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[发明专利]包含核壳结构的微粒作为活性成分的用于增加凝血因子基因表达的组合物-CN201980025173.X有效
发明人：胡成炫;朴秀振 -专利权人：吉恩博生物科学有限公司;理研制药株式会社
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A61K48/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于增加凝血因子基因表达的组合物，所述组合物包含核壳结构的微粒作为活性成分。当与凝血因子VIII基因或其变体基因一起体内施用时，根据本发明的用于增加凝血因子基因表达的组合物可以使基因的表达增加至少30％或大于30％。当与基因治疗剂一起施用时，即使具有少量的基因，组合物也可以实现治疗效果，因此组合物是有用的。
包含结构微粒作为活性成分用于增加凝血因子基因表达组合

[发明专利]锂二次电池用负极、锂二次电池用负极的制造方法以及包含负极的锂二次电池-CN202280013736.5在审
发明人：田璨秀;权要翰;金荣宰;金泰坤;朴秀振;李宰旭 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本申请涉及锂二次电池用负极、锂二次电池用负极的制造方法以及包含所述负极的锂二次电池。
二次电池负极制造方法以及包含

[发明专利]锂二次电池用负极、包含负极的锂二次电池以及制造锂二次电池用负极的方法-CN202280016023.4在审
发明人： 朴秀振;李宰旭;权要翰;田澯秀 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本申请涉及一种负极组合物、包含所述负极组合物的锂二次电池用负极、包含所述负极的锂二次电池和制备负极组合物的方法。
二次电池负极包含以及制造方法

[发明专利]锂二次电池用负极、锂二次电极用负极的制备方法以及包含负极的锂二次电池-CN202280008118.1在审
发明人：田澯秀;权要翰;金荣宰;金泰坤;朴秀振;李宰旭;全谞营 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种锂二次电池用负极、一种用于制备锂二次电池用负极的方法以及包含该锂二次电池用负极的锂二次电池。
二次电池负极电极制备方法以及包含

[发明专利]包括双重涂层的隔板和包括所述隔板的二次电池-CN202080002019.3有效
发明人：贾炅仑;朴秀振;李相俊;李济安 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01M50/40 文献下载
摘要：本发明提供一种隔板，所述隔板具有形成在聚烯烃基板的至少一个表面上的包括无机材料的第一涂层和形成在所述第一涂层上的包括无机材料的第二涂层，其中第一涂层的无机材料的平均粒径大于第二涂层的无机材料的平均粒径，基于D50，第一涂层的无机材料的平均粒径为900nm或以上，并且基于D50，第二涂层的无机材料的平均粒径为10nm或以上且500nm或以下。
包括双重涂层隔板二次电池

[发明专利]半导体器件及包括其的非易失性存储器装置和电子系统-CN202211664653.0在审
发明人：全英珠;高秉柱;甘喜星;朴秀振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件及包括其的非易失性存储器装置和电子系统。所述半导体器件包括：基底，包括有源区域；栅极结构，与有源区域相交；源极/漏极区域，设置在有源区域上；下接触件，设置在源极/漏极区域或栅极结构上；上接触件，设置在下接触件上；以及多条导电线，设置在上接触件上，其中，所述多条导电线在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，其中，所述多条导电线包括设置在上接触件上的第一导电线，其中，下接触件在第一方向上的尺寸小于上接触件在第一方向上的尺寸，其中，下接触件在第二方向上的尺寸大于上接触件在第二方向上的尺寸，其中，第二方向与第一方向相交。
半导体器件包括非易失性存储器装置电子系统

[发明专利]存储器装置-CN201710480033.4有效
发明人： 朴秀振;金善煐;尹壮根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括：堆叠在衬底的上表面上的栅电极层，每个栅电极层包括沿着第一方向延伸的多个单位电极；和将各单位电极彼此连接的多个连接电极。存储器装置还包括：沿着垂直于衬底的上表面的方向穿过栅电极层而延伸的沟道结构；沿着第一方向延伸并介于各单位电极之间的第一公共源极线；和在各第一公共源极线之间沿着第一方向延伸的第二公共源极线，每条第二公共源极线具有在第一方向上通过连接电极彼此隔离的第一线和第二线。
存储器装置

[发明专利]用于锂二次电池的隔板和包括其的锂二次电池-CN202180065841.9在审
发明人：卢成姬;朴秀振 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M50/449 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种用于锂二次电池的隔板，包括：多孔聚合物基板；和设置在所述多孔聚合物基板的至少一个表面上、且包括用多酚基化合物进行表面处理的第一无机颗粒、用有机酸进行表面处理的第二无机颗粒、和粘合剂聚合物的多孔涂层，其中所述第一无机颗粒具有100nm至700nm的平均颗粒直径，并且所述第二无机颗粒具有30nm至80nm的平均颗粒直径；以及一种包括其的锂二次电池。所述用于锂二次电池的隔板使用具有不同平均颗粒直径的两种类型的经表面处理的无机颗粒。因此，所述无机颗粒具有改善的可分散性，而且所述隔板具有高的热安全性并且可防止所述无机颗粒的分离。
用于二次电池隔板包括

[发明专利]用于电化学装置的隔板和包括该隔板的电化学装置-CN201980039084.0有效
发明人： 朴秀振;李相俊 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：提供了一种用于电化学装置的隔板。所述隔板包括由多孔聚合物材料制成的隔板基板，其中所述隔板基板具有小厚度、优异的电阻特性和离子电导率、以及高的机械强度。当将隔板应用于电池时，可以改善电池的输出特性。
用于电化学装置隔板包括

[发明专利]用于电化学装置的隔板和包括该隔板的电化学装置-CN201980016942.X有效
发明人： 朴秀振;金燦鐘;李相俊 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01M50/414 文献下载
摘要：提供了一种用于电化学装置的隔板。所述隔板包括由具有优异压缩率和永久性应变的多孔聚合物膜制成的多孔基板，其中所述多孔基板具有优异的物理强度和耐久性，并且在使用具有小厚度的耐热层的同时确保高击穿电压，并因此表现出低的发生短路的可能性。除此之外，所述隔板可进一步包括在所述多孔基板的表面上含有无机颗粒的耐热层。本文中，根据无机颗粒的类型的不同，可进一步改善压缩率、最大压缩率、和永久性应变特性。
用于电化学装置隔板包括

[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202111079273.6在审
发明人： 朴秀振;甘喜星;高秉柱;成贤柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括在下部结构上的层间绝缘层和水平层；垂直存储结构，在垂直方向上穿过堆叠结构；第一阻挡结构和第二阻挡结构，在垂直方向上穿过堆叠结构并且彼此平行；穿过堆叠结构的支撑物图案；以及穿过堆叠结构的贯穿接触插塞。第一阻挡结构包括在第一方向上排列并彼此间隔开的第一阻挡图案以及在第一方向上排列并彼此间隔开的第二阻挡图案。第一阻挡图案和第二阻挡图案中的每个包括在第一方向上延伸的线形形状。在彼此相邻的第一阻挡图案和第二阻挡图案中，第一阻挡图案的一部分在垂直于第一方向的第二方向上与第二阻挡图案的一部分相对。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]硅类活性材料-聚合物复合物及其制备方法-CN201780003450.8有效
发明人：赵来焕;金银卿;李龙珠;朴秀振;金贤撤;崔静贤 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅类活性材料‑聚合物复合物，其为通过均匀混合以下各项的初级粒子而形成的次级粒子：硅类粒子；和导电聚合物粒子，其在20℃至40℃的温度下的体积弹性模量为10Pa至100Pa。
活性材料聚合物复合物及其制备方法

[发明专利]包含核壳结构的微粒作为活性成分的用于增加生长因子基因表达的组合物-CN201980025172.5在审
发明人：胡成炫;朴秀振 -专利权人：吉恩博生物科学有限公司;理研制药株式会社
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： A61K9/16 文献下载
摘要：本公开涉及用于增加生长因子基因表达的组合物，其包含核壳结构的微粒作为活性成分。当与基因一起在体内施用时，根据本公开的用于增加生长因子基因表达的组合物可以使共同施用的基因的表达增加至少30％或高于30％。特别地，当与适用于本发明的选自人肝细胞生长因子(HGF)基因、人HGF的变体基因和其突变基因的至少一种基因，或与适用于本发明的选自人胰岛素样生长因子1(IGF1)基因、人IGF‑1的变体基因及其突变基因的至少一种基因一起施用时，所述组合物可以使基因的表达增加至少30％或高于30％。当与基因治疗剂一起施用时，即使使用少量的基因，组合物也可以实现治疗效果，因此所述组合物是有用的。
包含结构微粒作为活性成分用于增加生长因子基因表达组合

[发明专利]具有增强的蛋白质表达的因子VⅢ突变体表达载体-CN201880079141.3在审
发明人：胡成炫;朴秀振 -专利权人：吉恩博生物科学有限公司;理研制药株式会社
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C12N15/67 文献下载
摘要：本公开涉及携带编码凝血因子VIII突变体的多核苷酸并增加蛋白质表达的表达载体，以及包含该表达载体的用于预防或治疗出血性疾病或出血的药物组合物。本公开的因子VIII突变体是通过在因子VIII中缺失一部分B结构域(残基784至1667)和一部分a3区域(残基1668至1671)而得到的，其结果是携带编码因子VIII突变体的多核苷酸的表达载体的蛋白质表达能力显著增加。
具有增强蛋白质表达因子突变体载体

[发明专利]用于制备碳纳米管的方法及碳纳米管分散体组合物-CN201580025147.9有效
发明人：孙权男;李佶宣;权元锺;朴秀振;吴丙薰;黄义龙;梁胜普;柳光铉;李美真 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B22F9/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备碳纳米管的方法以及使用所述方法获得的碳纳米管的分散体组合物，所述方法能够更有效地制备尺寸均匀且微细的碳纳米管。所述用于制备碳纳米管的方法包括：形成包含具有第一长度的碳纳米管束、分散剂和溶剂的分散体液体的步骤；以及使所述分散体液体能够连续穿过高压均质器的步骤，所述高压均质器包括入口、出口以及连接所述入口和所述出口且直径为微米级的微通道，其中所述分散剂为多种多环芳烃氧化物的混合物并且包括其中分子量为300至1000的多环芳烃氧化物的含量为至少60重量％的混合物，所述具有第一长度的碳纳米管束可通过在穿过所述微通道时在施加剪切力下粉碎或解缠形成具有比所述第一长度短的第二长度的碳纳米管。
用于制备纳米方法散体组合

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