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[发明专利]一种量热式流量传感器优化方法和流量传感器-CN202211480349.0在审
发明人：张宾;庄磊;朱瑞;程元红;陈新准;钟文兵;马鹏飞;李若朋 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种量热式流量传感器优化方法和流量传感器，涉及流量传感器的设计领域，该方法包括：采用COMSOL软件，建立需要求解的量热式流量传感器的初始几何物理模型；导入信号提取电路，将所述信号提取电路与所述初始几何物理模型相连；设置边界条件；划分网格并计算。本申请实施例将制作热敏电阻的悬膜干法蚀刻/湿法蚀刻的工艺、驱动电路、信号提取方式、流道设计、加热过程中热敏电阻三维空间中系数的变化、以及自然热对流过程中的系统热稳定时间、传感器的流道等多种强耦合的设计考虑在设计优化方法中，不但可以提升优化结果的可信性和实用性，而且还可以降低计算时长、提高计算效率。
一种量热式流量传感器优化方法

[发明专利]量热式绝对湿度传感器优化方法和绝对湿度传感器-CN202211480369.8在审
发明人：张宾;庄磊;陈新准;李若朋;程元红;朱瑞;李婷 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种量热式绝对湿度传感器优化方法和湿度传感器，涉及湿度传感器的设计领域，该方法包括：使用COMSOL软件建立需要求解的量热式绝对湿度传感器的初始几何物理模型；导入提取电路，将所述提取电路与所述初始几何物理模型相连；设置边界条件；划分网格并计算。本发明实施例将制作测温元件的悬膜干法蚀刻/湿法蚀刻的工艺、驱动电路、信号提取方式、不同温度湿空气的传热性能的变化、加热过程中测温元件三维空间中系数的变化、以及自然热对流过程中的系统热稳定时间等任一强耦合的设计考虑在设计优化方法中，提升优化结果的可信性和实用性。
量热式绝对湿度传感器优化方法

[发明专利]一种SOI晶圆芯片的分离方法-CN202211322910.2在审
发明人：张宾;李若朋;陈新准;庄磊;朱瑞;陈善任;程元红;肖钧尹;钟文兵 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si3N4‑顶部保护层耐腐蚀金属‑底部保护层SiO2”结构，即“Si3N4‑耐刻蚀材料‑SiO2”结构，可显著提高芯片分离良率，且具有通用性，也适用于其它在SOI晶圆上制备的器件，具有较好的应用前景。
一种 soi 芯片分离方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202211283613.1在审
发明人：张宾;肖钧尹;朱瑞;陈新准;陈善任;程元红;李若朋;雷作双 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：在晶圆表面设置保护层；对所述保护层的表面进行粗糙化处理；在粗糙化处理后的所述保护层的表面上形成器件图形；在至少包含所述器件图形的保护层区域的表面上设置导电层；去除除所述器件图形之外的保护层区域表面上的所述导电层。本申请不但可以有效地降低导电层从保护层表面脱落的概率，而且能够维持所制得半导体器件的灵敏度。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件-CN202210585554.7在审
发明人：张宾;朱瑞;陈新准;陈善任;肖钧尹;李若朋;雷作双;张福容 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件，所述方法包括：在电极本体上设置焊区；在所述焊区上设置覆盖所述焊区的第一指示区；在所述第一指示区上设置覆盖所述第一指示区的第一透光保护区；去除所述第一透光保护区和第一指示区。本申请还公开了一种采用所述方法而制得的半导体器件。本申请可以仅通过显微镜就能判断出焊区处的保护层是否完全去除，无需对焊区进行电阻测试，从而减少了测试步骤，有利于节省时间。
一种半导体器件用电制造方法

[发明专利]光刻胶清洗装置及其清洗方法-CN202111205307.1在审
发明人：张宾;李若朋;朱瑞;陈善任 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶清洗装置及其清洗方法，所述光刻胶清洗装置，包括溶解箱体、升降固定台、冲洗机构以及控制单元；所述溶解箱体包括用于盛装溶解液的溶解腔室；所述升降固定台置于所述溶解腔室内，用于承托硅片；所述冲洗机构包括冲洗喷头，该冲洗喷头置于高于所述升降固定台的上方空间处；所述控制单元用于控制所述升降固定台在溶解液液面上下之间切换，且用于控制所述冲洗机构移动到使其冲洗喷头对准所述升降固定台的位置。本发明的光刻胶清洗装置可通过控制单元控制溶解箱体、升降固定台及冲洗机构之间相互配合工作，以自动完成对未清洗的硅片清除残留的光刻胶，提高了生产效率与良品率，便于大规模应用。
光刻清洗装置及其方法

[实用新型]一种非金属超声波检测仪径向换能器系统零声时率定装置-CN202023301458.0有效
发明人：顾惠青;赵亮;胡建华;徐骏;徐权;韩颀;戴海霞;夏黎炯;杨刘柱;沈万萍;沈佳;陈义;李豪;李若朋;柯乐;刘凯利;钱路吉;刘栋华 -专利权人：上海静协工程质量检测咨询有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G01N29/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非金属超声波检测仪径向换能器系统零声时率定装置，其特征在于：包括基座、上承板、悬臂滑动支架、弹性卡扣和测量装置，其中基座内部设置有水槽，上承板架设在基座的上方，悬臂滑动支架设置在上承板的上方且其可在上承板的上方滑动，弹性卡扣设置在悬臂滑动支架上用于固定径向换能器缆线，测量装置设置在用于固定径向换能器缆线的两个悬臂滑动支架之间，以测量两个悬臂滑动支架的径向换能器之间的中心距离。本实用新型的优点是：构造简单，各组件方便加工、组装，且组装后可长期使用；操作简便，能快速、准确的率定系统零声时，可提高检测精度；适用范围广，可用于各种型号、规格的径向换能器。
一种非金属超声波检测径向换能器系统零声时率定装置

[实用新型]一种光伏板自动清扫装置-CN201821753606.2有效
发明人：胡德斌;冯湘;王湘林;彭青枝;肖红辉;杨晟熙;李佳茜;陈建安;万旭升;夏子杰;晏星宇;吴泳琪;谭春艳;伍珏;李若朋;舒建淞;高弟 -专利权人：中山市柏顺照明电器有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H02S40/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光伏板自动清扫装置，包括支架、前挡板、后挡板、清扫刷座机构、传动机构、驱动控制机构，清扫刷座机构包括刷座、清扫器；传动机构包括丝杆、沿着丝杆前后移动的螺母座，刷座设于螺母座上从而使清扫器随着螺母座的前后移动而在光伏板上来回清扫；驱动控制机构包括驱动丝杆转动的步进电机、控制电路，控制电路的超声波发射模块发射超声波的同时单片机启动计时器，发射出去的超声波遇到前挡板后反射回来，超声波接收模块接收回波，同时单片机停止计时并记录超声波自发射到经过前挡板返回的时间差，根据时间差计算距离并控制步进电机正反向交替工作从而使清扫器在光伏板上自动来回清扫，自动化清洁，清洁效率高，工作稳定可靠。
光伏板超声波螺母座前挡板清扫器驱动控制机构自动清扫装置步进电机控制电路前后移动清扫刷刷座丝杆发射清扫超声波发射模块超声波接收模块计时器本实用新型单片机启动时间差计算正反向交替工作稳定清洁效率驱动丝杆时间差单片机后挡板回波支架反射转动计时自动化清洁返回记录

[发明专利]一种银纳米线透明导电电极的制备方法-CN201510034152.8有效
发明人：高进伟;李若朋;韩兵;彭强;吴永健 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米线透明导电电极的制备方法，该制备方法包括以下步骤(1)制备高长径比银纳米线溶液；(2)将衬底进行亲水化处理；(3)将制备的银纳米线溶液涂覆到衬底上，干燥后，在衬底上得到银纳米线透明导电薄膜；(4)对银纳米线透明导电薄膜与衬底进行粘附性处理；(5)将经过粘附性处理的银纳米线透明导电薄膜在紫外光下曝光，得到与衬底具有强附着力的银纳米线透明导电电极。该方法制成的纳米银线透明导电电极具有优异的载流子收集效率和较高的透光性，且能提高太阳能电池前电极的导电性，降低反射率，潜在提高电池效率和降低制作成本，且机械和环境稳定性好，适合大面积低成本制备。
一种纳米透明导电电极制备方法

[发明专利]一种高雾度复合透明导电电极的制备方法-CN201510779814.4在审
发明人：高进伟;李若朋;张文辉 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种高雾度复合透明导电电极的制备方法，包括以下步骤：(1)调制龟裂液；(2)制作龟裂模板；(3)沉积金属薄膜；(4)去除龟裂模板；(5)沉积金属氧化物；(6)配制刻蚀液；(7)刻蚀复合薄膜，获得高雾度复合透明导电电极。该方法制成的复合透明导电电极具有较高的雾度，对入射光具有很好的散射能力，能极大增强薄膜电池半导体层对光的吸收，进而增加短路光电流密度，最终提高太阳能电池的光电转换效率。此外，该复合电极还具有表面电阻低、透光率较高以及环境稳定性好等优点。
一种高雾度复合透明导电电极制备方法

[发明专利]一种半透明钙钛矿晶体硅串列叠层太阳能电池及其制备方法-CN201510358392.3在审
发明人：高进伟;容齐坤;韩兵;李若朋;彭强;陈晓鹏;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种半透明钙钛矿晶体硅串列叠层太阳能电池，该太阳能电池从下至上依次包括背板钢化玻璃、第一EVA层、串连晶体硅电池片组、第二EVA层和串连钙钛矿电池片组，其中所述的串连晶体硅电池片组与所述的串连钙钛矿电池片组相串连连接。该叠层太阳能电池结合钙钛矿和晶体硅这两种太阳能电池对太阳能光吸收的特性做成叠层太阳能电池，可以明显提高太阳能电池的光电转换效率。本发明还公开了上述半透明钙钛矿晶体硅串列叠层太阳能电池的制备方法。
一种半透明钙钛矿晶体串列太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种双n层结构非晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201510035931.X在审
发明人：高进伟;容齐坤;韩兵;李若朋;彭强;林振炫 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种双n层结构非晶硅太阳能电池，包括玻璃基体，依次设置在玻璃基体上的透明导电膜、P型非晶硅层、缓冲层、非晶硅本征层i层、双层n型非晶硅层、背反射层和背电极，所述的双层n型非晶硅层是由轻掺杂n型非晶硅层与重掺杂n型非晶硅层两层构成的双n层结构。该双n层结构非晶硅太阳能电池具有较高的电流密度和光电转换效率。本发明还公开了上述双n层结构非晶硅太阳能电池的制备方法，该制备方法工艺简洁、不需要增加新的设备投资成本。
一种结构非晶硅太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法-CN201510035791.6有效
发明人：高进伟;彭强;韩兵;李若朋;陈晓鹏 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法，包括以下步骤：(1)制备模板液；(2)制作牺牲层模板；(3)金属薄膜沉积；(4)去除牺牲层模板；(5)合成金属纳米线；(6)涂覆金属纳米线，制成复合透明导电电极。该方法制备的透明导电电极具有优异的光电性能和环境稳定性，同时有利于光电器件中电极与其它功能层的接触，且制备工艺简单，资源消耗低，不仅是传统金属氧化物电极的有利替代者，而且能提高太阳能电池效率和降低成本。
一种基于金属网格纳米制备复合透明导电电极方法

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