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[发明专利]粘合剂膜、包括其的光学构件以及包括其的光学显示设备-CN202310424043.1在审
发明人：赵成昕;金成汉;李昇勋;南伊莉娜;崔柱烈;加藤智子;金源;金一鎭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种粘合剂膜、一种包含其的光学构件以及一种包含其的光学显示设备。所述粘合剂膜包含含芳族基(甲基)丙烯酸共聚物且具有1.55或更大的折射率、如根据等式1所计算的1到8的储能模量比A以及如根据等式2所计算的1到15的储能模量比B。
粘合剂包括光学构件以及显示设备

[发明专利]用于发光显示器的偏光板及包括其的发光显示器-CN201911059197.5有效
发明人：李度宪;李昇勋;金一鎭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K59/50 文献下载
摘要：一种用于发光显示器的偏光板及包括其的发光显示器。所述偏光板包括：偏光器；以及依序堆叠于所述偏光器的一个表面上的第一液晶延迟膜、第一结合层及第二液晶延迟膜，其中所述第一结合层具有70℃至100℃的玻璃化转变温度且由用于所述第一结合层的组合物形成，所述组合物包含选自含脂环基的缩水甘油醚及含芳族基的缩水甘油醚中的至少一者。
用于发光显示器偏光包括

[发明专利]具有皮肤保湿以及皮肤再生功能的皮肤益生菌块组合物的制造方法-CN202080048730.2有效
发明人：崔东焕;印桢勋;李昌琓;崔志辉;车昭润;李受莲;李昇勋;申松锡 -专利权人：株式会社现代百朗德
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A61K8/73 文献下载
摘要：在本发明中，可以可以通过对在包含透明质酸或壳聚糖的已知成分培养基中对乳酸菌进行发酵而生产出的不同pH的透明质酸以及壳聚糖非活性益生菌进行滴入反应，形成利用透明质酸捕获非活性益生菌的球形的皮肤益生菌块组合物。在将所述皮肤益生菌块适用于皮肤时，可以增加皮肤细胞的水通道蛋白3(AQP‑3)的表达以及透明质酸合酶2(HAS‑2)的表达，从而呈现出提升保湿力的功能以及促进皮肤细胞生长的皮肤再生功能，尤其是可以在真皮细胞中呈现出更大的功能。因为通过如上所述的方式形成块的皮肤益生菌可以呈现出健康的皮肤保湿以及皮肤再生效果，因此可以有效地应用于将其作为功能性成分的化妆品组合物、皮肤用贴片以及面膜等生物化妆品。
具有皮肤保湿以及再生功能益生菌块组合制造方法

[发明专利]粘合剂膜、包括其的光学构件及包括其的光学显示装置-CN202180088922.0在审
发明人：赵成昕;金度泳;金永锺;李昇勋;金一鎭;韩智映 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C09J7/38 文献下载
摘要：提供一种粘合剂膜、一种包括所述粘合剂膜的光学构件及一种包括所述粘合剂膜的光学显示装置，所述粘合剂膜包含(甲基)丙烯酸粘结剂、光反应性单体及光引发剂，其中由式1给出的粘合剂膜的粘合强度的改变率为约90％或大于90％且粘合剂膜的折射率为约1.55或大于1.55。
粘合剂包括光学构件显示装置

[发明专利]源自于熔岩海水的矿物质与源自于皮肤微生物的核苷酸的结合物的制造方法以及利用所述结合物的功能性皮肤微生物化妆品组合物-CN202080027218.X有效
发明人：李昌琓;梁舒真;金头星;金景珉;金艺香;车昭润;崔志辉;李昇勋 -专利权人：现代百朗德株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A61K8/99 文献下载
摘要：本发明涉及一种源自于利用熔岩海水培养的皮肤微生物的矿物质‑核苷酸结合物的制造方法，所述矿物质‑核苷酸结合物没有皮肤毒性且具有皮肤细胞再生、皮肤屏障强化、皮肤舒缓效果以及皮肤常居菌群维持功能，因此可以作为含有所述结合物的功能性化妆品组合物或皮肤外用剂等形态提供。
源自熔岩海水矿物质皮肤微生物核苷酸结合制造方法以及利用功能化妆品组合

[发明专利]粘合剂膜、包含其的光学构件和包含其的光学显示装置-CN202180074375.0在审
发明人：金度泳;金永锺;李昇勋;赵成昕;金一鎭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09J133/04 文献下载
摘要：本发明提供一种粘合剂膜、包含所述粘合剂膜的光学构件和包含所述粘合剂膜的光学显示装置，所述粘合剂膜包含：含有芳族基和羟基的(甲基)丙烯酸系粘结剂、无机粒子和触发聚合物，其中触发聚合物具有为约0℃或大于0℃的熔点，粘合剂膜具有为约2％或小于2％的雾度，并且根据方程式1，粘合剂膜具有为约10或大于10的粘合强度比。
粘合剂包含光学构件显示装置

[发明专利]用于改善中心-边缘之间的台阶差和LER的I-线用负性光致抗蚀剂组合物、及用于改善工艺余裕的I-线用负性光致抗蚀剂组合物-CN202180064462.8在审
发明人：李秀珍;崔映喆;李昇炫;李昇勋 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种相比于现有的I‑线用负性光致抗蚀剂显示出优异的工艺余裕的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物。在接触孔(Contact hole)图案的情况下，目的在于改善图案形成时中间部分凹陷的问题。涉及一种在半导体工艺的图案形成工艺中用于改善中间部分凹陷的中心‑边缘之间的台阶差和LER(Line and Edge Roughness：线边缘粗糙度)的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物，所述I‑线用负性光致抗蚀剂组合物为由聚合物树脂、由下述化学式1表示的化合物、交联剂、光致产酸剂、酸扩散抑制剂及溶剂组成的组合物。
用于改善中心边缘之间台阶 ler 线用负性光致抗蚀剂组合工艺余裕

[发明专利]极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法-CN202180054452.6在审
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。所述工艺液体组合物由0.00001至0.01重量％的氟系表面活性剂，0.00001至小于0.001重量％的由化学式(1)表示的图案增强剂，0.00001至0.01重量％的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质，及余量的水组成。
紫外光刻用工液体组合利用图案形成方法

[发明专利]用于调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法-CN202180057994.9在审
发明人： 李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。所述蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15而使用。
用于调节氮化蚀刻选择组合利用方法

[发明专利]半导体晶片清洗液组合物及利用其的清洗方法-CN202080019528.7有效
发明人： 李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体器件制造中使用的半导体晶片清洗用组合物及利用其的半导体晶片清洗方法，本发明的半导体晶片清洗用组合物由以化学式1及化学式2形成的表面活性剂、无机酸或有机酸、余量的水组成，本发明的半导体晶片清洗方法是使半导体晶片浸渍于清洗用组合物100至500秒的方法。根据本发明的清洗用组合物及清洗方法在半导体器件制造用晶片表面的研磨工艺中，提供针对污染物质，特别是，对有机蜡显著增大的去除效率及有效的清洗力，从而使晶片表面高度清洁，表现出能够制造高可靠度的半导体元件的效果。
半导体晶片清洗组合利用方法

[发明专利]粘合剂膜、包括其的光学构件以及包括其的光学显示设备-CN202211122725.9在审
发明人： 李昇勋;金成汉;赵成昕;崔柱烈;金泫昇;金源;金一鎭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种粘合剂膜、包含其的光学构件以及包含其的光学显示设备。粘合剂膜由组合物形成，所述组合物包括含有含芳族基(甲基)丙烯酸单体的单体混合物的聚合产物和具有约1.5或大于1.5的折射率的无机粒子，且粘合剂膜具有1.55或大于1.55的折射率和在25℃下0.3兆帕或小于0.3兆帕的储能模量。
粘合剂包括光学构件以及显示设备

[发明专利]半导体制造工艺中用于形成微细硅图案的新型蚀刻方法-CN201980009723.9有效
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时，不对数μm深度的蚀刻对象物的活性区域造成损伤地进行蚀刻，从而表现出提供微细图案形成方法的效果。
半导体制造工艺用于形成微细图案新型蚀刻方法

[发明专利]粘合剂膜、包括其的光学构件以及包括其的光学显示设备-CN202210882689.X在审
发明人：崔柱烈;金成汉;赵成昕;李昇勋;金一鎭;金泫昇 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09J133/08 文献下载
摘要：本发明提供一种粘合剂膜、包含其的光学构件以及包含其的光学显示设备。粘合剂膜由包括含有至少一种含芳族基(甲基)丙烯酸单体的单体混合物的聚合产物的粘合剂组合物形成，且具有1.55或大于1.55的折射率、10％到20％的初始分解速率以及50％到70％的凝胶分率。
粘合剂包括光学构件以及显示设备

[发明专利]蚀刻装置及其控制方法-CN202210793339.6在审
发明人： 李昇勋;牟圣元;李羊浩;韩兴洙;裵祯贤 -专利权人：杰宜斯科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了蚀刻装置及其控制方法，所述蚀刻装置包括：蚀刻腔室，通过蚀刻液蚀刻对象体；蚀刻液供给部，回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，并通过蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；气体循环管，形成为从所述蚀刻液供给部的上部规定位置连接到所述蚀刻腔室的上部规定位置，以供气体循环；以及气泵，形成于所述气体循环管的一侧，使气体强制循环。
蚀刻装置及其控制方法

[发明专利]蚀刻装置及其控制方法-CN202210793931.6在审
发明人： 李昇勋;牟圣元;李羊浩;韩兴洙;裴祯贤 -专利权人：杰宜斯科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻装置及其控制方法，该蚀刻装置包括：蚀刻腔室，通过蚀刻液来蚀刻对象体；蚀刻液供给部，回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，通过蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；第一压力调节部，向所述蚀刻液泵注入气体以施加驱动压力；第二压力调节部，以指定的相同压力对所述蚀刻腔室和所述蚀刻液供给部进行加压；背压调节部，调节当所述蚀刻液泵驱动时排出的气体的压力；以及阀门，控制所述气体向所述蚀刻液泵注入或排出的顺序和方向。
蚀刻装置及其控制方法

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