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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202210863858.5在审
发明人： 本田拓巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理槽，其用于将基板浸在含有硅酸化合物和磷酸的处理液中来对基板进行处理；液量传感器，其测定贮存于处理槽的处理液的贮存量；浓度传感器，其测定贮存于处理槽的处理液中的磷酸浓度；磷酸供给部，其向处理槽供给含有磷酸的磷酸水溶液；纯水供给部，其向处理槽供给纯水；排出部，其从处理槽排出处理液；以及控制部，其控制各部。另外，控制部具有：排出量维持部，其将从排出部排出的处理液的每单位时间的排出量维持为给定值；以及供给量控制部，其控制从磷酸供给部和纯水供给部向处理槽分别供给的磷酸水溶液和纯水的供给量，以将处理槽中的处理液的贮存量和磷酸浓度维持为给定值。
处理装置方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210719040.6在审
发明人： 本田拓巳;吉田博司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高效且稳定地实施基片的蚀刻处理的基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理装置包括处理槽和控制部。处理槽使由多个基片构成的基片批次浸渍于处理液中进行蚀刻处理。控制部控制各部。另外，控制部包括修正部，该修正部基于通过蚀刻处理从基片溶解于处理液的溶解物的处理液中的浓度，对批次的处理时间进行修正。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202210160928.0在审
发明人： 本田拓巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高磷酸水溶液的使用效率。基板处理方法包括调配工序、蚀刻处理工序以及浓度上升工序。在调配工序中，向磷酸水溶液中添加析出抑制剂来调配磷酸处理液。在蚀刻处理工序中，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在处理槽中来对基板进行蚀刻处理。在浓度上升工序中，在被进行了蚀刻处理的基板的张数达到第一阈值的情况下、或者磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下，向处理槽内的磷酸处理液追加投入析出抑制剂来使磷酸处理液中的析出抑制剂的浓度上升。在进行浓度上升工序之后，在蚀刻处理工序中，将新的基板浸在贮存有使析出抑制剂的浓度上升后的磷酸处理液的处理槽中来对新的基板进行蚀刻处理。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置-CN202110961296.3在审
发明人： 本田拓巳;野中纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置。稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理。本公开的一技术方案的基板处理装置包括内槽、外槽、盖体以及液体接触构件。内槽在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液。外槽配置于内槽的外侧，该外槽接收从开口部流出的处理液。盖体对开口部进行开闭。液体接触构件具有疏水性，该液体接触构件配置于在含有泡的处理液从内槽向外槽流出时与处理液接触的位置。
处理装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN202110559784.1在审
发明人：平瀬圭太;小仓康司;吉田博司;永井高志;野中纯;本田拓巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。适当地实施利用包含磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液进行的蚀刻处理。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、混合装置、送液路径以及控制部。处理槽使基板浸渍于处理液来对基板进行处理。混合装置将磷酸水溶液与添加剂混合来生成成为处理液的原料的混合液。送液路径将混合液从混合装置送到处理槽。控制部控制各部。另外，控制部使得将混合装置中磷酸浓度变为比被供给到混合装置时的第一浓度高的第二浓度的混合液从混合装置输送到正在对基板进行浸渍处理的处理槽。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202110489607.0在审
发明人： 本田拓巳;益富裕之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在一并地蚀刻多个基板的技术中提高蚀刻处理的均匀性。本公开的基板处理装置具备处理槽、第一和第二喷出口群、第一变更部、第二变更部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一和第二喷出口群配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置，用于向处理槽的内部喷出处理液。第一变更部用于变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量。第二变更部用于变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量。控制部在蚀刻处理过程中控制第一变更部和第二变更部，来进行使从第一喷出口群喷出的处理液的流量和从第二喷出口群喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质-CN202010107820.6在审
发明人： 本田拓巳;香川兴司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
处理方法装置以及存储介质

[发明专利]基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质-CN201910470720.7在审
发明人： 本田拓巳;佐野和成;百武宏展 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。
基板变更处理对基板液处理探测基板液处理装置浸渍处理液中存储介质蚀刻工艺变更

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201811464878.5在审
发明人： 本田拓巳;山下浩司;田原真二;百武宏展 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
支承体处理槽基板处理装置基板保持部升降机构支承槽多个基板基板处理升降处理位置待机位置基板相对立起状态上方移动处理液抑制基积存支承

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