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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]负极活性物质、负极、锂电池和制造负极活性物质的方法-CN201510016538.6有效
发明人：权昇旭;金哉赫;徐淳星;秋希姈;郑昶义;朴燿翰;尤里·马图拉维奇;李天珪 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：提供了负极活性物质、负极、包括该负极活性物质的锂电池以及制造该负极活性物质、负极和锂电池的方法。该负极活性物质包括硅基合金，所述硅基合金包括Si、Ti、Ni和Fe组分。硅基合金包括作为非活性相的Ti₂Ni相和具有比通常的硅基合金的活性硅的含量低的含量的活性硅。该负极活性物质可以改善锂电池的放电容量和寿命特性。
负极活性物质锂电池制造方法

[发明专利]负极活性物质、制法、锂二次电池用负极和锂二次电池-CN201310040790.1有效
发明人：文圣晥;金哉赫;权升旭;郑昶义;朴燿翰;徐淳星;李天珪;崔钟书;Y.马图勒维赫 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及负极活性物质、制法、锂二次电池用负极和锂二次电池。用于可再充电锂电池的负极活性物质包括由式1表示的Si‑Al‑Fe合金。所述Si‑Al‑Fe合金包括Si相和合金相，和所述合金相包括原子百分数比为约332的Si、Al和Fe，其中50原子%≤x≤90原子%，5原子%≤y≤30原子%，5原子%≤z≤30原子%，和x+y+z=100原子%。式1xSi‑yAl‑zFe。
负极活性物质制法二次电池

[发明专利]用于锂二次电池的电极、制造方法及锂二次电池-CN201310045515.9有效
发明人：徐淳星;尤里·马图莱维奇;权昇旭;朴燿翰;郑昶义;金哉赫;李天珪;崔钟书 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：用于锂二次电池的电极包括硅类合金，并具有至约1μm至约10μm的表面粗糙度和5μm或更小的表面粗糙度偏差。制造所述电极的方法包括混合电极组合物，研磨所述组合物，在集流体上涂布所述研磨的组合物，和干燥所述研磨的组合物。锂二次电池包括所述电极。
用于二次电池电极制造方法

[发明专利]负极活性物质、含其的可再充电锂电池和其形成方法-CN201310018411.9无效
发明人：金哉赫;文圣皖;权升旭;徐淳星;郑昶义;朴燿翰;李天珪;M.尤里;崔钟书 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及负极活性物质、含其的可再充电锂电池和其形成方法。用于可再充电锂电池的负极活性物质包括：包括Si-X基合金的基体，其中X不是Si且选自碱金属、碱土金属、13族元素、14族元素、15族元素、16族元素、过渡元素、稀土元素、或其组合；分散在所述基体中的硅；和在所述负极活性物质中的氧，基于所述负极活性物质中原子的总数，包括20原子%或更少的所述氧。可再充电锂电池包括所述负极活性物质。
负极活性物质充电锂电池形成方法

[发明专利]负极活性材料、包括其的二次电池及制备二次电池的方法-CN201210245674.9在审
发明人：郑昶义;李天珪;文圣晥;金哉赫;Y.马图莱维克;权升旭;Y.朴;崔钟书 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：提供负极活性材料和包括其的二次电池。更具体地，本公开内容涉及包括含Si的Si-金属合金的负极活性材料，所述Si以66原子%或更少的量存在于所述Si-金属合金中，并且所述Si的至少一部分为结晶Si。所述负极活性材料可提供高容量电池，其由于充电和放电期间小的体积膨胀而可保持高容量，从而展现二次电池优异的寿命特性。所述负极活性材料可包括包含具有30nm或更小的晶粒尺寸的结晶Si的Si-金属合金。还公开了负极活性材料的制备方法和包括其的二次电池的制备方法。
负极活性材料包括二次电池制备方法

[发明专利]等离子体显示装置-CN200910004440.3无效
发明人：任相薰;李天珪;李宗翰;赵俞贞 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体显示装置。该等离子体显示装置利用显示图像时产生并且在显示区域中以均匀分布的方式发射的红外线实现触摸板功能。该等离子体显示装置包括：等离子体显示板(PDP)，用于显示图像；基座，附着到该PDP，并且支撑该PDP；红外线传感器，在该PDP的前表面或者后表面，用于检测从该PDP发射的红外线的量的变化；以及控制器，用于接收检测信号，并且确定红外线的量的变化的位置，该红外线的量的变化的位置定义触摸位置。
等离子体显示装置

[发明专利]具有低电阻间隔器的电子发射显示器件-CN200610132300.0无效
发明人：陈成焕;崔钟植;张喆铉;李天珪;宣亨来;李宰薰;张东守;宋基永;徐亨喆 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：一种电子发射显示器件，包括：电子发射基板；设置在电子发射基板区域上的电子发射器件；在除了设置有电子发射器件的区域之外的部分处与电子发射基板电连接的辅助电极；图像形成基板；设置在图像形成基板上与电子发射器件对应的图像实现部；和间隔器，其用于支撑辅助电极和图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器包括导电材料。间隔器用导电材料涂敷，或用两种导电材料两次涂敷，所述两种导电材料具有彼此不同的电阻。通过增加间隔器的导电率使电荷装在间隔器中，从而可阻止电子束的轨迹扭曲，防止图像的扭曲和变化。
具有电阻间隔电子发射显示器件

[发明专利]电子发射显示装置-CN200610104056.7无效
发明人：全祥皓;李天珪;李相祚;安商爀;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明公开一种能获得高效率的电子发射显示装置。在一个实施例中，该电子发射显示装置包括第一基板，面向该第一基板的第二基板，形成在第一基板上的电子发射单元，和在第二基板上具有图案化荧光层的发光单元。在这个实施例中，当从电子发射单元发射并且落在荧光层上的电子束的电子束斑的面积由A表示，并且对应该电子束斑的荧光层的面积由B表示时，面积A与面积B满足：0.9≤A/B≤1.4。
电子发射显示装置

[发明专利]电子发射装置及其驱动方法-CN200610057626.1无效
发明人：全祥皓;李天珪;李相祚;安商爀;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-02-22 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明公开了电子发射装置和驱动所述电子发射装置的方法，通过抑制发射延迟，可防止显示运动图像时亮度下降。该电子发射装置包括：阴极，形成在所述阴极上的栅极，和设置在阴极与栅极之间的绝缘层。电子发射区形成在所述阴极上，其在因施加给阴极和栅极的各自电压之间的差值所产生的电场的作用下，发射电子。驱动单元将电压施加给所述阴极和栅极。阳极接收正电压，以使从电子发射区发射的电子加速。施加给所述阴极的第一电压Vc与施加给所述栅极的第二电压Vg满足以下条件：0.4 ≤Vc/Vg＜0.8。
电子发射装置及其驱动方法

[发明专利]电子发射装置-CN200610019856.9无效
发明人：全祥皓;李天珪;李相祚;安商爀;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电子发射装置，其包括形成在第一基板上的电子发射区域、用于控制从该电子发射区域发射的电子的发射的驱动电极、以及用于聚焦电子并具有电子通过的开口的聚焦电极。第一绝缘层设置在该驱动电极和该聚焦电极之间。该聚焦电极和该绝缘层满足下面两个条件中的至少一个：1.0≤|Vf/t|≤6.0；以及0.2≤|Vf/Wh|≤0.4，这里Vf(V)表示施加到该聚焦电极的电压，t(μm)表示该绝缘层的厚度，并且Wh(μm)表示该聚焦电极的该开口的宽度。
电子发射装置

[发明专利]电子发射器件及采用该器件的电子发射显示设备-CN200610067075.7无效
发明人：洪秀奉;李天珪;李相祚;全祥皓;安商爀 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子发射器件，包括基板；形成在基板上的阴电极；与阴电极交叉、并与阴电极绝缘的门电极；和电连接到阴电极的电子发射区。阴电极包括，具有内部开口部分的主电极，设置在开口部分中并以一距离与主电极分隔开的分离电极，和配置在主电极和分离电极之间的阻抗层。分离电极具有通孔。电子发射区接触分离电极，并设置在通孔中。分离电极具有第一高度，且电子发射区具有较之第一高度更小的第二高度。
电子发射器件采用显示设备

[发明专利]电子发射器件和制造电子发射器件的方法-CN200610066801.3无效
发明人：洪秀奉;李天珪;李相祚;全祥皓;安商爀 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子发射器件，包括：第一基板；面对第一基板并且与第一基板隔开预定间距的第二基板；阴极，每个阴极包括在第一基板上形成的第一电极和与第一电极间隔开的多个第二电极；在多个第二电极上形成的电子发射区；互连第一电极和多个第二电极的每一个、并且围绕电子发射区的电阻层；置于电阻层和阴极之上的绝缘层；和在绝缘层之上形成的栅极。
电子发射器件制造方法

[发明专利]电子发射装置-CN200610073823.2无效
发明人：全祥皓;李天珪;李相祚;安商爀;洪秀奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子发射装置包括第一衬底；面向第一衬底并与第一衬底分隔开的第二衬底；在第一衬底上的电子发射单元，电子发射单元具有至少两个电极和用于发射电子的发射区；和在第二衬底上将通过由电子形成的束激发的光发射单元。电子发射单元包括用于聚焦所述束的聚焦电极。光发射单元包括在其上像素设置成图案的屏幕。每个像素具有荧光层。像素之一的荧光层通过所述束激发。所述聚焦电极包括开口，所述束通过所述开口。开口的长度是L_V、像素的节距是P_V，且L_V和P_V满足：0.25≤L_V/P_V≤0.60。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置-CN200510126969.4无效
发明人：李炳坤;李相祚;全祥皓;安商爀;洪秀奉;李天珪 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电子发射装置，包括在基板方向上设置在基板上的第一电极，和设置在基板表面并覆盖整个第一电极的绝缘层。第二电极设置在绝缘层上并且垂直于第一电极。电子发射区与第一和第二电极中的一个连接。第一电极的侧边和第二电极的侧边分别彼此交叉。
电子发射装置

[发明专利]电子发射装置和制造该装置的方法-CN200510113264.9无效
发明人： 李天珪;崔龙洙;李炳坤;李相祚 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子发射装置，其在不增大用于产生电子发射的驱动电压的情况下增加电子的发射量。所述电子发射装置包括衬底、形成在该衬底上的第一电极、电连接到第一电极的电子发射区、以及与第一电极在不同平面上的第二和第三电极。第二和第三电极接收相同的电压，并形成用于从电子发射区发射电子的电场。第四电极可以位于基本上与第一电极相同的平面，并接收与第二和第三电极相同的电压。
电子发射装置制造方法

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