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[发明专利]脊条形半导体激光器-CN200610139956.5无效
发明人：伊藤启司;木户口勲;矢岛浩义 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：叠层组合物包括：设置在基板上的第1导电型包覆层；设置在第1导电型包覆层上的有源层，和设置在有源层上的脊条形第2导电型包覆层。设置在叠层组合物端面的一对膜，其沿着叠层方向彼此相对。所述成对膜形成为具有彼此不同的光谱反射率。叠层组合物和所述成对膜形成了谐振器结构。当在谐振器长度方向上成对膜中具有较小光谱反射率的一个膜的一侧是前侧，且具有较大光谱反射率的另一个膜的一侧是后侧时，如此构造叠层组合物，即光学限制因数在前侧上比后侧上小。
条形半导体激光器

[发明专利]制造第III族元素氮化物晶体的方法、其中所用的制造装置以及由此制造的半导体元件-CN200580010595.8无效
发明人：森勇介;峯本尚;北冈康夫;木户口勲;川村史朗;佐佐木孝友;高桥康仁 -专利权人：松下电器产业株式会社;森勇介
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
制造 iii 元素氮化物晶体方法其中所用装置以及由此半导体元件

[发明专利]化合物单晶的制造方法和用于该制造方法的制造装置-CN200580005394.9有效
发明人：森勇介;北冈康夫;峯本尚;木户口勲;高桥康仁;佐佐木孝友;川村史朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;森勇介
申请日： 2005-02-18 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C30B19/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
化合物制造方法用于装置

[发明专利]制造第三族氮化物衬底的方法-CN200410002946.8有效
发明人：北冈康夫;峰本尚;木户口勲;石桥明彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
制造第三氮化物衬底方法

[发明专利]半导体激光器及其制作方法-CN97190432.4无效
发明人： 木户口勲;足立秀人;熊渕康仁;鬼头雅弘;夈雅博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-04-24 - 公布日： 1998-08-05 - 主分类号： H01S3/18 文献下载
摘要：一种半导体激光器含有一个活性层和一对包层,这对层形成得把该活性层夹在它们中间。该半导体激光器还被提供有一个条带结构,使活性层的载流子注入区具有沿腔方向的条带形状。条带结构结构宽度的设定使得在腔发射端面处的值W1和在发射端面的对侧端面处的值W2满足关系W1
半导体激光器及其制作方法