架单元包括载片区和引脚区，引脚区包括顶部引脚和底部引脚，引线框架单元组的内部设有分流区，分流区分别与第一至四框架单元的底部引脚连接，且位于第一至四框架单元围成区域的中心。本发明通过封装后，形成一种顶部散热功率器件，顶部散热技术可以提供更佳的散热性能，有效提高产品功率密度。本发明还能降低封装难度，解决现有引线框架的结构对封装模具及封装工艺要求高的问题，还能提高树脂利用率，增加产品封装良率。
一种顶部散热功率器件引线框架

[实用新型]一种clip铜片及条带-CN202123087968.7有效
发明人：赵文涛;张涛;韩萌;杨伊杰 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种clip铜片及条带，涉及功率半导体器件封装制造技术领域。解决现有clip铜片在小型封装时散热能力不够以及因粘接面积大易导致粘接剂锡膏产生过多气泡，导致产品的电性能及可靠性差的问题。该clip铜片包括：散热边框，其围绕芯片粘接部设置，且其一侧与连接部连接；其中，所述芯片粘接部的上表面的高度低于所述散热边框的上表面的高度；第一U形槽，其设置在所述散热边框远离所述连接部的一侧，延伸至所述芯片粘接部内，且其延伸至芯片S极的BUS线以内。
一种 clip 铜片条带

[实用新型]一种新型TO-263引线框架-CN202121838812.5有效
发明人：魏志丹;杨伊杰;赵文涛;张涛 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型TO‑263引线框架，涉及半导体封装技术领域。该引线框架可提高爬电电压、增大载体面积以及节约铜材。包括：散热区、载片区、引脚区；散热区设置在载片区的上方，所述散热区和所述载片区之间设置有椭圆形锁胶槽；所述引脚区设置在所述载片区下方，且所述引脚区下方设置边框；所述引脚区设置有第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和所述第二引脚以及和所述载片区之间相互隔离。
一种新型 to 263 引线框架

[发明专利]一种clip铜片及条带-CN202111502245.0在审
发明人：赵文涛;张涛;韩萌;杨伊杰 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种clip铜片及条带，涉及功率半导体器件封装制造技术领域。解决现有clip铜片在小型封装时散热能力不够以及因粘接面积大易导致粘接剂锡膏产生过多气泡，导致产品的电性能及可靠性差的问题。该clip铜片包括：散热边框，其围绕芯片粘接部设置，且其一侧与连接部连接；其中，所述芯片粘接部的上表面的高度低于所述散热边框的上表面的高度；第一U形槽，其设置在所述散热边框远离所述连接部的一侧，延伸至所述芯片粘接部内，且其延伸至芯片S极的BUS线以内。
一种 clip 铜片条带

[发明专利]一种新型TO-263引线框架-CN202110900315.1在审
发明人：魏志丹;杨伊杰;赵文涛;张涛 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型TO‑263引线框架，涉及半导体封装技术领域。该引线框架可提高爬电电压、增大载体面积以及节约铜材。包括：散热区、载片区、引脚区；散热区设置在载片区的上方，所述散热区和所述载片区之间设置有椭圆形锁胶槽；所述引脚区设置在所述载片区下方，且所述引脚区下方设置边框；所述引脚区设置有第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和所述第二引脚以及和所述载片区之间相互隔离。
一种新型 to 263 引线框架

[实用新型]采用多芯片堆叠结构的功率分立器件-CN202021335170.2有效
发明人： 杨伊杰;蒋卫娟;缑娟;孙炎权 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型属于功率器件封装结构的技术领域，具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件，其包括散热基板；至少两个芯片，其粘接在所述散热基板上；其中，所述至少两个芯片与所述散热基板之间，或者所述至少两个芯片之间，均设有导电银浆层。本实用新型的结构既能保证功率器件的散热要求，又实现大功率器件封装结构小型化的目的。
采用芯片堆叠结构功率分立器件

[发明专利]CSOP陶瓷小外形封装方法-CN200910117729.6有效
发明人：辛伟德;蒲彦武;杨伊杰;张剑敏 -专利权人：天水七四九电子有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种CSOP陶瓷小外形封装方法，它是通过清洗工艺、上芯工艺、键合工艺、封前烘焙工艺、封装工艺和打印工艺组成。采用上述CSOP陶瓷小外形封装方法封装的集成电路具有优良的电性能和热性能，体积小，重量轻，广泛应用于航空、航天等领域。应用时通过在PCB焊盘上印刷焊膏，再经过回流焊烧结焊点来实现电气连接。
csop 陶瓷外形封装方法