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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双极晶体管及其制作方法-CN201210115334.4有效
发明人： 朱恩均 -专利权人： 朱恩均
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双极晶体管及其制作方法。所述双极晶体管包括：重掺杂衬底；在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层；设置在所述轻掺杂外延层内的集电区；设置在所述轻掺杂外延层内、位于所述集电区上方且与所述集电区相邻的基区；位于所述轻掺杂外延层上、且位于基区上的发射区。采用本发明所提供的双极晶体管，所述轻掺杂外延层内具有集电区，所述集电区即为本征区，所述集电区两侧的轻掺杂外延层电容较小，对集电区的电容干扰较小，因此，器件的线性性能较好，同时在高频段器件的输出功率具有大幅度的提高，且效率也可增大约一倍。
双极晶体管及其制作方法

[发明专利]动能调制热电子晶体管-CN86105050.9无效
发明人： 朱恩均 -专利权人： 朱恩均
申请日： 1986-08-21 - 公布日： 1990-04-04 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：本发明提出了一种新结构的热电子晶体管，它在工作时，输入电压将基本上不改变输入电流的大小，只调制输入电子流的动能从而调制了电子飞越输出端集电极势垒的几率，控制了电流传输系数和输出电流。这一结构克服了通常热电子晶体管电流增益低，输入电容大的缺点，具有输入阻抗高，电流增益高，渡越时间短，电流密度和互导值高，无输出——输入电容反馈等优点，亦即同时兼有场效应管和双极晶体管的优点，计算表明极限工作频率可以高达1000千兆周。
动能调制热电子晶体管

[发明专利]二维电子气发射极半导体器件-CN85107336.0在审
发明人： 朱恩均 -专利权人：南京电子器件研究所
申请日： 1985-10-03 - 公布日： 1990-01-10 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
二维电子发射极半导体器件

[其他]动能调制热电子晶体管-CN86105050无效
发明人： 朱恩均 -专利权人： 朱恩均
申请日： 1986-08-21 - 公布日： 1988-03-02 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：本发明提出了一种新结构的热电子晶体管，它在工作时，输入电压将基本上不改变输入电流的大小，只调制输入电子流的动能从而调制了电子飞越输出端集电极势垒的几率，控制了电流传输系数和输出电流。这一结构克服了通常热电子晶体管电流增益低，输入电容大的缺点，具有输入阻抗高，电流增益高，渡越时间短，电流密度和互导值高，无输出——输入电容反馈等优点，亦即同时兼有场效应管和双极晶体管的优点，计算表明极限工作频率可以高达1000千兆周。
动能调制热电子晶体管

[其他]二维电子气发射极半导体器件-CN85107336无效
发明人： 朱恩均 -专利权人：南京电子器件研究所
申请日： 1985-10-03 - 公布日： 1987-05-20 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
二维电子发射极半导体器件

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