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[发明专利]用于锂二次电池的阳极活性物质和包括其的锂二次电池-CN201880071736.4有效
发明人：宋守镐;金相墣;文重镐;朴廷桓;李基树;宋柱翰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于锂二次电池的阳极活性物质和包括该阳极活性物质的锂二次电池。用于锂二次电池的阳极活性物质包括两种结晶碳，其中在X射线衍射图中，3R(101)面与2H(100)面的峰强度比I3R(101)/I2H(100)的范围为0.55至0.7。
用于二次电池阳极活性物质包括

[发明专利]信道状态信息参考信号-CN202210136674.9在审
发明人：赵重元;朴廷桓 -专利权人：阿里斯卡尔股份有限公司;阿里斯卡尔技术有限责任公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：提供一种信道状态信息参考信号。在包括大量天线端口的多输入多输出(MIMO)系统中，诸如节点B的基站通过传送每个信道状态信息参考信号(CSI‑RS)配置的天线端口的数量和一个或更多个CSI‑RS配置来传送天线端口的总数。用户装置根据由基站传送的信息，通过确定由基站发送的CSI‑RS配置的数量并将该数量乘以由基站指示的每个CSI‑RS配置的天线端口的数量，来确定天线端口的数量。
信道状态信息参考信号

[发明专利]信道状态信息参考信号-CN202210136950.1在审
发明人：赵重元;朴廷桓 -专利权人：阿里斯卡尔股份有限公司;阿里斯卡尔技术有限责任公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：提供一种信道状态信息参考信号。在包括大量天线端口的多输入多输出(MIMO)系统中，诸如节点B的基站通过传送每个信道状态信息参考信号(CSI‑RS)配置的天线端口的数量和一个或更多个CSI‑RS配置来传送天线端口的总数。用户装置根据由基站传送的信息，通过确定由基站发送的CSI‑RS配置的数量并将该数量乘以由基站指示的每个CSI‑RS配置的天线端口的数量，来确定天线端口的数量。
信道状态信息参考信号

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202111025401.9在审
发明人：金尚玧;金经纶;朴廷桓;崔娟圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：一种存储器装置包括：第一电路；第二电路；以及自适应体偏压产生器，其被配置为接收频率检测信息或者温度检测信息，以响应于所述频率检测信息或者所述温度检测信息将第一正体偏压或者第一反体偏压施加至所述第一电路，并且响应于所述频率检测信息或者所述温度检测信息将第二正体偏压或者第二反体偏压施加至所述第二电路。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]信道状态信息参考信号-CN201980061783.5有效
发明人：赵重元;朴廷桓 -专利权人：阿里斯卡尔股份有限公司;阿里斯卡尔技术有限责任公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：在包括大量天线端口的多输入多输出(MIMO)系统中，诸如节点B的基站通过传送每个信道状态信息参考信号(CSI‑RS)配置的天线端口的数量和一个或更多个CSI‑RS配置来传送天线端口的总数。用户装置根据由基站传送的信息，通过确定由基站发送的CSI‑RS配置的数量并将该数量乘以由基站指示的每个CSI‑RS配置的天线端口的数量，来确定天线端口的数量。
信道状态信息参考信号

[发明专利]制造功率半导体器件的方法-CN202010113045.5在审
发明人：金虎铉;许承培;宋承昱;朴廷桓;杨河龙;金仁洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及制造功率半导体器件的方法，其包括：在基底上形成第一外延层和其上的第二外延层；在第二外延层上执行低浓度N型掺杂剂的掺杂扩散工艺以形成低浓度N型掺杂区域；在第二外延层上执行低浓度P型掺杂剂的掺杂扩散工艺以形成低浓度P型掺杂区域；在第二外延层上执行高浓度P型掺杂剂的选择性掺杂扩散工艺以形成高浓度P型掺杂区域；在第二外延层上执行高浓度N型掺杂剂的选择性掺杂扩散工艺以形成高浓度N型掺杂区域；在第二外延层中形成通过高浓度N型掺杂区域的沟槽；沿沟槽的表面形成栅极绝缘层；在沟槽内形成栅电极；在第二外延层上形成层间绝缘层；在第二外延层的表面上形成发射电极和通过研磨工艺完全去除基底以使第一外延层暴露。
制造功率半导体器件方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法-CN201910183620.6在审
发明人：赵硕进;吴台荣;朴廷桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体存储器装置以及一种操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和地址解码器。存储器单元阵列包括多个存储器块，所述多个存储器块中的每一个包括结合至字线和位线的多个动态存储器单元，所述多个存储器块中的每一个通过行地址的行块等同比特被划分为多个行块，并且行块中的每一个包括在第一方向上排列的多个子阵列块。地址解码器基于通过写命令或读命令接收的列地址改变存储或输出数据的存储器单元的物理行地址。
半导体存储器装置存储器块行块存储器单元阵列地址解码器动态存储器单元存储器单元多个子阵列改变存储输出数据读命令列地址物理行写命令行地址位线字线

[发明专利]具有错误校正功能的存储器设备及其操作方法-CN201910317233.7在审
发明人： 朴廷桓;吴台荣;池亨晙;河庆洙;黄炯烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储器设备包括：第一存储体和第二存储体；控制逻辑，被配置为接收命令并控制存储器设备的内部操作；以及错误校正码(ECC)电路，被配置为：基于来自控制逻辑的锁存控制信号，在锁存电路中保留响应于针对第一存储体的第一屏蔽写入(MWR)命令从第一存储体读取的第一读取数据；响应于从控制逻辑接收的第一写入控制信号，从其中保留在锁存电路中的第一读取数据与对应于第一MWR命令的第一写入数据合并的数据生成第一奇偶性；基于锁存控制信号控制ECC操作以在锁存电路中保留从第二存储体读取的第二读取数据。
存储体控制逻辑锁存电路读取锁存控制信号存储器设备保留错误校正功能写入控制信号错误校正码控制存储器接收命令内部操作数据生成写入数据响应奇偶性屏蔽配置写入电路合并

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201310317077.7在审
发明人：金虎铉;许承培;宋承昱;朴廷桓;杨河龙;金仁洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：第一外延层；集电极层，形成在第一外延层的一侧上；以及第二外延层，形成第一外延层的另一侧上，第一外延层具有比第二外延层的掺杂浓度高的掺杂浓度。
功率半导体器件及其制造方法

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