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[发明专利]可编程频率发生器及其校准方法-CN202210328245.1在审
发明人： 朱乐永 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H03K3/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编程频率发生器，在电路中加入了校准电路，校准电路的位数为k小于调频电路的位数n，从而可以减少调频电路的位数及第一镜像NMOS管宽长比，以大幅减小调频电路面积，通过更少位数及总宽长比的校准电路对可编程频率发生器输出的频率进行校准，从而在保证可编程频率发生器输出的频率的范围及精度的同时，使可编程频率发生器有较小芯片面积，节约校准可编程频率发生器成本。本发明还公开了一种可编程频率发生器的校准方法。
可编程频率发生器及其校准方法

[发明专利]一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法-CN202210030567.8在审
发明人： 朱乐永;陈涛 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法。源极连接的NMOS管和PMOS管分别作为上管和下管构成源极输出电路。两个偏置电流源、三个NMOS管构成第一偏置电路，为上管提供偏置电压；三个偏置电流源、两个NMOS管和一个PMOS管构成第二偏置电路，为下管提供偏置电压。电流源的电流和MOS管的宽长比设置使输出电压可以精确跟随输入电压；通过采用native NMOS管和相关的电路设置，使电压跟随电路可以在低电源电压下工作。电压跟随方法包括步骤：通过偏置电路产生随输入电压变化的第一偏置电压和第二偏置电压；通过源极输出电路提供输出电压，通过源极输出电路的MOS管的栅源电压对偏置电压进行精确补偿，使输出电压精确跟随输入电压。
一种电源电压精确跟随电路方法

[发明专利]一种精确高速电压跟随电路及集成电路-CN202210030792.1在审
发明人： 朱乐永;陈涛 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种精确高速电压跟随电路及集成电路。电压跟随电路包括源极输出电路、第一偏置电路和第二偏置电路。源极输出电路包括源极连接一起的第一NMOS管和第一PMOS管；第一偏置电路中，第一差分对管精确跟随输入电压，第二NMOS管的栅源电压和第一差分对管的输出电压叠加构成第一偏置电压，第二NMOS管还和第一NMOS管构成第一比例电流镜；第二偏置电路中，第二差分对管精确跟随输入电压，第二PMOS管的栅源电压和第二差分对管的输出电压叠加构成第二偏置电压，第二PMOS管还和第一PMOS管构成第二比例电流镜。电流镜的电流和MOS管宽长比匹配设置，使输出电压精确跟随输入电压、且具有很强的上拉和下拉能力，适于高速驱动负载。集成电路包括上述电压跟随电路。
一种精确高速电压跟随电路集成电路

[发明专利]电压基准产生电路-CN201911334086.0在审
发明人： 朱乐永 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。本发明包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。本发明还可以根据室温，确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，进而省略了Trim电路，在常用室温时使用。
电压基准产生电路

[实用新型]一种基于MRAM的低功耗MCU电路-CN202021240884.5有效
发明人： 朱乐永;白明方;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种基于MRAM的低功耗MCU电路，包括，MRAM存储器；CPU；低压差线性稳压器电路，包括参考电压输入端口、输出端子、输入端子、误差放大器、功率PMOS、反馈电阻、电容，输出端子连接功率PMOS的漏极、反馈电阻和电容，输入端子连接功率管的源极，误差放大器的输出连接功率PMOS的栅极，反馈电阻连接误差放大器的一个输入端，参考电压输入端口连接误差放大器的另一个输入端；功率PMOS宽长比为500um/0.7um‑2000um/0.7um，电容为0.05nF‑0.5nF；低压差线性稳压器电路连接MRAM存储器和CPU，并为MRAM存储器和CPU供电，MRAM存储器连接CPU；本实用新型提供了一种功耗低、面积小的MCU电路。
一种基于 mram 功耗 mcu 电路

[实用新型]一种待机功耗低的MCU-CN202021237844.5有效
发明人： 朱乐永;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种待机功耗低的MCU，MCU包括上电复位电路POR、第一稳压器、带隙基准模块Bandgap、第二稳压器、欠压复位电路BOR、CPU和或门OR；CPU的输出端连接欠压复位电路BOR、第二稳压器和带隙基准模块Bandgap的使能输入端，CPU的输出连接第一稳压器的输入端，上电复位电路POR和欠压复位电路BOR的输出端连接或门OR输入端，或门OR的输出端连接CPU的输入端，带隙基准模块Bandgap的输出端连接欠压复位电路BOR和第二稳压器的输入端，第二稳压器的输出端和第一稳压器的输出端连接后接CPU的电源输入端；本实用新型提出的MCU通过待机时关闭部分模拟电路来降低MCU功耗。
一种待机功耗 mcu

[发明专利]一种待机功耗低的MCU及其方法-CN202010613228.3在审
发明人： 朱乐永;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种待机功耗低的MCU及其方法，MCU包括上电复位电路POR、第一稳压器、带隙基准模块Bandgap、第二稳压器、欠压复位电路BOR、CPU和或门OR；CPU的输出端连接欠压复位电路BOR、第二稳压器和带隙基准模块Bandgap的使能输入端，CPU的输出连接第一稳压器的输入端，上电复位电路POR和欠压复位电路BOR的输出端连接或门OR输入端，或门OR的输出端连接CPU的输入端，带隙基准模块Bandgap的输出端连接欠压复位电路BOR和第二稳压器的输入端，第二稳压器的输出端和第一稳压器的输出端连接后接CPU的电源输入端；本发明提出的MCU及方法可通过待机时关闭部分模拟电路来降低MCU功耗。
一种待机功耗 mcu 及其方法

[发明专利]一种基于MRAM的低功耗MCU电路-CN202010613440.X在审
发明人： 朱乐永;白明方;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种基于MRAM的低功耗MCU电路，包括，MRAM存储器；CPU；低压差线性稳压器电路，包括参考电压输入端口、输出端子、输入端子、误差放大器、功率PMOS、反馈电阻、电容，输出端子连接功率PMOS的漏极、反馈电阻和电容，输入端子连接功率管的源极，误差放大器的输出连接功率PMOS的栅极，反馈电阻连接误差放大器的一个输入端，参考电压输入端口连接误差放大器的另一个输入端；功率PMOS宽长比为500um/0.7um‑2000um/0.7um，电容为0.05nF‑0.5nF；低压差线性稳压器电路连接MRAM存储器和CPU，并为MRAM存储器和CPU供电，MRAM存储器连接CPU；本发明提供了一种功耗低、面积小的MCU电路。
一种基于 mram 功耗 mcu 电路

[实用新型]电压基准产生电路-CN201922373092.9有效
发明人： 朱乐永 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。本实用新型包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。本实用新型还可以根据常用室温，确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，进而省略了Trim电路，在常用室温时使用。
电压基准产生电路

[实用新型]一种隔离高压输入的传输门电路-CN201820786339.2有效
发明人：张金弟;朱乐永;杨磊;章良;王铭义;刘松强;林啸 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结构简单、可靠性高的隔离高压输入的传输门电路，属于电子电路技术领域。传输门电路包括NMOS管M1、PMOS管M2和N级上拉电路，NMOS管M1的漏极/源极与与传输门电路的输入VIN连接；NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接，同时与传输门电路的输出VOUT连接，NMOS管M1和PMOS管M2的栅极通相反的电压控制信号；所述N级上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M2的漏极之间，用于当传输门电路处于断开状态时，使PMOS管M2的漏极电压和电压VDD相同，N为大于1的正整数在实现相同隔离效果的情况下，每多加一级上拉电路，则可以有效降低上拉电路中PMOS管的尺寸。
传输门电路上拉电路隔离高压漏极电压控制信号电子电路技术本实用新型源极/漏极断开状态隔离效果漏极电压源极连接正整数源极输出

[发明专利]一种隔离高压输入的传输门电路-CN201810508540.9在审
发明人：张金弟;朱乐永;杨磊;章良;王铭义;何进川;蔡占成 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种结构简单、可靠性高的隔离高压输入的传输门电路，属于电子电路技术领域。传输门电路包括PMOS管M3、NMOS管M4和上拉电路，NMOS管M4的漏极/源极与传输门电路的输入VIN连接；PMOS管M3的漏极与NMOS管M4的源极/漏极连接，同时与传输门电路的输出VOUT连接，PMOS管M3和NMOS管M4的栅极控制信号的相位相反；上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M3的源极之间，用于当传输门电路处于断开状态时，使PMOS管M3的源极电压与电压VDD相同。本发明加入了上拉电路，使传输门电路处于断开状态时，可以正常关断，输入VIN上的高电压不会通过传输门影响到输出VOUT上的电压信号。
传输门电路上拉电路断开状态隔离高压漏极源极电子电路技术栅极控制信号源极/漏极电压信号相位相反源极电压输出传输门高电压关断

[发明专利]一种隔离高压输入的传输门电路-CN201810509010.6在审
发明人：张金弟;朱乐永;杨磊;章良;王铭义;刘松强;林啸 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种结构简单、可靠性高的隔离高压输入的传输门电路，属于电子电路技术领域。传输门电路包括NMOS管M1、PMOS管M2和N级上拉电路，NMOS管M1的漏极/源极与传输门电路的输入VIN连接；NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接，同时与传输门电路的输出VOUT连接，NMOS管M1和PMOS管M2的栅极通相反的电压控制信号；所述N级上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M2的漏极之间，用于当传输门电路处于断开状态时，使PMOS管M2的漏极电压和电压VDD相同，N为大于1的正整数在实现相同隔离效果的情况下，每多加一级上拉电路，则可以有效降低上拉电路中PMOS管的尺寸。
传输门电路上拉电路隔离高压漏极电压控制信号电子电路技术源极/漏极断开状态隔离效果漏极电压源极连接正整数源极输出

[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法-CN201310419727.9无效
发明人： 朱乐永;李喜峰;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管采用底栅结构，包括一个栅电极、三个绝缘层、IGZO有源层、SiO2保护层、源电极及漏极，其中底部为玻璃衬底，在衬底上部中心区域采用磁控溅射法沉积栅电极ITO，在栅极上覆盖三层绝缘层，中间为HfO2绝缘层，两边为Al2O3绝缘层，它们组成三明治结构，Al2O3和HfO2分别采用直流磁控溅射和溶胶凝胶法制备，在绝缘层上部依次为IGZO有源层和SiO2保护层，源极和漏极的两端分别位于保护层和有源层上。
一种薄膜晶体管制造方法

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