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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510884600.3在审
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矢岛明;村中诚志
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瑞萨电子株式会社
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2015-12-03
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2016-06-15
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H01L23/485
- 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。
- 半导体器件及其制造方法
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