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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器以及包括该图像传感器的装置-CN201410097512.4有效
发明人：王一兵;艾瑞克·弗森;伊利亚·奥夫桑尼科夫;朴允童;闵桐基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器以及包括该图像传感器的装置。一种图像传感器包括：第一光电转换元件，将电荷供应给第一电荷存储节点；第一电荷存储元件，响应于反馈信号调节从电荷供应源供应给第一电荷存储节点的电荷的量；反馈信号产生电路，基于第一电荷存储节点中的电荷的量产生所述反馈信号。
图像传感器以及包括装置

[发明专利]包括图像传感器的移动系统和图像传感器的操作方法-CN201310504921.7有效
发明人： 朴允童;金元住;陈暎究;权东旭;金庆溢;金民镐;李起相;李相普;李镇京;崔镇旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。
包括图像传感器移动系统操作方法

[发明专利]图像传感器和包括该图像传感器的图像处理系统-CN201310464857.4有效
发明人：陈暎究;丁柱焕;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器和一种包括该图像传感器的图像处理系统。图像传感器包括：像素阵列，包括多个单位像素，每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管；行驱动器块，被构造成使像素阵列中的多个行中的一个行能够进入读出模式；以及读出块，被构造成感测并放大进入读出模式的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号。
图像传感器包括图像处理系统

[发明专利]执行热复位的图像传感器及方法和包括图像传感器的设备-CN201310627548.4有效
发明人：李泰渊;郑廷圭;朴允童;李炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括像素和读出电路的图像传感器。所述像素包括具有热电结的热电元件，所述读出电路被配置为控制所述像素，使得所述热电元件执行热电冷却操作和光电转换操作。
执行复位图像传感器方法包括设备

[发明专利]深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法-CN201410046825.7有效
发明人：金昇炫;朴允童;李容济;孔珠荣;朴喜雨;车承垣;金成瞮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
深度像素三维图像传感器操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置和垂直NAND存储器装置-CN201410301392.5有效
发明人：薛光洙;金锡必;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置和一种垂直NAND存储装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在所述非易失性存储器装置中限定的位线方向上相互偏移，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括第一沟道以及在垂直于位线方向的方向上与第一沟道偏移的第二沟道，其中，位线方向垂直于所述单一的选择栅极线的方向。
非易失性存储器装置垂直 nand 存储

[发明专利]光学生物传感器、包括该光学生物传感器的生物感测系统和制造光学生物传感器的方法-CN201310095254.1有效
发明人： 朴允童;罗敬远;徐成东;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学生物传感器，包括生物感测单元，该生物感测单元被配置为接收输入光学信号并产生感测光学信号，该感测光学信号的波长根据检测生物材料的结果而变化；和光谱仪，该光谱仪包括多个环形谐振器，所述多个环形谐振器用于根据波长划分感测光学信号并分别产生多个输出光学信号。
光学生物传感器包括系统制造方法

[发明专利]图像传感器和操作该图像传感器的方法-CN201110421183.0有效
发明人：张丞爀;朴允童;李容济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：提供一种图像传感器和操作该图像传感器的方法。根据示例性实施例，一种操作三维图像传感器的方法包括使用由光源模块发射的光测量物体与三维图像传感器的距离；基于测量的距离来调整由所述光源模块发射的光的发射角。所述三维图像传感器包括所述光源模块。
图像传感器操作方法

[发明专利]半导体装置-CN201310379108.1无效
发明人：金元住;崔相武;李太熙;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了包括局部化绝缘体上硅结构的半导体装置。该半导体装置包括：基底区域；在基底区域中的第一导电类型的第一阱；第二导电类型的第二阱；第二导电类型的第三阱；绝缘体上硅结构，在第三阱的上方填充基底区域中的凹陷，其中，第二阱和第三阱通过第一阱隔开，并且第二阱和第三阱形成在第一阱两侧的区域中，使得第二阱和第三阱彼此不相邻，第二阱和第三阱中的至少一个位于第一阱上，其中，第一晶体管的源极和漏极在第二阱中，第二晶体管的源极和漏极在绝缘体上硅结构中，其中，驱动电路包括第一晶体管，存储器单元包括第二晶体管。
半导体装置

[发明专利]图像感测设备和操作其的方法-CN201210256758.2在审
发明人：李泰渊;朴允童;李容济;金升炫;孔珠荣;洪性权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：提供一种图像感测设备和操作其的方法。在操作图像传感器的方法中，在向浮动扩散区域施加重置电压之后采样浮动扩散区域的噪声电压。在采样噪声电压之后将存储光电电荷的存储区域和浮动扩散区域电连接，在存储区域和浮动扩散区域被电连接之后采样浮动扩散区域的解调电压。基于噪声电压和解调电压来确定电压。
图像设备操作方法

[发明专利]操作包括多个深度像素的三维图像传感器的方法-CN201210064222.0无效
发明人： 朴允童;E.R.福萨姆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：在根据示例实施例的操作三维图像传感器的方法中，向目标对象发出已调制光，使用多个深度像素检测从目标对象反射的已调制光，并且基于检测到的已调制光、通过将多个深度像素分组成包括大小互不相同的第一像素组和第二像素组在内的多个像素组、来生成分别与多个像素组相对应的多个像素组输出。
操作包括深度像素三维图像传感器方法

[发明专利]单元像素、光电检测装置及使用其测量距离的方法-CN201110229101.2有效
发明人： E.R.福萨姆;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及单元像素、光电检测装置及使用其测量距离的方法。一种包括在光电检测装置中的单元像素包括：在半导体衬底中的浮置扩散区、在半导体衬底上方的环形收集栅、在半导体衬底上方的环形排放栅和在半导体衬底中的排出区，其中收集栅和排放栅分别布置在浮置扩散区和排出区之间。
单元像素光电检测装置使用测量距离方法

[发明专利]光学器件及其制造方法-CN201010578730.1有效
发明人：池晧哲;金奇南;邢庸宇;罗敬远;河镜虎;朴允童;裵大录;卜镇权;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
光学器件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及包括该器件的存储卡和电子系统-CN201010171725.9无效
发明人：金元住;朴允童;成政宪;庆龙九;崔相武;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供了具有层叠结构的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储卡和电子系统。非易失性存储器件可以包括衬底。层叠NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，每个NAND组可以包括垂直层叠在衬底上面的多个NAND串。至少一条信号线可以排列在衬底上从而与所述至少一个NAND组公共耦合。
非易失性存储器包括器件存储电子系统

[发明专利]包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置-CN201010114049.1无效
发明人：薛光洙;金锡必;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，所述直接相邻的偏移的垂直NAND沟道电结合到所述非易失性存储器装置的单一的上选择栅极线或单一的下选择栅极线。
包括垂直 nand 沟道非易失性存储器装置

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