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[发明专利]内容可寻址存储器装置及其数据搜索比较方法-CN202210118154.5在审
发明人：曾柏皓;林榆瑄;李峯旻;李永骏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种内容可寻址存储器(CAM)装置及其数据搜索和比较方法。内容可寻址存储器装置包括：多个内容可寻址存储器串；以及一感应放大器电路，耦接至这些内容可寻址存储器串；其中，在进行数据搜索时，将一搜索数据与这些内容可寻址存储器串中所存储的一存储数据进行比较，这些内容可寻址存储器串产生多个存储器串电流，该感应放大器电路感应这些多个存储器串电流以产生多个感应结果，根据这些感应结果以判断该搜索数据与该存储数据间的一匹配程度属于下列之一：完全匹配、部分匹配与完全不匹配。
内容寻址存储器装置及其数据搜索比较方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210651752.9在审
发明人：王韦程;胡瀚文;李永骏;王淮慕;何建忠;张原豪;郭大维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置包括存储器阵列，用于储存多个向量数据。各向量数据具有高有效位(MSB)向量与低有效位(LSB)向量。存储器阵列包括多个存储单元，各存储单元具有第一位及第二位。第一位用于储存各向量数据的MSB向量，第二位用于储存各向量数据的LSB向量。各该向量数据对应的一位线执行一次的位线设定，并根据该位线读取各该向量数据的该MSB向量与该LSB向量。各存储单元的阈值电压分布区分为N个状态，N为正整数且N小于2的2次方，各存储单元储存的等效位数小于2。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210652385.4在审
发明人：王韦程;胡瀚文;李永骏;王淮慕;何建忠;张原豪;郭大维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器装置，包括存储器阵列，用于存储多个向量数据。各向量数据具有高有效位元(MSB)向量与低有效位元(LSB)向量。存储器阵列包括多个存储单元，各存储单元具有第一位元及第二位元。第一位元用于存储各向量数据的MSB向量，第二位元用于存储各向量数据的LSB向量。各向量数据执行乘积运算，各向量数据的MSB向量执行第一分群计数操作，各向量数据的LSB向量执行第二分群计数操作。各存储单元的阈值电压分布区分为N个状态，N为正整数且N小于2的2次方，各存储单元存储的等效位元数小于2。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210090830.2在审
发明人：胡瀚文;李永骏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明提供存储器装置与其操作方法。该存储器装置的操作方法包括：于一第一阶段内，选择一整体信号线，选择一第一串选择线，不选一第二串选择线，选择一第一字线，以及不选一第二字线；于一第二阶段内进行感应；于一第三阶段内，维持该整体信号线、该被选第一字线与该不选第二字线的多个电压，不选该第一串选择线与选择该第二串选择线以将该第一串选择线与该第二串选择线的多个电压切换；以及于一第四阶段内进行感应。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210322542.5在审
发明人：胡瀚文;李永骏;林柏榕;王淮慕;王韦程 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开提供存储器装置与其操作方法。存储器装置的操作方法包括：对一输入数据进行编码，将一编码后输入数据传送至至少一页缓冲器内，以及从该至少一页缓冲器平行读出该编码后输入数据；对一权重数据的一第一部分与一第二部分分别编码为该权重数据的一编码后第一部分与该权重数据的一编码后第二部分，将该权重数据的该编码后第一部分与该权重数据的该编码后第二部分写入至该存储器装置的多个存储器单元内，以及平行读出该权重数据的该编码后第一部分与该权重数据的该编码后第二部分；将该编码后输入数据分别乘上该权重数据的该编码后第一部分与该权重数据的该编码后第二部分，以平行产生多个部分乘积；以及将这些部分乘积累加，以产生一运算结果。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]用于决定读取电压的存储器系统-CN202210052414.3在审
发明人：黄昱铭;李永骏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电脑可读取介质(computer‑readable medium)的系统、方法与装置，其用于确定存储器系统的读取电压。在一个方面，存储器系统包括存储器与存储器控制器，存储器存储数据，存储器控制器耦接到存储器。存储器控制器用以：利用第一读取电压获得存储器的目标存储器数据的第一读取输出；以及回应于确定第一读取输出未通过纠错码(Error‑Correcting Code，ECC)检验，提供第一读取电压至存储器。存储器用以：依据第一读取电压确定第二读取电压；以及利用第二读取电压产生目标存储器数据的第二读取输出。
用于决定读取电压存储器系统

[发明专利]存储器装置及其编程方法-CN201810905611.9有效
发明人： 李永骏;林秉贤 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包括一存储器阵列与一控制器，该存储器阵列包括多个存储器单元，该编程方法包括：由该控制器控制对该存储器阵列的一第一字线的一第一页面进行编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第二字线的一第一页面进行编程，该第二字线相邻于该第一字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的一第二页面进行一第一编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第三字线的一第一页面进行编程，该第三字线相邻于该第二字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第二字线的一第二页面进行该第一编程；以及由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行一第二编程。
存储器装置及其编程方法

[发明专利]非易失性存储器及其编程方法-CN202111286712.0在审
发明人：曾柏皓;李峯旻;李永骏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种非易失性存储器及其编程方法。非易失性存储器的编程方法包括以下步骤。执行一粗略编程程序，以将所有位于一擦除状态的多个存储单元编程至2N‑1或2N个编程状态。N为一正整数。执行一精细编程程序，以将所有存储单元推至2N‑1或2N个验证电平。
非易失性存储器及其编程方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202111558035.3在审
发明人：胡瀚文;李永骏;林柏榕;王淮慕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F7/52 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括：多个页缓冲器，暂存一输入数据；多个存储平面，耦接至这些页缓冲器，多个权重存储于这些存储平面，根据所接收的这些存储平面的多个地址，这些存储平面对这些权重与这些页缓冲器的该输入数据平行进行位元乘法，以平行得到多个位元乘法结果，这些位元乘法结果存回于这些页缓冲器；以及至少一累积电路，耦接至这些页缓冲器，对这些存储平面的这些位元乘法结果平行或依序进行位元累积操作以得到一乘积累加运算结果。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]使用多阶存储单元的存储装置及数据存取方法-CN202110972835.3在审
发明人： 李永骏;胡瀚文;林柏榕;王淮慕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本公开提供一种存储装置及数据存取方法，其中存储装置包括存储器电路及控制电路。存储器电路包括多个多阶存储单元，各多阶存储单元用以于至少一第一页面、一第二页面、及一第三页面中存储至少一第一位、一第二位、及一第三位。控制电路用于根据相关于第一位的一次读取操作来读取第一位，根据相关于第二位的M次读取操作来读取第二位，并根据相关于第三位的N次读取操作来读取第三位，其中，M与N的差值小于等于1。
使用存储单元装置数据存取方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110792246.7在审
发明人：胡瀚文;李永骏;林柏榕;王淮慕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F7/44 文献下载
摘要：本发明提供存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元，可用于储存多个权重值于该存储器阵列的这些存储器单元内；一乘法电路，耦接至该存储器阵列，该乘法电路对多个输入数据与这些权重值进行乘法，以得到多个乘法结果；以及一计数单元，耦接至该乘法电路，对这些乘法结果进行位计数以得到一乘积累加运算(MAC)运算结果。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110829792.3在审
发明人：胡瀚文;李永骏;林柏榕;王淮慕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F7/52 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元，可用于储存多个权重值在该存储器阵列的这些存储器单元内；一乘法电路，对多个输入数据与这些权重值进行乘法，以得到多个乘法结果，其中在进行乘法时，这些存储器单元产生多个存储器单元电流；一数字式累加电路，对这些乘法结果进行一数字式累加；一模拟式累加电路，对这些存储器单元电流进行一模拟式累加以产生一第一乘积累加运算(MAC)操作结果；以及一决定单元，决定进行该模拟式累加、该数字式累加或一混合式累加，其中，在进行该混合式累加时，根据该第一乘积累加运算操作结果决定是否触发该数字式累加电路。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]判断存储器系统读取电压的存储器装置及其方法-CN202110834749.6在审
发明人： 李永骏;黄昱铭;胡瀚文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开提供一种判断存储器系统读取电压的方法、装置以及系统。在本公开的一方面，一存储器装置包含一存储单元阵列、一累加电路以及一控制器。每一存储单元耦接多个字线中的一对应字线，以及多个位线中的一对应位线。累加电路配置为：当储存在一页面的数据通过在页面对应的一位线施加多个读取电压中各自的读取电压进行读取时，累加页面中多个存储单元的读出信号，以产生对应于读取电压的一累加读出信号各自的一输出值。控制器配置为基于这些读取电压以及与这些读取电压相关的各该输出值，判断该页面的一校准读取电压。
判断存储器系统读取电压装置及其方法

[发明专利]存储器内运算方法及装置-CN202111010149.4在审
发明人：林柏榕;李永骏;胡瀚文;王淮慕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F7/487 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器内运算方法及装置，适于由处理器对存储器执行乘加运算。所述方法包括下列步骤：对待写入存储器的输入线及存储单元的输入数据及权重数据分别进行预处理，以区分为主要部分及次要部分；将被区分为主要部分及次要部分的输入数据及权重数据，分批写入输入线及存储单元以进行乘加运算，获得多笔运算结果；根据各运算结果的数值大小滤除运算结果；以及依据运算结果所对应的部分，对被滤除后的运算结果进行后处理，以获得输出数据。
存储器运算方法装置

[发明专利]存储器装置-CN202011074103.4在审
发明人： 李永骏;王韦程 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，包括一存储器阵列及一净化单元。存储器阵列包括多个存储器页面，各存储器页面包括多个存储单元。净化单元施加一第一读取电压及一第二读取电压，由目标存储器页面中找出欲净化的至少一第一目标存储单元及至少一第二目标存储单元，施加一第一编程电压至该至少一第一目标存储单元，以改变至少一第一目标存储单元的逻辑状态至较高阈值电压的逻辑状态，施加一第二编程电压至该至少一第二目标存储单元，以改变至少一第二目标存储单元的逻辑状态至较高阈值电压的逻辑状态。
存储器装置

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