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[发明专利]阻变存储器件及其制造方法-CN201210397268.4有效
发明人： 李民镛;李泳昊;白承范;李锺哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变存储器件及其制造方法。所述可变存储器件包括可变电阻层，所述可变电阻层形成在形成有下结构的半导体衬底上；下电极，所述下电极形成在可变电阻层上；开关单元，所述开关单元形成在下电极上；以及上电极，所述上电极形成在开关单元上。
存储器件及其制造方法

[发明专利]大面积单晶单层石墨烯膜及其制备方法-CN201480029328.4在审
发明人：朴浩范;金翰秀;尹熙煜;朴仙美;李民镛 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C23C16/22 文献下载
摘要：本发明涉及：大表面积单晶单层石墨烯膜，其中，石墨烯层在衬底上或在没有衬底的情况下在仅以(111)晶面为取向的单晶金属催化剂层上形成；和用于通过金属前体的热处理和化学气相沉积制备仅以(111)晶面为取向的大表面积单晶单层石墨烯的方法。根据本发明，仅以(111)晶面为取向的单晶金属催化剂层可以在衬底上或甚至在没有衬底的情况下以箔、平板、块或管的各种形式来形成，和，通过制备其中石墨烯层在催化剂层上形成的大表面积单晶单层石墨烯，可以以批量生产的方式使高品质的大表面积石墨烯薄膜商品化，并且可以使用本发明作为透明电极材料和用于显示元件、半导体元件、分离膜、燃料电池、太阳能电池或各种类型的传感器的材料。
大面积单层石墨及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310044141.9无效
发明人：白承范;蔡洙振;李民镛;徐惠眞;李泳昊;李镇九;李锺哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一类型半导体层，所述第一类型半导体层被掺杂有N型离子；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层被形成在第一类型半导体层之上；以及硅锗SiGe层，所述硅锗SiGe层被形成在第二类型半导体层之上掺杂有P型离子。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]离子注入方法及半导体器件的制造方法-CN200710149946.4无效
发明人： 李民镛;郑镛洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：形成一掩模图案，以暴露半导体基板的区域。以约4.4度到7度的倾斜角度注入掺杂离子至半导体基板的暴露区域中。本发明可增加半导体器件的生产产率。
离子注入方法半导体器件制造

[发明专利]具有球形凹入沟道的半导体器件的制造方法-CN200710181155.X无效
发明人： 李民镛;殷庸硕;朴东洙;张准洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成沟槽在该半导体基板中；在半导体基板的暴露区域中，朝3－维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；移除掩模层；形成栅极堆在包括沟槽的区域中；以及形成源极/漏极在半导体基板中。
具有球形沟道半导体器件制造方法

[发明专利]离子注入装置以及得到不均匀的离子注入能量的方法-CN200610128503.2有效
发明人：卢俓奉;秦丞佑;李民镛;郑镛洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。
离子注入装置以及得到不均匀能量方法

[发明专利]使用宽射束的非均一离子注入设备及方法-CN200610004409.6无效
发明人： 李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-02-10 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片。至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。
使用宽射束均一离子注入设备方法

[发明专利]非均匀离子注入设备与方法-CN200610006716.8无效
发明人：卢俓奉;秦丞佑;李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种非均匀离子注入设备包括：宽离子束产生器，被配置以产生多个宽离子束以照射在晶片的全部区域上至少两区域，和晶片旋转装置，被配置当将通过该宽离子束产生器产生的宽离子束照射至晶片时在预定方向旋转该晶片。在该宽离子束中，至少一宽离子束具有不同于至少一其它宽离子束的剂量。因为宽离子束以不同剂量照射晶片，在对其注入不同浓度的杂质离子的区域之间形成平滑圆形边界。因为对于宽离子束适当地改变晶片的位置，所以能够控制使用不同浓度的杂质离子所注入的区域的配置。
均匀离子注入设备方法

[发明专利]用于半导体制造的部分注入方法-CN200510099040.7有效
发明人：卢俓奉;孙容宣;李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-09-05 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在此公开一种用以制造半导体装置的部分注入法。该方法包括以不同密度将掺杂剂离子注入在一晶片中藉由一分界线所界定的多个晶片区域中，其中该多个晶片区域包括第一及第二区域。在该方法中，界定第一、第二及第三注入区。该第一注入区是该第一区域除了该第一区域的靠近该分界线的一特定部分以外的剩余部分，该第二注入区是该第二区域除了该第二区域的靠近该分界线的一特定部分以外的剩余部分，以及该第三注入区是该晶片除了该第一及第二注入区以外的剩余部分。然后，以第一密度将掺杂剂离子注入该第一注入区，以不同于第一密度的第二密度将掺杂剂离子注入该第二注入区，以及以第三密度将掺杂剂离子注入该第三注入区，其中该第三密度是一在该第一与第二密度间的中间值。
用于半导体制造部分注入方法

[发明专利]离子植入设备及利用该设备植入离子的方法-CN200410082180.9有效
发明人：卢径奉;秦丞佑;李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开一种离子植入设备与使用该离子植入设备植入离子的方法。用以将离子植入晶圆的离子植入器包括：第一四极磁组件，用以聚焦自一离子束源所传输的离子束；扫描器，用以偏转在X轴与Y轴方向所传输的离子束；第二四极磁组件，用以聚集与发散在X与Y轴方向通过扫描器的离子束；束平行器，用以同步于第二四极磁组件旋转离子束，因此将离子束植入晶圆。
离子植入设备利用方法

[发明专利]将离子束注入于半导体装置的方法-CN200410081799.8有效
发明人：孙容宣;秦丞佑;李民镛;卢径奉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于注入离子于一半导体装置的方法，其能够补偿再施行均匀离子注入至基板之全部表面时产生的基板中央部分与边缘部分之间的阈电压之差异，以及用于制造一半导体装置的其它方法，其能够通过形成一非均匀沟道掺杂层或通过形成一非均匀结轮廓(profile)来增进基板之内部晶体管参数之分布。
离子束注入半导体装置方法

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