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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电致发光显示器-CN202211348980.5在审
发明人： 李明镐 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本公开涉及一种通过防止外部光反射而具有提高的显示质量的电致发光显示器。根据本公开的电致发光显示器包括：遮光层，所述遮光层设置在基板上，并且包括第一金属层和在所述第一金属层上的第二金属层；第一缓冲层，所述第一缓冲层覆盖在所述基板上的所述遮光层；选通线，所述选通线设置在所述第一缓冲层上并且不与所述遮光层交叠，并且所述选通线包括第三金属层和在所述第三金属层上的第四金属层；钝化层，所述钝化层覆盖所述选通线；平坦化层，所述平坦化层在所述钝化层上；以及发光元件，所述发光元件包括依次层叠在所述平坦化层上的第一电极、发光层和第二电极。
电致发光显示器

[发明专利]硅选择性蚀刻液组合物、其制备方法及半导体器件-CN202211643405.8在审
发明人：吴正植;金泰镐;金起莹;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在暴露有金属膜和硅的表面选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明，可以在暴露有金属膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。
选择性蚀刻组合制备方法半导体器件

[发明专利]电路保护装置-CN201780015304.7有效
发明人： 李明镐;李政勳 -专利权人：摩达伊诺琴股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电路保护装置，其所述电路保护装置包括其中积层有多个片材的积层体，在所述多个片材上选择性地设置有导电图案，其中在三条信号线中安置有多个噪声过滤器部件，以移除所述三条信号线中每一条信号线的共模噪声及每两条信号线之间的共模噪声。本发明的电路保护装置可同时移除自所述三条信号线产生的共模噪声及在每所述两条信号线之间产生的共模噪声，且因此，噪声过滤器部件可施加至C‑π(C‑PHY)。此外，由于本发明的积层体并非形成于整个表面上，因此所述装置的厚度可得到减小，且因此，所述装置的可靠性得到提高。
电路保护装置

[发明专利]聚硅氧烷类化合物、包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物-CN201910448499.5有效
发明人：金东铉;朴贤宇;李斗元;曹长佑;李明镐 -专利权人：易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C08G77/28 文献下载
摘要：本发明提供了聚硅氧烷类化合物，包含所述聚硅氧烷类化合物的对氮化硅层有选择性的蚀刻组合物，以及制造包含所述蚀刻组合物的半导体器件的方法，其中根据本发明的包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物可以相对于氧化硅层选择性地蚀刻所述氮化硅层，并且具有非常优良的蚀刻选择比，并且即使当使用所述组合物的时间增加或反复使用所述组合物时，对氮化硅层的蚀刻速率变化小且蚀刻选择比的变化小。
聚硅氧烷类化合物包含述聚硅氧烷类氮化蚀刻组合

[发明专利]硅选择性蚀刻液组合物-CN202211096569.3在审
发明人：吴正植;金泰镐;金起莹;李明镐;宋明根;姜弼求;姜莹美;吴垠锡 -专利权人：易安爱富科技有限公司;爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在暴露有金属膜和硅的表面选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明，可以在暴露有金属膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。
选择性蚀刻组合

[发明专利]发光显示设备-CN201710880608.1有效
发明人：吴元植;李明镐;朴槿贞;宋明燮 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种发光显示设备，包括：显示面板；包括在显示面板中的多个像素，多个像素中的每一个像素包括连接到第一电源线的驱动开关元件和连接到第二电源线的发光元件；最大电压检测单元，用于从每个像素的每个发光元件检测电压，并输出所检测的电压中具有最高电压电平的最大电压；以及电源单元，用于基于最大电压校正第一驱动电压，并将校正后的第一驱动电压施加到第一电源线。
发光显示设备

[发明专利]硅选择性蚀刻液组合物-CN202211026101.7在审
发明人：金起莹;金泰镐;吴正植;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在暴露有金属膜和硅的表面选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明，可以在暴露有金属膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。
选择性蚀刻组合

[发明专利]显示装置-CN202210669974.3在审
发明人： 李明镐 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一个示例中的显示装置包括：基板，所述基板包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，并且对于第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的每个子像素，所述基板具有发光区域和非发光区域；设置在所述基板的每个非发光区域中的薄膜晶体管；设置在所述薄膜晶体管上的保护层；滤色器，所述滤色器设置在所述保护层上并且设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素的每一个的发光区域中；滤光层，所述滤光层设置在所述滤色器上，并且包括第一吸收材料、第二吸收材料和第三吸收材料；以及设置在所述滤光层上的发光元件。
显示装置

[发明专利]用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法-CN202210867213.9在审
发明人：吴正植;金泰镐;金起莹;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理半导体基板的组合物，具体地涉及一种用于处理涂有聚硅氮烷的晶圆边缘部分的组合物。根据本发明的用于处理半导体基板的组合物，在管理方面，可以均匀地保持组合物品质，在工序方面，还可以均匀地处理晶圆的界面。此外，通过提高去除聚硅氮烷的边界部的直线度，能够显著降低产品的不良率，并稳定地提高生产收率。
用于处理半导体组合以及方法

[发明专利]金属氮化物膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN202210578744.6在审
发明人：朴贤雨;南硕泫;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明提供金属氮化物膜蚀刻组合物及利用其的金属氮化物膜蚀刻方法，更详细而言，本发明提供选择性地蚀刻金属氮化物膜的金属氮化物膜蚀刻组合物、利用其的金属氮化物膜的蚀刻方法、以及包括利用其而进行的工序的微电子器件的制造方法。
金属氮化物蚀刻组合利用方法

[发明专利]蚀刻液组合物及其制备方法-CN202210587008.7在审
发明人：吴正植;金泰镐;金起莹;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅蚀刻液组合物及其制备方法，尤其，涉及一种用于对硅绝缘膜选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明的蚀刻液组合物可以在暴露有氧化硅膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。
蚀刻组合及其制备方法

[发明专利]蚀刻液组合物及其制备方法-CN202210574335.9在审
发明人：金泰镐;吴正植;金起莹;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅蚀刻液组合物及其制备方法，尤其，涉及一种对于硅绝缘膜选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明的蚀刻液组合物可以在暴露有氧化硅膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。
蚀刻组合及其制备方法

[发明专利]半导体基板用蚀刻液组合物-CN202210392081.9在审
发明人：吴正植;金泰镐;金学秀;李明镐 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及可以选择性地蚀刻非本征半导体的高浓度掺杂层的半导体基板用蚀刻液组合物，根据本发明，可以提供半导体基板用蚀刻液组合物、利用其的蚀刻方法及半导体器件的制造方法，上述蚀刻液组合物在蚀刻包括掺杂浓度彼此不同的掺杂层的非本征半导体基板时，可以以高选择比蚀刻高浓度掺杂层，在蚀刻工序中抑制气泡产生，从而能够实现均匀且稳定的蚀刻。
半导体基板用蚀刻组合

[发明专利]显示器基板用蚀刻液及其制备方法-CN202210216640.0在审
发明人：金学秀;金希泰;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于抑制对玻璃基板的蚀刻的显示器基板用蚀刻液。根据本发明的显示器基板用蚀刻液，可通过抑制对于在蚀刻工艺中暴露的玻璃基板的蚀刻，来防止玻璃蚀刻析出物的产生和玻璃基板上的斑迹。
显示器基板用蚀刻及其制备方法

[发明专利]蚀刻组合物及使用该蚀刻组合物的蚀刻方法-CN202010325267.3有效
发明人：李惠熹;朴贤宇;李明镐;宋明根;姜弼求;崔胤洵;洪文基 -专利权人：易安爱富科技有限公司;爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻组合物及使用该蚀刻组合物的蚀刻方法，所述蚀刻组合物包含硫酸、过氧化氢、以下述化学式1表示的有机过氧化物及水，所述有机过氧化物相对于所述蚀刻组合物总重量包含0.001至3重量％。更详细而言，本发明提供一种选择性地蚀刻氮化金属膜的蚀刻组合物、使用该蚀刻组合物的氮化金属膜的蚀刻方法及包括使用其进行的工序的微电子元件的制造方法。本发明的蚀刻组合物有效地控制金属膜的蚀刻率的同时，可以选择性地蚀刻氮化金属膜。[化学式1]。
蚀刻组合使用方法

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