“杉山秀树”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310192134.7在审
发明人： 杉山秀树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括形成在半导体衬底的有源区域中的阱区域、经由栅极电介质膜形成在阱区域上的栅极电极，以及形成在阱区域中的源极区域和漏极区域。在有源区域在第一方向上的两个端部附近，在阱区域形成第一区域和第二区域，第一区域和第二区域具有与阱区域相同的导电类型并且具有比阱区域的杂质浓度高的杂质浓度。第一区域和第二区域在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开，并且它们中的每个的至少一部分位于栅极电极之下。第一区域和第二区域未形成在有源区域在第一方向上的中心部分处。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基片处理装置-CN202310163586.2在审
发明人： 杉山秀树;矢幡将二郎;山中进矢 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高气体流路的设计的自由度的基片处理装置。基片处理装置包括：处理腔室；设置在所述处理腔室内的、用于保持基片的基片支承部；和与所述基片支承部相对的喷淋头，所述喷淋头具有：形成有用于排出气体的气体流路的喷淋板；和用于保持所述喷淋板并对其进行冷却的冷却板，所述冷却板具有：第一板，其具有用于对气体进行分配的气体分配层；第二板，其具有能够被供给制冷剂的制冷剂流路和能够被供给由所述气体分配层分配后的气体的气体扩散空间；和用于将所述第一板和所述第二板紧固的紧固部件。
处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202310067277.5在审
发明人： 杉山秀树;猪狩浩;长山将之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有喷淋板，上述喷淋板形成有释放气体的气体流路，并包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于上述凹部的埋入部件，上述气体流路包括：形成于上述基材并与上述凹部连通的第一流路；形成于上述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于上述基材和上述埋入部件中的至少一者，将上述第一流路与上述第二流路连通。
等离子体处理装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610548391.X有效
发明人：齐藤健太郎;杉山秀树;茶木原启;川岛祥之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的性能。在半导体装置中，通过相互相邻的控制栅极电极(15)和存储器栅极电极(26)、形成于控制栅极电极(15)下的栅极绝缘膜(13)以及形成于存储器栅极电极(26)下并且在内部具有电荷累积部的绝缘膜(27)来形成存储器单元(MC)。另外，在该半导体装置中，通过下部电极(16)、上部电极(23)以及形成于上部电极(23)与下部电极(16)之间的电容绝缘膜(27a)来形成电容元件(CD1)。下部电极(16)的厚度(TH2)薄于控制栅极电极(15)的厚度(TH1)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]打印装置、打印系统及控制方法-CN201110020679.7有效
发明人： 杉山秀树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种打印装置、打印系统及控制方法。该打印装置包括：存储单元，其被配置为存储由管理装置登记的用于各打印机驱动程序的多个安装程序；更新单元，其被配置为对所存储的安装程序设置用于安装所述打印机驱动程序的、所述打印装置的配置信息，并更新所述安装程序；以及提供单元，其被配置为根据来自信息处理装置的请求将所存储的安装程序的信息发送至所述信息处理装置，并向所述信息处理装置提供由所述信息处理装置选择的安装程序。
打印装置系统控制方法

[发明专利]信息处理装置及方法-CN201010122824.8有效
发明人： 杉山秀树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种信息处理装置及方法。所述信息处理装置包括：假脱机部，其用于假脱机从应用接收的作业；假脱机部监视器；存档单元，其用于将作业存档；以及端口监视器，所述端口监视器被构造为：检测所述假脱机部是否开始作业，在所述端口监视器检测到所述假脱机部开始作业的情况下，向所述假脱机部监视器和存档单元请求控制参数，在从所述存档单元接收的控制参数表示所述作业要被存档、并且从所述假脱机部监视器接收的控制参数表示要对所述作业执行另一操作的情况下，使所述存档单元将所述作业存档并使得执行所述另一操作。
信息处理装置方法

[发明专利]打印控制装置和打印控制方法-CN200810084214.6无效
发明人： 杉山秀树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：一种打印控制装置，其将来自于打印应用程序的打印作业存储于存储区，并将打印作业发送到打印装置。该打印控制装置包括：控制单元，用于当第一个接收到的打印作业中设置了计费代码时，将该打印作业发送到打印装置，且当第一个接收到的打印作业中没有设置计费代码时，控制打印作业的顺序以便于在第一个接收到的打印作业之前(或代替该第一个接收到的打印作业)发送后续数据；显示单元，用于显示从打印应用程序接收到的打印作业的列表；设置单元，用于根据用户的输入，从显示在显示单元中的打印作业的列表中选择一个或一个以上的打印作业，并设置计费代码。相关的方法也被公开。
打印控制装置方法

[发明专利]基板平台和等离子处理装置-CN200710181968.9无效
发明人： 杉山秀树;冈山信幸;长山将之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。
平台等离子处理装置

[发明专利]二噁英类的湿式无害化处理方法-CN98813810.7无效
发明人：岩崎守;金井隆一;川村和茂;杉山秀树;户河里脩;浅冈佐知夫;内田稔;武田大 -专利权人：千代田化工建设株式会社
申请日： 1998-12-25 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： A62D3/00 文献下载
摘要：记载了通过在低于100℃的温度下使二噁英类与反应处理剂进行反应而使之无害化的处理方法以及对焚烧炉排出的含有含二噁英类飞尘的气体进行无害化处理的方法。上述反应处理剂由以溶解状态含有铜离子等反应催化剂的盐酸酸性水溶液构成。
二噁英类无害化处理方法

1
共 9 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top