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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种金属薄膜电阻结构及其制造方法-CN201110321426.3有效
发明人：左青云;康晓旭;曾少海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属薄膜电阻结构及其制造方法，其增加一张光刻掩模板便可形成金属薄膜电阻结构，其中，金属薄膜电阻与下层金属铜互连线连接，防止了现有技术在形成上层金属铜互连线时会对金属薄膜电阻造成刻蚀损伤的问题，从而提高了所形成的金属薄膜电阻的可靠性。
一种金属薄膜电阻结构及其制造方法

[发明专利]一种应变硅NMOS器件的制造方法-CN201110259901.9有效
发明人： 曾少海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种应变硅NMOS器件的制造方法，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底上具有栅极；在所述栅极侧壁上形成边墙，以保护所述栅极；在所述栅极两侧的半导体基底中刻蚀形成源极凹槽和漏极凹槽；沉积掺碳氧化硅直至填充所述源极凹槽和漏极凹槽；去除所述源极凹槽和漏极凹槽外的掺碳氧化硅；在所述半导体基底和所述栅极上沉积应力层。本发明所述应变硅NMOS器件的制造方法能够提高NMOS器件性能，降低了制造成本，同时有利于NMOS器件的散热，降低功耗。
一种应变 nmos 器件制造方法

[发明专利]一种新型SOI材料及其制备方法-CN201110186103.8无效
发明人： 曾少海;左青云 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型SOI材料包括一半导体衬底、第一绝缘层、以及第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅，本发明还涉及该SOI材料的制备方法。本发明所述新型SOI材料的均匀性好、化学性质稳定，并且形成该SOI材料的制备工艺简单、易于控制。
一种新型 soi 材料及其制备方法

[外观设计]蒸笼底片(2)-CN00322304.3无效
发明人： 曾少海;梁树桂 -专利权人： 曾少海;梁树桂
申请日： 2000-05-23 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： 07-02-C0649 文献下载
摘要：1.后视图与主视图对称，省略后视图；2.省略左视图、右视图、俯视图。
蒸笼底片

[外观设计]蒸笼底片(1)-CN00322305.1无效
发明人： 曾少海;梁树桂 -专利权人： 曾少海;梁树桂
申请日： 2000-05-23 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： 07-02-C0649 文献下载
摘要：1.后视图与主视图对称，故省略后视图；2.左视图、右视图、俯视图与仰视图对称，故省略左视图、右视图、俯视图。
蒸笼底片

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共 5 条

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