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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体图像传感器件及其制造方法-CN202211439745.9在审
发明人：张朝钦;李昇展;黄志辉;蔡建欣;吴正一;周佳兴;林艺民;林明辉;李锦思 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
半导体图像传感器及其制造方法

[发明专利]用于沉积薄膜的方法及系统-CN202210015166.5在审
发明人： 李昇展;陈昇照;周正贤;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种薄膜沉积系统包括位于晶片上方且配置成在薄膜沉积工艺期间产生等离子体的顶板。所述系统包括配置成生成表示位于晶片及顶板之间的间隙的传感器信号的间隙传感器。所述系统包括配置成在薄膜沉积工艺期间响应传感器信号来调整间隙的控制系统。
用于沉积薄膜方法系统

[发明专利]半导体器件、图像传感器及其形成方法-CN202210178632.1在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;陈昇照;洪丰基;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210094845.6在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;陈昇照;洪丰基;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一些实施例涉及一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从半导体衬底的背面延伸穿过外围区以与导电部件接触。该贯穿衬底通孔与背面隔离结构横向偏移。导电桥设置在半导体衬底的背面下方并将背面隔离结构的金属芯电耦合至贯穿衬底通孔。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]晶圆接合结构及其形成方法-CN201910164096.8有效
发明人：吴国铭;周正贤;蔡正原;李昇展;萧豪毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶圆接合结构及其形成方法。晶圆接合结构的形成方法包括形成第一晶圆以及将第二晶圆接合到第一晶圆的接合介电层及接合垫。形成第一晶圆包括以下工艺。提供半导体结构，半导体结构的边缘具有第一塌边区域。形成附加介电层，以填补第一塌边区域。在半导体结构及附加介电层上形成具有开口的接合介电层。形成导电层于接合介电层上并填入开口中，其中在附加介电层上方的导电层具有凸起。进行移除工艺，以移除位于接合介电层上的导电层，余留在开口中的导电层形成接合垫，其中移除工艺包括平坦化工艺，且凸起被平坦化工艺移除。
接合结构及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法和半导体器件-CN202210042467.7在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;陈昇照;洪丰基;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括像素和隔离结构。像素包括光敏区域和紧邻光敏区域的电路区域。隔离结构位于像素上方，其中，隔离结构包括导电栅格和覆盖导电栅格的侧壁的介电结构，并且隔离结构包括与光敏区域重叠的开口或凹槽。隔离结构围绕光敏区域的外围区域。本申请的实施例还涉及制造图像传感器的方法和半导体器件。
图像传感器及其制造方法半导体器件

[发明专利]制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构-CN202110161527.2在审
发明人：梁晋玮;陈昇照;匡训冲;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个层覆盖导电接合焊盘，沿着器件衬底的侧壁延伸，并且覆盖器件衬底的背面。第一多个层共同具有小于凹槽深度的第一总厚度。执行第一化学机械平坦化以去除第一多个层的部分，以使得第一多个层的剩余部分覆盖导电接合焊盘。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法以及半导体结构。
制造半导体器件结构方法以及半导体

[发明专利]像素阵列和其形成方法-CN202110234486.5在审
发明人：黄琮伟;张朝钦;郑允玮;郑智龙;陈言彰;蔡文仁;林政翰;池昱勳;李昇展;陈昇照 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。
像素阵列形成方法

[发明专利]影像感应器集成芯片-CN201711246847.8有效
发明人： 李昇展;周耕宇;周正贤;蔡正原;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开实施例涉及影像感应器集成芯片，其具有的深沟槽隔离结构具有反射元件。影像感应器集成芯片包含影像感应元件安排在基底内，多个突出部沿着基底的第一侧安排在影像感应元件之上，一或更多吸收增强层安排在这些突出部上方且在突出部之间，多个深沟槽隔离结构安排于沟槽内且设置于影像感应元件的相对两侧，并从基底的第一侧延伸至基底内，这些深沟槽隔离结构各自包含反射元件，其具有一或更多反射区配置为反射电磁辐射。通过使用反射元件反射电磁辐射，使相邻的像素区之间的串音(cross‑talk)减少，藉此改善影像感应器集成芯片的效能。
影像感应器集成芯片

[发明专利]集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法-CN202010940991.7在审
发明人： 李昇展;周正贤;陈昇照;蔡正原;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种形成集成芯片结构的方法。可以通过在设置在第一半导体衬底的上表面上方的第一互连结构内形成多个互连层来执行该方法。执行边缘修整工艺以沿着第一半导体衬底的周边去除第一互连结构和第一半导体衬底的部分。边缘修整工艺导致第一半导体衬底具有通过直接设置在第一半导体衬底上方的内侧壁而耦合到上表面的凹进表面。在执行边缘修整工艺之后，在第一互连结构的侧壁上形成介电保护层。本公开还涉及形成多维集成芯片的方法以及集成芯片结构。
集成芯片结构形成方法以及多维

[发明专利]集成芯片结构及其形成方法、多维集成芯片-CN202011197152.7在审
发明人：黄志辉;周正贤;蔡正原;吴国铭;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及一种形成集成芯片结构的方法。可以通过在设置在第一半导体衬底的上表面上方的第一互连结构内形成多个互连层来执行该方法。执行边缘修整工艺以沿着第一半导体衬底的周边去除第一互连结构和第一半导体衬底的部分。边缘修整工艺产生具有凹进表面的第一半导体衬底，凹进表面通过直接设置在第一半导体衬底上方的内侧壁耦合至上表面。在执行边缘修整工艺之后，在第一互连结构的侧壁上形成介电覆盖结构。本发明的实施例还涉及集成芯片结构和多维集成芯片。
集成芯片结构及其形成方法多维

[发明专利]接合支撑结构、多个半导体晶圆及其接合方法-CN201910537975.0有效
发明人： 李昇展;周正贤;蔡正原;黄志辉;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了用于接合半导体晶圆的方法。方法包括在第一半导体晶圆的中心区域上方形成第一集成电路(IC)。第一环形接合支撑结构形成在第一半导体晶圆的环形周边区域上方，其中，第一半导体晶圆的环形周边区域围绕第一半导体晶圆的中心区域。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆，使得布置在第二半导体晶圆上的第二IC电连接至第一IC。本发明的实施例还提供了接合支撑结构和多个半导体晶圆。
接合支撑结构半导体及其方法

[发明专利]半导体结构-CN201611222593.1有效
发明人： 李昇展;黄志辉;蔡正原;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供一种半导体结构，包括：衬底、在衬底中的辐射感测区域以及衬底中的沟槽，其包括在沟槽的内壁上方的衬垫、在衬垫上方的FSG层、在FSG层上方的氧化物层以及在氧化物层上方的反射材料。半导体结构的辐射感测区域包括多个辐射感测单元。半导体结构的沟槽分隔至少两个辐射感测单元。半导体结构的FSG层包括至少2原子百分比的游离氟和约500埃至约1300埃的厚度。
半导体结构

[发明专利]图像检测装置及其制造方法-CN201711116403.2有效
发明人：张朝钦;李昇展;周正贤;黄琮伟;林明辉;林艺民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。
图像检测装置及其制造方法

[发明专利]半导体影像感测器装置及其制造方法-CN202010738104.8在审
发明人：林政翰;张朝钦;林艺民;周彦廷;陈言彰;李昇展;周正贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。
半导体影像感测器装置及其制造方法

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