“李张南”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于复合介质栅结构的成像阵列及其曝光、读取方法-CN202010401623.5有效
发明人：闫锋;王子豪;李张南;沈凡翔;胡心怡;柴智;顾郅扬 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种基于复合介质栅结构的成像阵列及其曝光、读取方法。成像阵列包括具有复合介质栅结构的像素单元，每个像素单元的源极和漏极对称，若干数目的单元相互串联构成一行，同一行的相邻单元之间共用漏极或源极，若干行单元的漏极或源极再分别通过N型注入区与其它行对应位置的漏极或源极纵向连接构成若干列，在同一列中，将间隔若干行的N型注入区使用欧姆接触连接到一列金属层位线；在一列金属层位线的一端设有选择开关晶体管；每一行单元的控制栅极横向延伸连接为一个整体，并且在同一行中，将间隔若干列的单元的控制栅极使用欧姆接触连接到一行金属层字线。本发明可以有效地进一步减小像素周期尺寸，提高成像分辨率。
基于复合介质结构成像阵列及其曝光读取方法

[发明专利]基于反相器链跨阻放大器的复合介质栅双晶体管像素读出电路-CN202310321390.1有效
发明人：闫锋;李龙飞;王一鸣;宋年华;李张南 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04N25/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反相器链跨阻放大器的复合介质栅双晶体管像素读出电路，属于集成电路领域。本发明的电路包括复合介质栅双晶体管光敏探测器像素、开关S1、斜坡发生器、反相器链跨阻放大器、驱动级和计数器，其中，复合介质栅双晶体管光敏探测器像素控制端连接斜坡发生器，第一端接地，第二端与反相器链跨阻放大器输入端连接；反相器链跨阻放大器的输出端与驱动级的输入端连接；驱动级的输出端作为计数器的使能信号。本发明的电路，规避了放大器直流工作电平不处于线性放大区间的问题，且不易受到输入端高频噪声的干扰，以实现对复合介质栅双晶体管光敏探测器实现高速、高精度的读出。
基于反相器链跨阻放大器复合介质双晶像素读出电路

[发明专利]基于光电存算单元的模拟域累加读出电路-CN202310328911.6有效
发明人：潘红兵;李龙飞;宋年华;傅高鸣;赵文翔;李张南 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光电存算单元的模拟域累加读出电路，属于集成电路领域。本发明电路包括由多个光电存算单元构成的晶体管阵列、驱动模块和读出模块，其中驱动模块包括字线驱动模块、源线驱动模块，读出模块包括电流拷贝模块、权重电流镜运算模块、电流‑电压转换模块、权重电容运算模块、模数转换模块；同行的所有光电存算单元栅极相连构成字线，与字线驱动模块相连；同列的所有光电存算单元源极相连构成源线，与源线驱动模块相连；同列的所有光电存算单元漏极相连并与读出模块相连。本发明中的模拟域累加读出电路，具有高精度、小面积以及低功耗的优势，满足了基于光电存算单元的高能效比、小面积的神经网络加速需求。
基于光电单元模拟累加读出电路

[发明专利]一种光电计算单元的控制方法-CN201910442810.5有效
发明人：王瑶;王子豪;李张南 -专利权人：南京惟心光电系统有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F17/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电计算单元的控制方法。其光电计算单元包括发光单元和计算单元，计算单元包括三部分：作为光生载流子收集和读出区的P型半导体衬底、作为耦合区的电荷耦合层和作为载流子控制区的控制栅极；控制方法具体为：通过在控制栅极、P型半导体衬底以及N型源极和N型漏极施加不同的电学条件，改变计算单元内的电学状态，使得计算单元处于不同的工作阶段，工作阶段包括：接收光子并生成光生载流子的光输入阶段；接收电子并使电子和光生载流子产生运算关系的电输入阶段；输出被光生载流子和电输入电子共同作用的读出阶段；擦除光输入数据的光输入复位阶段。本发明可以实现高精度的光输入，大大提高了器件计算的准确度。
一种光电计算单元控制方法

[发明专利]一种矩阵向量乘阵列的控制方法-CN201910442808.8有效
发明人：王瑶;王子豪;李张南 -专利权人：南京惟心光电系统有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种矩阵向量乘阵列的控制方法。该矩阵向量乘阵列由多个光电计算单元排列组成，光电计算单元包括发光单元和计算单元，计算单元包括三部分：作为光生载流子收集和读出区的P型半导体衬底；作为耦合区的电荷耦合层；作为载流子控制区的控制栅极；矩阵向量乘阵列中，每一行计算单元的控制栅极相连，每一列计算单元的N型漏端和N型源端分别相连；通过在控制栅极、P型半导体衬底以及N型源极和N型漏极施加不同的电学条件，改变计算单元内的电学状态，使得计算单元处于光输入阶段、电输入阶段、读出阶段或者光输入复位阶段。本发明可以实现高精度的光输入，大大提高了器件计算的准确度。
一种矩阵向量阵列控制方法

[发明专利]基于复合介质栅横向耗尽的光敏探测器及其方法-CN202010384628.1有效
发明人：闫锋;沈凡翔;李张南;王子豪;王凯;顾郅扬;胡心怡;柴智 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于复合介质栅横向耗尽的光敏探测器及其方法。其探测器的单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，复合介质栅晶体管包括源漏区、第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅极；复合介质栅MOS电容在衬底上依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅极，第一浮栅与第二浮栅相连；复合介质栅MOS电容的衬底中设有N或N‑型感光区域；感光区域的四周设有P或P+型隔离区，用于将复合介质栅晶体管与复合介质栅MOS电容分隔开。本发明能够提高探测器的量子效率、扩大光响应的波长范围和减小表面能级产生复合导致的噪声。
基于复合介质横向耗尽光敏探测器及其方法

[发明专利]一种可实现高精度光输入的光电计算装置-CN201910259624.8有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京吉相传感成像技术研究院有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现高精度光输入的光电计算装置。包括由多个发光单元周期排列组成的发光阵列和由多个计算单元周期排列组成的计算阵列，发光阵列发出的光入射到计算阵列中；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区；发光阵列进行分时发光。本发明的光电计算装置可实现高精度的光输入。
一种实现高精度输入光电计算装置

[发明专利]多增益模式的复合介质栅双晶体管光敏探测器及方法-CN202310092734.6在审
发明人：马浩文;沈凡翔;闫锋;卜晓峰;王凯;王子豪;李张南;胡心怡;顾郅扬;陈辉;常峻淞 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种多增益模式的复合介质栅双晶体管光敏探测器及方法。该探测器包括用于感光的复合介质栅电容和用于读出的复合介质栅晶体管，复合介质栅电容包括衬底、第一底层介质层、第一电荷耦合层、第一顶层介质层和控制栅；该光敏探测器还包括增益电容，增益电容的衬底与复合介质栅电容的衬底相连且之间不存在隔离结构；增益电容的结构包括由下而上设置的衬底、复合介质层和增益栅极，其中，增益电容的衬底与复合介质栅电容的衬底为同一个衬底。本发明实现了一种灵敏度、高动态范围、高灵敏度，并且主要应用于微米级像素单元的图像传感器。
增益模式复合介质双晶光敏探测器方法

[发明专利]基于复合介质栅结构的光敏探测单元、探测器及其方法-CN202010401621.6有效
发明人：闫锋;王子豪;沈凡翔;李张南;王凯;胡心怡 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种基于复合介质栅结构的光敏探测单元、探测器及其方法。其光敏探测单元包括具有感光功能的复合介质栅MOS‑C部分、具有读取信息功能的复合介质栅MOSFET部分以及具有复位功能的复位管部分，复位管部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的底层介质层、复位浮栅层、顶层介质层和复位栅；在P型半导体衬底中：靠近第一底层介质层的一侧设有N型连接层，N型连接层与N型注入层相连；N型注入层分别与N型源极区、N型漏极区、复合介质栅MOSFET部分下方的衬底、复位栅下方的衬底之间通过设置浅槽隔离区和P+型注入区隔开。本发明的光敏探测器减小了暗信号带来的固定图形噪声，具有良好的暗特性和弱光响应。
基于复合介质结构光敏探测单元探测器及其方法

[发明专利]一种光电计算阵列及其自对准方法-CN201910291720.0有效
发明人：王瑶;闫锋;李张南 -专利权人：南京吉相传感成像技术研究院有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电计算阵列及其自对准方法。光电计算阵列包括由多个发光单元周期排列组成的发光阵列和由多个计算单元周期排列组成的计算阵列，计算阵列的周围设置有一圈或多圈对准单元，对准单元与计算单元的结构相同；发光单元的数量大于计算单元与对准单元的数量之和；发光单元发出的光入射到与其光学位置对应的计算单元和对准单元。本发明的光电计算阵列能够实现高精度的光输入，并大大提高光电计算的准确度，其自对准的方法简单，易于实现。
一种光电计算阵列及其对准方法

[发明专利]一种利用光学结构输入的光电计算阵列-CN201910259622.9有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京威派视半导体技术有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光学结构输入的光电计算阵列，包括由多个发光单元周期排列组成的发光阵列和由多个计算单元周期排列组成的计算阵列。发光阵列发出的光经过光学结构调制后输入计算阵列；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区。本发明的光电计算阵列可实现高精度的光输入。
一种利用光学结构输入光电计算阵列

[发明专利]一种光电计算单元-CN201910259566.9有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京威派视半导体技术有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电计算单元，包括发光单元和计算单元。其中，发光单元的发光面紧贴着计算单元的输入面；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区。本发明的光电计算单元可以实现高精度的光输入。
一种光电计算单元

[发明专利]光电计算单元工作状态的控制方法-CN201910442809.2有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京惟心光电系统有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电计算单元工作状态的控制方法。其光电计算单元包括发光单元和计算单元，计算单元包括三部分：作为光生载流子收集和读出区的P型半导体衬底、作为耦合区的电荷耦合层和作为载流子控制区的控制栅极；控制方法具体为：通过在控制栅极、P型半导体衬底以及N型源极和N型漏极施加不同的电学条件，改变计算单元内的电学状态，使得计算单元处于不同的工作阶段，工作阶段包括：接收光子并生成光生载流子的光输入阶段；接收电子并使电子和光生载流子产生运算关系的电输入阶段；输出被光生载流子和电输入电子共同作用的读出阶段；擦除光输入数据的光输入复位阶段。本发明可以实现高精度的光输入，大大提高了器件计算的准确度。
光电计算单元工作状态控制方法

[发明专利]衬底电压调制型图像传感器像素单元及阵列、操作方法-CN202211505854.6在审
发明人：闫锋;沈凡翔;王子豪;马浩文;卜晓峰;李张南;王凯;胡心怡;顾郅扬;陈辉;常峻淞 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底电压调制型图像传感器像素单元即阵列、操作方法。该像素单元包括场效应管和三极管，场效应管衬底的掺杂类型与三极管的基极的掺杂类型相同，但与场效应管的源极和漏极的掺杂类型相反；场效应管衬底与三极管的基极相连，三极管的发射极连接场效应管的源极和漏极中的一个，作为像元源极；三极管的集电极连接场效应管的源极和漏极中的另一个，作为像元漏极；场效应管的栅极外接电压，作为像元栅极。本发明提供的图像传感器可适用于亚微米像素，具有低暗电流、低串扰、高信噪比以及像元尺寸缩至9F2等特点。
衬底电压调制图像传感器像素单元阵列操作方法

[发明专利]一种矩阵向量乘法器工作状态的控制方法-CN201910442813.9有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京惟心光电系统有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种矩阵向量乘法器工作状态的控制方法。该矩阵向量乘法器由多个光电计算单元排列组成，光电计算单元包括发光单元和计算单元，计算单元包括三部分：作为光生载流子收集和读出区的P型半导体衬底；作为耦合区的电荷耦合层；作为载流子控制区的控制栅极；矩阵向量乘法器中，每一行计算单元的控制栅极相连，每一列计算单元的N型漏端和N型源端分别相连；通过在控制栅极、P型半导体衬底以及N型源极和N型漏极施加不同的电学条件，改变计算单元内的电学状态，使得计算单元处于光输入阶段、电输入阶段、读出阶段或者光输入复位阶段。本发明可以实现高精度的光输入，大大提高了器件计算的准确度。
一种矩阵向量乘法器工作状态控制方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条